Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix


Si4874BDY.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції Si4874BDY-T1-E3 за ціною від 49.09 грн до 132.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.22 грн
238+59.19 грн
239+58.91 грн
500+56.18 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.43 грн
220+64.05 грн
222+63.38 грн
250+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.77 грн
12+64.43 грн
25+64.05 грн
100+61.12 грн
250+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.39 грн
10+87.91 грн
100+65.45 грн
500+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors Si4874BDY.PDF MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 VISHAY Si4874BDY.PDF
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 si4874bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+63.22 грн
238+59.19 грн
239+58.91 грн
500+56.18 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 si4874bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+64.43 грн
220+64.05 грн
222+63.38 грн
250+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 si4874bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+68.77 грн
12+64.43 грн
25+64.05 грн
100+61.12 грн
250+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.39 грн
10+87.91 грн
100+65.45 грн
500+60.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Виробник: VISHAY
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.