на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 39.99 грн до 135.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 3W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 31731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
на замовлення 8817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 3W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4848DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |