SI4848DY-T1-E3
Код товару: 115193
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 40.73 грн до 165.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
на замовлення 8817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 17350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4848DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4848DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3661
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 10665 шт
1550 шт - склад
1180 шт - РАДІОМАГ-Київ
7345 шт - РАДІОМАГ-Львів
590 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1180 шт - РАДІОМАГ-Київ
7345 шт - РАДІОМАГ-Львів
590 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 51 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-51R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3476
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 47uF 16V EHR 5x11mm (EHR470M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3035
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1971 шт
1720 шт - склад
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.59 грн |
| 12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1402
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8996 шт
176 шт - склад
4620 шт - РАДІОМАГ-Київ
4200 шт - РАДІОМАГ-Львів
4620 шт - РАДІОМАГ-Київ
4200 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1352
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5200 шт
3800 шт - РАДІОМАГ-Київ
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |