SI4972DY-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4972DY-T1-GE3
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4972DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4972DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |