SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції SI4838DY-T1-E3 за ціною від 88.10 грн до 310.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4838DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI48 |
на замовлення 7280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4838DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SOPackage / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4838DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4838DY-T1-E3 | VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4838DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.27 грн |
| 10+ | 188.05 грн |
| 100+ | 114.89 грн |
| 500+ | 94.45 грн |
| 1000+ | 88.10 грн |
| SI4838DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.04 грн |
| 10+ | 196.16 грн |
| 100+ | 138.11 грн |
| 500+ | 106.34 грн |
| 1000+ | 98.87 грн |
| SI4838DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4838DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SO-8
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



