Продукція > VISHAY > SI9433BDY-T1-E3
SI9433BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3 Vishay

si9433bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.49 грн
17+45.80 грн
25+45.69 грн
50+43.94 грн
100+37.94 грн
250+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9433BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI9433BDY-T1-E3 за ціною від 32.53 грн до 109.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Siliconix info-tsi9433bdy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Siliconix info-tsi9433bdy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.49 грн
10+66.57 грн
100+44.24 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
на замовлення 16463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 info-tsi9433bdy.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 info-tsi9433bdy.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.49 грн
10+66.57 грн
100+44.24 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
на замовлення 16463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
SI9433BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.