Продукція > VISHAY > SI4840BDY-T1-E3
SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3 Vishay

si4840bdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4840BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4840BDY-T1-E3 за ціною від 36.25 грн до 143.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.95 грн
500+54.10 грн
1000+44.49 грн
5000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4840BDY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.48 грн
10+61.77 грн
23+39.85 грн
62+37.63 грн
1000+36.40 грн
2500+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+88.90 грн
139+88.02 грн
173+70.55 грн
250+67.43 грн
500+51.08 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4840BDY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
10+76.97 грн
23+47.82 грн
62+45.15 грн
1000+43.68 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+107.46 грн
10+82.55 грн
25+81.73 грн
100+63.17 грн
250+57.98 грн
500+45.54 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.59 грн
10+85.83 грн
100+70.40 грн
500+56.02 грн
1000+44.78 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4840bdy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+90.53 грн
100+58.56 грн
500+47.82 грн
1000+44.29 грн
2500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 33962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+93.19 грн
100+69.83 грн
500+52.40 грн
1000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.