SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4890DY-T1-E3 за ціною від 75.52 грн до 212.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4890DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4890DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 11A 2.5W |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4890DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4890DY-T1-E3 | VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4890DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.45 грн |
| 10+ | 140.31 грн |
| 100+ | 101.74 грн |
| 500+ | 79.51 грн |
| 1000+ | 75.52 грн |
| SI4890DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 11A 2.5W
MOSFET 30V 11A 2.5W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4890DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4890DY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
SO-8
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)