Продукція > VISHAY > SI4925BDY-T1-E3
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3 Vishay


72001.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4925BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4925BDY-T1-E3 за ціною від 36.62 грн до 112.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72001.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72001.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72001.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.94 грн
10+ 72.61 грн
100+ 56.51 грн
500+ 44.95 грн
1000+ 36.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72001.pdf MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
на замовлення 21073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.99 грн
10+ 91.68 грн
100+ 61.87 грн
500+ 52.51 грн
1000+ 43.88 грн
5000+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72001.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4925BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4925BDY-T1-E3
Код товару: 173526
72001.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72001.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4925BDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4925BDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній