Продукція > VISHAY > SI4874BDY-T1-E3
SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3 Vishay

si4874bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+55.70 грн
238+52.15 грн
239+51.90 грн
500+49.49 грн
1000+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4874BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4874BDY-T1-E3 за ціною від 48.00 грн до 142.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+56.76 грн
220+56.43 грн
222+55.84 грн
250+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.91 грн
12+60.82 грн
25+60.46 грн
100+57.69 грн
250+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors Si4874BDY.PDF MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.45 грн
10+65.78 грн
2500+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.09 грн
10+94.35 грн
100+70.24 грн
500+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Si4874BDY.PDF
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 73058.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Si4874BDY.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.