на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9926CDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI9926CDY-T1-E3 за ціною від 21.09 грн до 84.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI9926CDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
SI9926CDY-E3 Код товару: 163294 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|