SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.51 грн |
| 5000+ | 33.63 грн |
| 7500+ | 32.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 31.58 грн до 134.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 80955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 9408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI4948BEYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
SI4948BEY-T1-E3 Код товару: 149484
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -25A Drain current: -2.4A Gate charge: 22nC Type of transistor: P-MOSFET x2 On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.95W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |