Продукція > VISHAY > SI4963BDY-T1-E3
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3 Vishay

si4963bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+103.96 грн
177+79.70 грн
200+74.46 грн
500+61.05 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4963BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4963BDY-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4963bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 2W
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY si4963bd.pdf
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
SI4963BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 6.2A 2W
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 VISH-S-A0002474536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4963BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4963BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.