SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI7145DP-T1-GE3 за ціною від 57.75 грн до 303.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7145DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7145DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 75828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7145DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7145DPT1GE3 | VISHAY |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7145DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.84 грн |
| 10+ | 91.46 грн |
| 100+ | 83.80 грн |
| 500+ | 70.67 грн |
| SI7145DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.87 грн |
| 10+ | 104.39 грн |
| 100+ | 81.70 грн |
| 500+ | 68.43 грн |
| 1000+ | 64.24 грн |
| 3000+ | 57.75 грн |
| SI7145DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 303.05 грн |
| 50+ | 191.44 грн |
| 100+ | 140.12 грн |
| 500+ | 109.69 грн |
| 1500+ | 99.16 грн |
| SI7145DPT1GE3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)