Продукція > VISHAY > SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 Vishay

si4848dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 31.94 грн до 119.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.21 грн
5000+ 39.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+56.67 грн
208+ 56.38 грн
233+ 50.41 грн
250+ 48.32 грн
500+ 41.23 грн
1000+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 207
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.25 грн
12+ 52.62 грн
25+ 52.35 грн
100+ 45.14 грн
250+ 41.55 грн
500+ 36.76 грн
1000+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+59.49 грн
250+ 57.1 грн
500+ 55.04 грн
1000+ 51.35 грн
2500+ 46.14 грн
Мінімальне замовлення: 197
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866379.pdf Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.24 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 40.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.34 грн
5000+ 59.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866379.pdf Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.88 грн
50+ 71.6 грн
100+ 62.24 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 40.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4848dy.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 48880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.14 грн
10+ 79.08 грн
100+ 57.15 грн
500+ 51.34 грн
1000+ 42.79 грн
2500+ 38.79 грн
5000+ 37.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.61 грн
10+ 81.37 грн
17+ 48.68 грн
46+ 45.9 грн
1000+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 9306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.72 грн
10+ 82.34 грн
100+ 64.01 грн
500+ 50.92 грн
1000+ 41.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.53 грн
10+ 101.39 грн
17+ 58.42 грн
46+ 55.08 грн
1000+ 53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4848DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71356.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній