Технічний опис Si4914BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.7W, 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції Si4914BDY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4914BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| Si4914BDY-T1-E3 |
 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SI4914BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A/7.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
Si4914BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |