Продукція > VISHAY > SI4896DY-T1-E3
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3 Vishay

71300.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 66.15 грн до 215.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71300.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.67 грн
10+86.18 грн
25+86.15 грн
100+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+105.18 грн
132+92.78 грн
166+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71300.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.51 грн
10+127.57 грн
100+89.04 грн
250+88.29 грн
500+87.53 грн
2500+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71300.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.50 грн
10+148.33 грн
100+102.43 грн
500+84.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY_T1_E3 Виробник : VISHAY 0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf 07+ SOP-16
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.