Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції Si4874BDY-T1-E3 за ціною від 49.09 грн до 132.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4874BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4874BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4874BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
Si4874BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
Si4874BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm |
на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| Si4874BDY-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI4874BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 63.22 грн |
| 238+ | 59.19 грн |
| 239+ | 58.91 грн |
| 500+ | 56.18 грн |
| 1000+ | 49.09 грн |
| SI4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 64.43 грн |
| 220+ | 64.05 грн |
| 222+ | 63.38 грн |
| 250+ | 54.92 грн |
| SI4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 68.77 грн |
| 12+ | 64.43 грн |
| 25+ | 64.05 грн |
| 100+ | 61.12 грн |
| 250+ | 50.85 грн |
| Si4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.39 грн |
| 10+ | 87.91 грн |
| 100+ | 65.45 грн |
| 500+ | 60.50 грн |
| Si4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Si4874BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4874BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




