SI7145DP-T1-GE3

SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7145dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
на замовлення 13975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7145DP-T1-GE3 за ціною від 63.16 грн до 146.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+112.15 грн
121+102.81 грн
122+102.21 грн
136+88.22 грн
250+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.35 грн
10+96.18 грн
100+88.12 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.16 грн
10+110.15 грн
25+109.51 грн
100+94.52 грн
250+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0019629330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.65 грн
500+94.66 грн
1500+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7145dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.62 грн
10+114.17 грн
100+89.35 грн
500+74.84 грн
1000+70.26 грн
3000+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0019629330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.49 грн
50+135.36 грн
100+121.65 грн
500+94.66 грн
1500+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DPT1GE3 Виробник : VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.