Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 Vishay

si4946be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 25.36 грн до 174.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 14976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.63 грн
175+70.03 грн
193+63.29 грн
250+59.96 грн
500+48.17 грн
1000+43.36 грн
2500+35.42 грн
5000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+77.54 грн
10+68.00 грн
25+64.68 грн
100+56.37 грн
250+51.27 грн
500+42.71 грн
1000+40.05 грн
2500+32.72 грн
5000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 38339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.79 грн
500+63.61 грн
1000+50.30 грн
5000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.38 грн
10+74.64 грн
25+37.09 грн
67+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3
Код товару: 196051
Додати до обраних Обраний товар

si4946be.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+98.15 грн
135+91.05 грн
156+78.62 грн
250+73.95 грн
500+56.39 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+112.09 грн
10+91.14 грн
25+84.55 грн
100+70.40 грн
250+63.58 грн
500+50.27 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
10+93.01 грн
25+44.51 грн
67+42.03 грн
5000+41.47 грн
10000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+125.27 грн
10+99.11 грн
25+91.16 грн
100+74.83 грн
250+67.42 грн
500+52.48 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
10+97.29 грн
100+61.06 грн
500+48.48 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 38339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.55 грн
10+102.34 грн
100+81.79 грн
500+63.61 грн
1000+50.30 грн
5000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.28 грн
10+107.52 грн
100+73.28 грн
500+55.04 грн
1000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.