Si9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.55 грн |
| 5000+ | 21.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції Si9433BDY-T1-E3 за ціною від 22.6 грн до 122.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
на замовлення 11020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm |
на замовлення 23681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI9433BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI9433BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| Si9433BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |