Продукція > VISHAY > SI4948BEY-T1-E3
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3 Vishay

si4948be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 27.31 грн до 136.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.32 грн
5000+27.61 грн
7500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.66 грн
5000+29.89 грн
7500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.45 грн
5000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.12 грн
5000+34.18 грн
7500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.18 грн
5000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.46 грн
500+49.97 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.03 грн
50+81.95 грн
100+63.46 грн
500+49.97 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 93495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.02 грн
10+83.59 грн
100+55.69 грн
500+44.07 грн
1000+38.92 грн
2500+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.88 грн
10+83.68 грн
100+56.29 грн
500+42.72 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf 2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.