на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4963BDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung Pd: 1.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4963BDY-T1-E3 за ціною від 37.53 грн до 121.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 6.2A 2W |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4963BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8 Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -40A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8 Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.5A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -40A |
товар відсутній |