| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 304+ | 46.67 грн |
| 307+ | 46.21 грн |
| 310+ | 45.75 грн |
| 315+ | 43.43 грн |
| 320+ | 39.58 грн |
| 500+ | 37.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
304 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4900DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4900DY-T1-E3 за ціною від 37.39 грн до 119.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4900DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4900DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 5.3A 3.1W |
на замовлення 21316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4900DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4900DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 53.92 грн |
| 17+ | 46.67 грн |
| 25+ | 46.21 грн |
| 50+ | 44.11 грн |
| 100+ | 40.21 грн |
| 250+ | 38.00 грн |
| 500+ | 37.39 грн |
| SI4900DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.60 грн |
| 10+ | 73.22 грн |
| 100+ | 49.12 грн |
| SI4900DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 5.3A 3.1W
MOSFETs 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4900DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)