на замовлення 42433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.97 грн |
| 10+ | 130.29 грн |
| 100+ | 86.07 грн |
| 250+ | 75.04 грн |
| 500+ | 70.63 грн |
| 1000+ | 63.49 грн |
| 2500+ | 60.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4943BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4943BDY-T1-E3 за ціною від 61.76 грн до 206.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI4943BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOP-8 05+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.4A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.4A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC |
товару немає в наявності |