на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4850EY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4850EY-T1-E3 за ціною від 29.9 грн до 134.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W On-state resistance: 47mΩ Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 21562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W On-state resistance: 47mΩ Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4850EYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |