Продукція > VISHAY > SI4948BEY-T1-E3
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3 Vishay

si4948be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 28.79 грн до 146.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.23 грн
500+48.75 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.60 грн
50+98.02 грн
100+66.23 грн
500+48.75 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3
Код товару: 149484
Додати до обраних Обраний товар

si4948be.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.40 грн
5000+32.89 грн
7500+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.23 грн
5000+30.15 грн
25000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.51 грн
10+80.49 грн
100+54.16 грн
500+40.24 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 85004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.17 грн
10+89.13 грн
100+52.05 грн
500+41.26 грн
1000+38.07 грн
2500+33.05 грн
5000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf 2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.