SI4943BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.83 грн |
| 10+ | 105.23 грн |
| 100+ | 83.74 грн |
| 500+ | 66.49 грн |
| 1000+ | 56.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4943BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4943BDY-T1-E3 за ціною від 54.61 грн до 144.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 8.4A 2W |
на замовлення 42667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4943BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SOP-8 05+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.4A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.4A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |