Продукція > VISHAY > SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 Vishay

Name: SI4850EY-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 346317-7
Price: 83575.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4850EY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4850EY-T1-E3 за ціною від 34.15 грн до 185.37 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	35.11 грн
5000+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	37.62 грн
5000+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	39.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	54.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	61.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	91.03 грн
10+	84.47 грн
50+	64.78 грн
100+	58.22 грн
250+	51.66 грн
500+	49.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	94.50 грн
500+	68.88 грн
1000+	56.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
101+	126.58 грн
102+	125.35 грн
144+	89.05 грн
250+	83.55 грн
500+	44.23 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

на замовлення 2727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	126.89 грн
10+	101.11 грн
100+	66.03 грн
500+	58.59 грн
1000+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.23 грн
5+	113.43 грн
10+	101.36 грн
50+	77.74 грн
100+	69.87 грн
250+	62.00 грн
500+	59.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	160.73 грн
50+	126.29 грн
100+	83.90 грн
500+	63.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	182.77 грн
10+	133.09 грн
25+	114.94 грн
100+	82.66 грн
250+	81.09 грн
500+	61.09 грн
1000+	58.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	185.37 грн
10+	135.62 грн
25+	134.30 грн
100+	92.01 грн
250+	82.89 грн
500+	45.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4850EYT1E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.