Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4840BDY-T1-E3
SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4840bdy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4840BDY-T1-E3 за ціною від 39.93 грн до 148.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.00 грн
10+65.63 грн
50+55.84 грн
100+51.95 грн
500+43.43 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.76 грн
500+59.58 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+81.46 грн
154+80.79 грн
183+67.65 грн
250+64.58 грн
500+51.02 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.77 грн
5+87.24 грн
10+78.75 грн
50+67.01 грн
100+62.33 грн
500+52.12 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.39 грн
10+87.28 грн
25+86.56 грн
100+69.89 грн
250+64.07 грн
500+52.48 грн
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4840bdy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.28 грн
10+92.21 грн
100+64.15 грн
250+63.77 грн
500+53.00 грн
1000+50.10 грн
2500+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.79 грн
50+95.09 грн
100+76.76 грн
500+59.58 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 33962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.70 грн
10+96.73 грн
100+72.49 грн
500+54.40 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3
Код товару: 82270
Додати до обраних Обраний товар

si4840bdy.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.