Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4948BEY-T1-E3
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4948be.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+37.91 грн
5000+34.00 грн
7500+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 32.30 грн до 135.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.79 грн
131+108.69 грн
190+74.49 грн
250+71.11 грн
500+52.84 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.83 грн
10+109.79 грн
25+108.69 грн
100+71.83 грн
250+65.84 грн
500+50.73 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 79816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.28 грн
10+84.30 грн
100+51.73 грн
500+40.95 грн
1000+35.81 грн
2500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.86 грн
50+86.34 грн
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+83.23 грн
100+56.00 грн
500+41.60 грн
1000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Vishay si4948be.pdf 2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYT1E3 VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
129+109.79 грн
131+108.69 грн
190+74.49 грн
250+71.11 грн
500+52.84 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.83 грн
10+109.79 грн
25+108.69 грн
100+71.83 грн
250+65.84 грн
500+50.73 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 79816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.28 грн
10+84.30 грн
100+51.73 грн
500+40.95 грн
1000+35.81 грн
2500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.86 грн
50+86.34 грн
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.59 грн
10+83.23 грн
100+56.00 грн
500+41.60 грн
1000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
Виробник: Vishay
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.