| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.06 грн |
| 10+ | 93.21 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 500+ | 46.45 грн |
| 1000+ | 44.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 36.23 грн до 79.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductor |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||
| SI4946BEY-T1-E3 | Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946beyкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI4946BEYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4946BEY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 36.23 грн |
| SI4946BEY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.12 грн |
| SI4946BEYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



