на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 11.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA447DJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA447DJ-T1-GE3 за ціною від 9.40 грн до 48.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA447DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA447DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 40620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA447DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V |
на замовлення 64098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA447DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 36273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIA447DJ-T1-GE3 Код товару: 188286
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
| SIA447DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |