Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 Vishay

si4946be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 25.30 грн до 171.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 14976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.45 грн
175+69.86 грн
193+63.14 грн
250+59.81 грн
500+48.06 грн
1000+43.25 грн
2500+35.34 грн
5000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+77.35 грн
10+67.84 грн
25+64.52 грн
100+56.24 грн
250+51.15 грн
500+42.61 грн
1000+39.95 грн
2500+32.64 грн
5000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 38363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.67 грн
500+62.74 грн
1000+49.61 грн
5000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.06 грн
10+73.62 грн
25+36.59 грн
67+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3
Код товару: 196051
Додати до обраних Обраний товар

si4946be.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+97.92 грн
135+90.83 грн
156+78.43 грн
250+73.77 грн
500+56.26 грн
1000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.82 грн
10+90.92 грн
25+84.34 грн
100+70.23 грн
250+63.43 грн
500+50.15 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.27 грн
10+91.75 грн
25+43.90 грн
67+41.54 грн
5000+40.91 грн
10000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.60 грн
10+95.97 грн
100+60.23 грн
500+47.82 грн
1000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.97 грн
10+98.87 грн
25+90.95 грн
100+74.65 грн
250+67.25 грн
500+52.36 грн
1000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 38363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.53 грн
10+100.94 грн
100+80.67 грн
500+62.74 грн
1000+49.61 грн
5000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.91 грн
10+106.05 грн
100+72.29 грн
500+54.29 грн
1000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.16 грн
10+41.98 грн
100+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.