SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors


si4946be.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.06 грн
10+93.21 грн
100+58.50 грн
500+46.45 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 36.23 грн до 79.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4946BEY-T1-E3 Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3 VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 si4946be.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 si4946be.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.