Продукція > VISHAY > SI9433BDY-T1-E3
SI9433BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3 Vishay

si9433bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.82 грн
17+36.86 грн
25+36.77 грн
50+35.37 грн
100+30.53 грн
250+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9433BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI9433BDY-T1-E3 за ціною від 33.20 грн до 116.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
на замовлення 16463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.68 грн
10+78.19 грн
100+49.88 грн
500+44.37 грн
1000+38.03 грн
5000+34.79 грн
25000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.35 грн
8+49.52 грн
21+45.59 грн
25+44.80 грн
56+43.23 грн
100+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.28 грн
10+69.49 грн
100+46.18 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.82 грн
5+61.71 грн
21+54.71 грн
25+53.77 грн
56+51.88 грн
100+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.82 грн
5+61.71 грн
21+54.71 грн
25+53.77 грн
56+51.88 грн
100+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si9433bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 транзистор
Код товару: 202907
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72755.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.