Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > SI7145DPT1GE3

SI7145DPT1GE3

Код товару: 145072
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7145DPT1GE3 за ціною від 63.60 грн до 127.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7145dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.36 грн
10+91.05 грн
100+83.43 грн
500+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.86 грн
10+117.21 грн
25+116.54 грн
100+100.58 грн
250+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay si7145dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.86 грн
121+117.21 грн
122+116.54 грн
136+100.58 грн
250+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7145dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019629330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DPT1GE3 VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.36 грн
10+91.05 грн
100+83.43 грн
500+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.86 грн
10+117.21 грн
25+116.54 грн
100+100.58 грн
250+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.86 грн
121+117.21 грн
122+116.54 грн
136+100.58 грн
250+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 VISH-S-A0019629330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7145DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DPT1GE3
Виробник: VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.