Продукція > VISHAY > SI9926CDY-T1-E3
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3 Vishay

si9926cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9926CDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI9926CDY-T1-E3 за ціною від 20.08 грн до 144.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68606.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.98 грн
10000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68606.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.80 грн
11+38.20 грн
36+25.94 грн
98+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866561.pdf Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.24 грн
500+54.55 грн
1000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.15 грн
10+47.61 грн
36+31.13 грн
98+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866561.pdf Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.50 грн
50+83.04 грн
100+69.24 грн
500+54.55 грн
1000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9926cd.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.22 грн
10+89.38 грн
100+53.20 грн
500+44.22 грн
1000+39.84 грн
2500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.48 грн
10+86.86 грн
100+59.68 грн
500+44.34 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-E3
Код товару: 163294
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68606.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68606.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.