SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 62.87 грн до 209.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4896DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4896DY_T1_E3 | VISHAY | 0643 |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4896DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.59 грн |
| 10+ | 119.15 грн |
| 100+ | 83.17 грн |
| 250+ | 82.46 грн |
| 500+ | 81.76 грн |
| 2500+ | 62.87 грн |
| SI4896DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.33 грн |
| 10+ | 144.08 грн |
| 100+ | 99.50 грн |
| 500+ | 82.06 грн |
| SI4896DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4896DY_T1_E3 |
Виробник: VISHAY
0643
0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4896DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SO-8
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



