Продукція > VISHAY > SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 Vishay


71356.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 40.76 грн до 143.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.20 грн
5000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.33 грн
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.76 грн
5000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.90 грн
500+59.20 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+117.00 грн
5000+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.13 грн
10+86.77 грн
100+70.29 грн
500+52.58 грн
1000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4848dy.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 31149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.23 грн
10+94.63 грн
100+62.96 грн
500+50.23 грн
1000+47.12 грн
2500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.24 грн
50+101.02 грн
100+78.73 грн
500+58.31 грн
1000+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.17 грн
17+68.90 грн
46+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.