Продукція > VISHAY > SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 Vishay

71356.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 33.48 грн до 134.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.51 грн
5000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.78 грн
500+58.36 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.85 грн
17+55.80 грн
46+52.62 грн
500+51.82 грн
1000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.88 грн
150+82.25 грн
174+70.53 грн
250+67.36 грн
500+50.35 грн
1000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3
Код товару: 115193
Додати до обраних Обраний товар

si4848dy.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.02 грн
17+69.54 грн
46+63.14 грн
500+62.18 грн
1000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+106.11 грн
10+80.68 грн
25+76.37 грн
100+63.15 грн
250+57.92 грн
500+44.88 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4848dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+85.54 грн
100+69.29 грн
500+51.83 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.07 грн
50+91.00 грн
100+77.78 грн
500+58.36 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4848dy.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 35065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.82 грн
10+97.69 грн
25+81.89 грн
100+68.57 грн
500+54.64 грн
1000+52.35 грн
2500+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4848dy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.