на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 75.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 61.19 грн до 203.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI4896DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4896DY_T1_E3 | Виробник : VISHAY | 0643 |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SOP-16 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |