Продукція > SIA > SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3


sia447dj.pdf
Код товару: 188286
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIA447DJ-T1-GE3 за ціною від 11.40 грн до 60.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia447dj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.55 грн
6000+11.97 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia447dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia447dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia447dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+47.45 грн
461+30.33 грн
621+22.50 грн
1000+19.74 грн
3000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia447dj.pdf Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.06 грн
24+34.97 грн
100+22.64 грн
500+16.05 грн
1000+13.35 грн
5000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia447dj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.11 грн
10+34.20 грн
100+22.08 грн
500+15.83 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia447dj.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.04 грн
10+36.71 грн
100+20.65 грн
500+15.79 грн
1000+14.74 грн
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia447dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia447dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.