SI4925BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.46 грн |
| 10+ | 106.19 грн |
| 100+ | 72.51 грн |
| 500+ | 54.51 грн |
| 1000+ | 50.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4925BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4925BDY-T1-E3 за ціною від 48.22 грн до 178.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30 Volt 7.1 Amp 2.0W |
на замовлення 17364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4925BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4925BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC |
товару немає в наявності |