Технічний опис SI4850EY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Інші пропозиції SI4850EY-T1-E3 за ціною від 37.60 грн до 190.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 6270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4850EYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.66 грн |
| 5000+ | 37.60 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.46 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.54 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 67.56 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 139.37 грн |
| 102+ | 138.02 грн |
| 144+ | 98.05 грн |
| 250+ | 91.99 грн |
| 500+ | 48.70 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.27 грн |
| 10+ | 109.18 грн |
| 100+ | 74.66 грн |
| 500+ | 56.21 грн |
| 1000+ | 51.97 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 190.50 грн |
| 10+ | 139.37 грн |
| 25+ | 138.02 грн |
| 100+ | 94.55 грн |
| 250+ | 85.18 грн |
| 500+ | 46.76 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4850EY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4850EYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)