Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4890DY-T1-E3
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4890dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4890DY-T1-E3 за ціною від 82.39 грн до 238.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4890DY-T1-E3 SI4890DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4890dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.78 грн
10+153.08 грн
100+111.00 грн
500+86.74 грн
1000+82.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 SI4890DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4890dy.pdf MOSFET 30V 11A 2.5W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.20 грн
10+195.52 грн
100+135.86 грн
250+124.99 грн
500+113.34 грн
1000+97.82 грн
2500+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4890dy.pdf 09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4890dy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 SI4890DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4890dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 SI4890DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4890dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 SI4890DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4890dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.