на замовлення 17364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.81 грн |
| 10+ | 113.37 грн |
| 100+ | 66.73 грн |
| 500+ | 53.26 грн |
| 1000+ | 50.84 грн |
| 25000+ | 47.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4925BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4925BDY-T1-E3 за ціною від 52.24 грн до 178.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4925BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC |
товару немає в наявності |