на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 223+ | 54.77 грн |
| 238+ | 51.28 грн |
| 239+ | 51.04 грн |
| 500+ | 48.67 грн |
| 1000+ | 42.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4874BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4874BDY-T1-E3 за ціною від 40.91 грн до 138.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V |
на замовлення 6760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4874BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4874BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W Polarisation: unipolar Drain current: 16A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 3W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| Si4874BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W Polarisation: unipolar Drain current: 16A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 3W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |