Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 Vishay

si4946be.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 36.23 грн до 77.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3 VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 si4946be.pdf
SI4946BEY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4946BEY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4946BEY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 si4946be.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 si4946be.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.