Продукція > VISHAY > SI4874BDY-T1-E3
SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3 Vishay

si4874bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+65.91 грн
238+61.71 грн
239+61.42 грн
500+58.57 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 223 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4874BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4874BDY-T1-E3 за ціною від 53.02 грн до 204.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors Si4874BDY.PDF MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+66.45 грн
10+64.80 грн
2500+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+67.17 грн
220+66.78 грн
222+66.08 грн
250+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Vishay si4874bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.69 грн
12+67.17 грн
25+66.78 грн
100+63.72 грн
250+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4874BDY.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.72 грн
10+127.15 грн
50+97.23 грн
100+82.16 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Si4874BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.45 грн
10+64.80 грн
2500+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 si4874bd.pdf
SI4874BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+67.17 грн
220+66.78 грн
222+66.08 грн
250+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3 si4874bd.pdf
SI4874BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.69 грн
12+67.17 грн
25+66.78 грн
100+63.72 грн
250+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Si4874BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.72 грн
10+127.15 грн
50+97.23 грн
100+82.16 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.