SI4838DY-T1-E3

SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4838dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4838DY-T1-E3 за ціною від 94.36 грн до 319.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4838dy.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.89 грн
10+201.41 грн
100+123.05 грн
500+101.16 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4838dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.29 грн
10+202.01 грн
100+142.24 грн
500+109.52 грн
1000+101.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4838dy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4838dy.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71359.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4838dy.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.