Продукція > VISHAY > SI9433BDY-T1-E3
SI9433BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3 Vishay

si9433bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.39 грн
17+42.94 грн
25+42.84 грн
50+41.20 грн
100+35.57 грн
250+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9433BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI9433BDY-T1-E3 за ціною від 33.52 грн до 307.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFETs 20V 6.2A 0.04Ohm
на замовлення 16463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.55 грн
10+78.94 грн
100+50.36 грн
500+44.80 грн
1000+38.40 грн
5000+35.12 грн
25000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.38 грн
10+70.15 грн
100+46.62 грн
500+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si9433bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+307.67 грн
21+55.23 грн
56+52.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72755.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.