 
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 23.08 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 29.27 грн до 147.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 142500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 20000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 142500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 20000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1046 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 11705 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 83656 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1046 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 145 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| SI4948BEYT1E3 | Виробник : VISHAY | на замовлення 3000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 Код товару: 149484 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |  Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -25A Drain current: -2.4A Gate charge: 22nC Type of transistor: P-MOSFET x2 On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.95W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® | товару немає в наявності |