Продукція > VISHAY SILICONIX > SI9926CDY-T1-E3
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si9926cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI9926CDY-T1-E3 за ціною від 27.98 грн до 155.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.66 грн
10+78.11 грн
100+52.53 грн
500+39.02 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si9926cd.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+80.89 грн
100+47.08 грн
500+38.20 грн
1000+33.76 грн
2500+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.14 грн
5+94.00 грн
10+81.87 грн
50+59.22 грн
100+51.58 грн
500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.41 грн
50+98.68 грн
100+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDYT1E3 VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.66 грн
10+78.11 грн
100+52.53 грн
500+39.02 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+80.89 грн
100+47.08 грн
500+38.20 грн
1000+33.76 грн
2500+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+136.14 грн
5+94.00 грн
10+81.87 грн
50+59.22 грн
100+51.58 грн
500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 VISH-S-A0002474114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+155.41 грн
50+98.68 грн
100+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.