Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4943BDY-T1-E3
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4943bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.24 грн
10+127.85 грн
100+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4943BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4943BDY-T1-E3 за ціною від 58.97 грн до 222.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4943bd.pdf MOSFETs 20V 8.4A 2W
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.27 грн
10+142.14 грн
100+85.02 грн
500+68.41 грн
1000+63.06 грн
2500+60.07 грн
5000+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4943bd.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4943bd.pdf 09+
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4943bd.pdf 09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4943bd.pdf SOP-8 05+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4943bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4943bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4943bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4943bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.