Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SIA447DJ-T1-GE3 за ціною від 11.34 грн до 65.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V |
на замовлення 10704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 19W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 31705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1042 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.45 грн |
| 6000+ | 11.89 грн |
| 9000+ | 11.34 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.64 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.64 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 48.20 грн |
| 461+ | 30.81 грн |
| 621+ | 22.86 грн |
| 1000+ | 20.05 грн |
| 3000+ | 16.52 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.69 грн |
| 10+ | 33.95 грн |
| 100+ | 21.92 грн |
| 500+ | 15.72 грн |
| 1000+ | 14.15 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.60 грн |
| 10+ | 36.44 грн |
| 100+ | 20.50 грн |
| 500+ | 15.67 грн |
| 1000+ | 14.64 грн |
| 3000+ | 12.08 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 65.72 грн |
| 20+ | 40.83 грн |
| 100+ | 26.42 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 15.60 грн |
| 5000+ | 13.32 грн |
| SIA447DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






