Продукція > VISHAY > SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 Vishay

Name: SI4848DY-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 346319-7
Price: 92275.0 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	36.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 41.53 грн до 132.87 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	45.67 грн
5000+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	47.33 грн
5000+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	48.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	48.96 грн
5000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002472645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	71.72 грн
500+	55.02 грн
1000+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	82.53 грн
17+	53.64 грн
46+	50.58 грн
500+	49.81 грн
1000+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
137+	89.28 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	98.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	99.03 грн
17+	66.85 грн
46+	60.69 грн
500+	59.77 грн
1000+	58.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 8817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	118.58 грн
10+	82.23 грн
100+	66.61 грн
500+	49.83 грн
1000+	45.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 42849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.02 грн
10+	85.45 грн
100+	56.94 грн
500+	50.91 грн
1000+	45.61 грн
2500+	42.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	132.87 грн
50+	94.91 грн
100+	71.72 грн
500+	55.02 грн
1000+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4848DYT1E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.