SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 85.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 66.97 грн до 209.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4896DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4896DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4896DY_T1_E3 | VISHAY | 0643 |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 85.99 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 85.99 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 125.70 грн |
| 10+ | 110.91 грн |
| 25+ | 110.88 грн |
| 100+ | 85.13 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 125.70 грн |
| 132+ | 110.88 грн |
| 166+ | 85.13 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.66 грн |
| 10+ | 126.91 грн |
| 100+ | 88.59 грн |
| 250+ | 87.84 грн |
| 500+ | 87.09 грн |
| 2500+ | 66.97 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.03 грн |
| 10+ | 143.88 грн |
| 100+ | 99.36 грн |
| 500+ | 81.94 грн |
| SI4896DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4896DY_T1_E3 |
Виробник: VISHAY
0643
0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)