Продукція > VISHAY > SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3 Vishay

si4900dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+40.75 грн
307+40.35 грн
310+39.95 грн
315+37.92 грн
320+34.56 грн
500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4900DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4900DY-T1-E3 за ціною від 31.14 грн до 138.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4900dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.45 грн
17+43.67 грн
25+43.23 грн
50+41.27 грн
100+37.62 грн
250+35.55 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4900dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.71 грн
10+78.47 грн
100+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4900dy.pdf MOSFETs 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.82 грн
10+59.71 грн
100+40.41 грн
500+35.31 грн
1000+33.53 грн
2500+31.60 грн
5000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4900dy.pdf
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4900dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4900dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.