Продукція > SIA

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U010S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-4040AI5S-1

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-812S-1

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-LT1121C5S-1

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-MA001S-1

на замовлення 601 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0051X

SOP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0241A01-10

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0291X01-A0

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426C01-SO

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426C02-SO

SAMSUNG

09+ SOP28

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426CO1-SO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-D0

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-DO

SIP

2001

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-DO

SAMSUNG

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0501X01-SO

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0686X01-AO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0902X01-AO

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0902X01-AOBO

на замовлення 4217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-007

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-EORO

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-QO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA1000T

SILICON

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA1000T

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.19 грн
6000+	21.57 грн
9000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.82 грн
500+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 63141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.80 грн
10+	58.19 грн
100+	35.12 грн
500+	29.32 грн
1000+	24.93 грн
3000+	22.18 грн
6000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 10023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.98 грн
10+	57.28 грн
100+	37.80 грн
500+	27.61 грн
1000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.65 грн
50+	62.44 грн
100+	41.82 грн
500+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.14 грн
500+	23.10 грн
1000+	19.53 грн
5000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.27 грн
10+	67.35 грн
100+	44.87 грн
500+	35.50 грн
1000+	28.43 грн
3000+	25.67 грн
6000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.30 грн
6000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.76 грн
19+	44.99 грн
100+	31.14 грн
500+	23.10 грн
1000+	19.53 грн
5000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.84 грн
10+	59.84 грн
100+	45.88 грн
500+	34.04 грн
1000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.47 грн
10+	66.43 грн
100+	44.08 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 31630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.02 грн
13+	68.37 грн
100+	46.16 грн
500+	32.01 грн
1000+	26.90 грн
5000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.64 грн
10+	61.70 грн
100+	41.08 грн
500+	32.30 грн
1000+	29.39 грн
3000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.71 грн
17+	51.00 грн
100+	34.39 грн
500+	23.41 грн
1000+	19.32 грн
5000+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V

на замовлення 10935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.74 грн
10+	48.09 грн
100+	28.50 грн
500+	23.89 грн
1000+	20.91 грн
3000+	17.64 грн
6000+	17.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

на замовлення 5339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.39 грн
500+	23.41 грн
1000+	19.32 грн
5000+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA1514-C

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-D0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-D0B0

на замовлення 756 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-DO

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01HO

N/A

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2220X01-IO

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2221A01-10

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2221A02-10

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2268

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2284A01-10

на замовлення 487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2297B

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2297B01

SAMSUNG

02+

на замовлення 7105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA3223-1R0M

на замовлення 3816 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 149957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.62 грн
10+	40.93 грн
100+	26.53 грн
500+	19.09 грн
1000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.84 грн
21+	40.65 грн
100+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	15.05 грн
817+	14.95 грн
976+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.42 грн
6000+	14.54 грн
9000+	13.89 грн
15000+	12.35 грн
21000+	11.94 грн
30000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	22.65 грн
31+	19.54 грн
32+	19.37 грн
100+	15.99 грн
250+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 23688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.89 грн
12+	30.12 грн
100+	18.90 грн
500+	16.22 грн
1000+	15.25 грн
3000+	12.50 грн
9000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA402A

на замовлення 472 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.08 грн
10+	67.44 грн
100+	44.78 грн
500+	32.89 грн
1000+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 159622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.89 грн
10+	68.21 грн
100+	45.30 грн
500+	33.29 грн
1000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

на замовлення 27540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.59 грн
10+	54.34 грн
100+	37.13 грн
500+	34.60 грн
1000+	27.83 грн
3000+	26.34 грн
6000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.54 грн
21+	29.69 грн
25+	29.57 грн
100+	26.77 грн
250+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	37.52 грн
18+	35.30 грн
25+	35.17 грн
100+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 17033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.88 грн
10+	36.04 грн
100+	28.03 грн
500+	22.29 грн
1000+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

на замовлення 37948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.87 грн
10+	41.25 грн
100+	27.91 грн
500+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

на замовлення 14250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 3725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.73 грн
6000+	17.09 грн
9000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.17 грн
20+	41.74 грн
100+	32.56 грн
500+	25.27 грн
1000+	19.89 грн
5000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.10 грн
10+	41.16 грн
100+	28.48 грн
500+	22.33 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V

на замовлення 2523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.00 грн
13+	64.61 грн
100+	49.00 грн
500+	38.52 грн
1000+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.63 грн
10+	65.89 грн
25+	57.00 грн
100+	44.72 грн
500+	35.79 грн
1000+	31.55 грн
3000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.40 грн
6000+	27.81 грн
15000+	26.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

на замовлення 2625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.00 грн
500+	38.52 грн
1000+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 53213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.64 грн
10+	61.70 грн
100+	48.10 грн
500+	37.29 грн
1000+	29.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

на замовлення 2702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.93 грн
21+	40.90 грн
100+	27.71 грн
500+	19.77 грн
1000+	15.81 грн
5000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.08 грн
13+	27.64 грн
100+	16.67 грн
500+	13.10 грн
1000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.30 грн
10+	39.84 грн
100+	29.74 грн
500+	21.93 грн
1000+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.71 грн
500+	19.77 грн
1000+	15.81 грн
5000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.81 грн
12+	28.14 грн
100+	20.99 грн
500+	15.48 грн
1000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.08 грн
13+	27.81 грн
100+	18.08 грн
500+	14.21 грн
1000+	11.31 грн
3000+	9.52 грн
9000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.28 грн
500+	14.81 грн
1000+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.83 грн
32+	26.71 грн
100+	21.04 грн
500+	15.04 грн
1000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
10+	31.55 грн
100+	21.94 грн
500+	16.08 грн
1000+	13.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 8625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.29 грн
500+	17.05 грн
1500+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.93 грн
6000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

на замовлення 8625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.25 грн
50+	29.63 грн
100+	21.29 грн
500+	17.05 грн
1500+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T4-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 22828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.25 грн
10+	33.49 грн
100+	23.27 грн
500+	17.05 грн
1000+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.71 грн
6000+	12.53 грн
9000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

на замовлення 138436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.45 грн
10+	37.57 грн
100+	22.77 грн
500+	17.78 грн
1000+	14.44 грн
3000+	11.91 грн
9000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 20785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.57 грн
10+	39.30 грн
100+	25.50 грн
500+	18.36 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 20675 шт:

термін постачання 881-890 дні (днів)

7+	50.61 грн
10+	42.79 грн
100+	27.76 грн
500+	22.25 грн
1000+	18.83 грн
3000+	16.97 грн
6000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.46 грн
500+	18.60 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 20300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.75 грн
6000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.18 грн
23+	37.23 грн
100+	25.46 грн
500+	18.60 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.58 грн
26+	33.31 грн
100+	22.79 грн
500+	18.53 грн
1000+	14.60 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 13935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.62 грн
10+	41.25 грн
100+	26.79 грн
500+	21.06 грн
1000+	16.30 грн
3000+	14.81 грн
9000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin Thin PowerPAK SC-70 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 96155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.60 грн
10+	40.65 грн
100+	24.11 грн
500+	20.17 грн
1000+	17.19 грн
3000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj

на замовлення 190 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.21 грн
500+	19.22 грн
1000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.25 грн
10+	44.18 грн
100+	28.76 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.92 грн
20+	42.49 грн
100+	26.21 грн
500+	19.22 грн
1000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.92 грн
6000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.69 грн
10+	62.48 грн
100+	48.58 грн
500+	38.64 грн
1000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.44 грн
10+	68.46 грн
100+	41.75 грн
500+	37.50 грн
1000+	32.30 грн
3000+	30.14 грн
6000+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.50 грн
13+	69.37 грн
100+	54.01 грн
500+	42.56 грн
1000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433DJ-T1-GE3

SIA 433DJ-T1-GE3 PPAK-SC70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.01 грн
6000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 9165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.87 грн
10+	47.07 грн
100+	28.28 грн
500+	23.59 грн
1000+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.82 грн
23+	26.55 грн
25+	26.28 грн
100+	21.91 грн
250+	20.08 грн
500+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 8146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.91 грн
10+	41.78 грн
100+	28.91 грн
500+	22.67 грн
1000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

432+	28.30 грн
499+	24.47 грн
504+	24.22 грн
650+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 432

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3.

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.46 грн
25+	30.16 грн
100+	24.38 грн
250+	21.91 грн
500+	19.02 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 178022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.40 грн
10+	44.67 грн
100+	29.77 грн
500+	23.51 грн
1000+	18.83 грн
3000+	18.16 грн
6000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 81066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.55 грн
500+	22.94 грн
1000+	19.18 грн
5000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 9521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.96 грн
10+	38.83 грн
100+	27.21 грн
500+	21.72 грн
1000+	19.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

на замовлення 81066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.84 грн
23+	36.73 грн
100+	27.55 грн
500+	22.94 грн
1000+	19.18 грн
5000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.07 грн
6000+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T4-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 23997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.15 грн
11+	32.86 грн
100+	19.50 грн
1000+	11.39 грн
3000+	9.52 грн
9000+	8.78 грн
24000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.60 грн
500+	10.31 грн
1000+	9.02 грн
5000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 5510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
11+	28.68 грн
100+	17.22 грн
500+	14.96 грн
1000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.39 грн
39+	21.79 грн
100+	11.60 грн
500+	10.31 грн
1000+	9.02 грн
5000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 122010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.08 грн
24+	35.73 грн
100+	28.97 грн
500+	21.94 грн
1000+	17.74 грн
5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 22247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

на замовлення 122315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.97 грн
500+	21.94 грн
1000+	17.74 грн
5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 258418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.85 грн
10+	47.58 грн
100+	28.20 грн
500+	23.59 грн
1000+	20.09 грн
3000+	16.74 грн
6000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA438EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III

на замовлення 1496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 132351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.32 грн
33+	25.79 грн
100+	20.45 грн
500+	15.12 грн
1000+	12.59 грн
5000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	39.20 грн
25+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 15985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.83 грн
14+	22.63 грн
100+	17.52 грн
500+	14.24 грн
1000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.34 грн
6000+	11.91 грн
9000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 162171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.08 грн
16+	21.99 грн
100+	14.81 грн
500+	12.87 грн
1000+	12.35 грн
3000+	9.45 грн
9000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 24126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

432+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 432

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3
Код товару: 192984

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.68 грн
6000+	9.94 грн
9000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.01 грн
6000+	10.64 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.33 грн
6000+	14.48 грн
9000+	13.84 грн
15000+	12.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 127839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.90 грн
10+	39.28 грн
100+	24.78 грн
500+	20.17 грн
1000+	17.64 грн
3000+	14.29 грн
9000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

на замовлення 7473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.38 грн
500+	23.64 грн
1500+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 28917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.93 грн
10+	40.31 грн
100+	27.26 грн
500+	20.11 грн
1000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

на замовлення 6165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.35 грн
50+	44.83 грн
100+	33.56 грн
500+	24.49 грн
1500+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.71 грн
10+	41.94 грн
100+	29.02 грн
500+	22.76 грн
1000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.91 грн
25+	33.81 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 5347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.17 грн
20+	43.24 грн
100+	29.97 грн
500+	23.25 грн
1000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.44 грн
10+	42.87 грн
100+	25.45 грн
500+	21.28 грн
1000+	18.08 грн
3000+	17.49 грн
6000+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

на замовлення 6539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.86 грн
10+	44.96 грн
100+	29.33 грн
500+	21.22 грн
1000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.88 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
11+	28.45 грн
100+	19.80 грн
500+	14.51 грн
1000+	11.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 105122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
11+	32.09 грн
100+	19.42 грн
500+	15.18 грн
1000+	12.35 грн
3000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.96 грн
6000+	16.83 грн
9000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.42 грн
17+	36.87 грн
25+	36.38 грн
100+	25.54 грн
250+	23.41 грн
500+	19.73 грн
1000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V

на замовлення 9567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.28 грн
10+	46.43 грн
100+	30.26 грн
500+	21.90 грн
1000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 36273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.84 грн
12+	29.95 грн
100+	17.71 грн
500+	14.59 грн
1000+	13.02 грн
3000+	10.42 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.81 грн
6000+	10.95 грн
9000+	10.52 грн
15000+	9.76 грн
21000+	9.61 грн
30000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3
Код товару: 188286

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	18.34 грн
3000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

522+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 522

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 64098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
13+	24.65 грн
100+	18.15 грн
500+	15.06 грн
1000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 40620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.47 грн
36+	23.29 грн
100+	17.28 грн
500+	13.80 грн
1000+	11.23 грн
5000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V

на замовлення 3699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 80709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.08 грн
11+	30.08 грн
100+	20.30 грн
500+	14.48 грн
1000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.51 грн
12+	30.12 грн
100+	19.57 грн
500+	15.40 грн
1000+	11.91 грн
3000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.32 грн
27+	31.47 грн
100+	19.12 грн
500+	13.88 грн
1000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 80709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.54 грн
6000+	10.59 грн
9000+	9.84 грн
15000+	9.17 грн
21000+	8.85 грн
30000+	8.54 грн
75000+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.88 грн
16+	54.18 грн
100+	38.15 грн
500+	31.78 грн
1000+	27.33 грн
5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	46.74 грн
100+	33.99 грн
500+	30.51 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 273-282 дні (днів)

5+	72.67 грн
10+	58.53 грн
100+	39.66 грн
500+	33.64 грн
1000+	32.00 грн
6000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.84 грн
6000+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

на замовлення 10223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.15 грн
500+	31.78 грн
1000+	27.33 грн
5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

5+	75.88 грн
10+	66.49 грн
100+	45.09 грн
500+	37.28 грн
1000+	29.47 грн
2500+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 16938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
11+	28.37 грн
100+	19.74 грн
500+	14.47 грн
1000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 58030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.07 грн
26+	32.47 грн
100+	24.29 грн
500+	17.67 грн
1000+	12.66 грн
5000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.63 грн
6000+	10.63 грн
9000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 120880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.05 грн
10+	34.40 грн
100+	21.28 грн
500+	16.30 грн
1000+	13.62 грн
3000+	11.01 грн
6000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
12+	26.28 грн
100+	17.77 грн
500+	12.82 грн
1000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 45249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 20010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.11 грн
500+	10.00 грн
1000+	9.09 грн
5000+	8.87 грн
10000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.03 грн
6000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

на замовлення 16005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.82 грн
31+	27.21 грн
100+	18.70 грн
500+	13.72 грн
1000+	10.80 грн
5000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 19630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.90 грн
31+	27.05 грн
100+	20.20 грн
500+	13.49 грн
1000+	9.80 грн
5000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.06 грн
6000+	9.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

на замовлення 19630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.20 грн
500+	13.49 грн
1000+	9.80 грн
5000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 8047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.78 грн
13+	24.57 грн
100+	17.08 грн
500+	12.52 грн
1000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA465EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.44 грн
10+	41.50 грн
100+	25.67 грн
500+	21.73 грн
1000+	18.60 грн
3000+	17.04 грн
6000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.46 грн
100+	16.82 грн
250+	15.56 грн
500+	14.92 грн
1000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	19.83 грн
619+	19.72 грн
1000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.80 грн
500+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 6385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.27 грн
10+	41.01 грн
100+	28.64 грн
500+	22.95 грн
1000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

652+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 652

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 78661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.57 грн
10+	43.81 грн
100+	28.50 грн
500+	22.40 грн
1000+	17.26 грн
3000+	15.78 грн
6000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.13 грн
10+	44.11 грн
100+	32.93 грн
500+	24.28 грн
1000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.28 грн
500+	14.11 грн
1000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 111295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
15+	21.08 грн
100+	13.24 грн
500+	11.25 грн
1000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	25.64 грн
71+	15.35 грн
196+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 153660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.38 грн
14+	26.27 грн
100+	13.47 грн
1000+	9.23 грн
3000+	7.96 грн
9000+	7.29 грн
24000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

790+	15.45 грн
795+	15.35 грн
942+	12.97 грн
1000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 790

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 18635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.99 грн
50+	26.80 грн
100+	12.52 грн
500+	10.77 грн
1500+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.07 грн
6000+	7.08 грн
9000+	6.73 грн
15000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	17.88 грн
744+	16.41 грн
752+	16.24 грн
772+	15.26 грн
1000+	14.05 грн
3000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.85 грн
50+	40.57 грн
100+	27.71 грн
500+	21.39 грн
1500+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.16 грн
6000+	14.31 грн
9000+	13.92 грн
15000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 153346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.24 грн
12+	30.89 грн
100+	20.69 грн
500+	18.01 грн
1000+	16.30 грн
3000+	15.11 грн
6000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.31 грн
37+	16.60 грн
100+	14.69 грн
250+	13.47 грн
500+	12.59 грн
1000+	12.52 грн
3000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.13 грн
500+	19.38 грн
1500+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 21767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.42 грн
12+	25.89 грн
100+	19.97 грн
500+	16.25 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJGE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

на замовлення 58890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.59 грн
11+	33.12 грн
100+	20.02 грн
500+	15.63 грн
1000+	12.72 грн
3000+	10.19 грн
9000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 13346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.25 грн
12+	26.20 грн
100+	17.84 грн
500+	13.12 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 64601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.76 грн
11+	32.01 грн
100+	20.61 грн
500+	15.78 грн
1000+	12.65 грн
3000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.48 грн
6000+	10.21 грн
9000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.42 грн
14+	22.87 грн
100+	15.51 грн
500+	11.36 грн
1000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.65 грн
32+	26.80 грн
100+	16.28 грн
500+	13.80 грн
1000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 87617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.45 грн
10+	34.57 грн
100+	20.46 грн
500+	15.40 грн
1000+	11.53 грн
3000+	10.49 грн
6000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

P Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.28 грн
500+	13.80 грн
1000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 67217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.38 грн
12+	30.89 грн
100+	19.79 грн
500+	15.63 грн
1000+	12.72 грн
3000+	10.72 грн
9000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.52 грн
6000+	10.73 грн
9000+	10.45 грн
15000+	9.49 грн
21000+	9.16 грн
30000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.65 грн
63+	17.39 грн
173+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 50603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.05 грн
12+	27.44 грн
100+	19.96 грн
500+	14.77 грн
1000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 72861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.51 грн
13+	26.61 грн
100+	16.07 грн
500+	12.50 грн
1000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.64 грн
500+	26.04 грн
1500+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 28951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.40 грн
10+	38.52 грн
100+	25.00 грн
500+	18.01 грн
1000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.44 грн
11+	36.97 грн
49+	18.53 грн
135+	17.52 грн
1000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

на замовлення 7423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.36 грн
50+	47.75 грн
100+	35.64 грн
500+	26.04 грн
1500+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 84205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.95 грн
10+	43.13 грн
100+	25.97 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.04 грн
3000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 28950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.73 грн
6000+	13.05 грн
9000+	12.93 грн
15000+	11.68 грн
21000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.13 грн
10+	46.08 грн
49+	22.23 грн
135+	21.02 грн
1000+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3
Код товару: 164618

Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 120212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.79 грн
500+	19.07 грн
1000+	14.24 грн
5000+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 295244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.47 грн
10+	35.50 грн
100+	24.68 грн
500+	18.09 грн
1000+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

на замовлення 119980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.42 грн
25+	34.31 грн
100+	27.38 грн
500+	18.60 грн
1000+	14.52 грн
5000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET

на замовлення 72942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	38.85 грн
100+	24.11 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.12 грн
3000+	12.50 грн
9000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 291000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.54 грн
6000+	13.29 грн
9000+	12.34 грн
30000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

на замовлення 48270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.30 грн
10+	35.34 грн
100+	20.84 грн
500+	16.82 грн
1000+	14.88 грн
3000+	11.68 грн
9000+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 26510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.13 грн
500+	18.22 грн
1000+	11.52 грн
5000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	29.25 грн
25+	24.92 грн
100+	19.36 грн
250+	16.31 грн
500+	14.10 грн
1000+	12.72 грн
3000+	10.67 грн
6000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.44 грн
10+	32.71 грн
100+	22.77 грн
500+	16.69 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.01 грн
24+	35.81 грн
100+	24.29 грн
500+	17.60 грн
1000+	14.67 грн
5000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.42 грн
6000+	12.27 грн
9000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.84 грн
21+	40.65 грн
100+	30.39 грн
500+	22.09 грн
1000+	15.81 грн
5000+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.08 грн
6000+	12.86 грн
9000+	12.51 грн
15000+	11.31 грн
21000+	10.94 грн
30000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.47 грн
500+	18.29 грн
1000+	14.31 грн
5000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 35642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
10+	35.42 грн
100+	24.98 грн
500+	17.50 грн
1000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 101595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.65 грн
10+	35.94 грн
100+	21.95 грн
500+	19.12 грн
1000+	15.40 грн
3000+	12.95 грн
9000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 4069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.94 грн
30+	20.74 грн
31+	19.95 грн
100+	18.48 грн
250+	16.14 грн
500+	14.50 грн
1000+	12.89 грн
3000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.16 грн
6000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.66 грн
10+	43.47 грн
100+	26.27 грн
500+	20.54 грн
1000+	16.67 грн
3000+	14.14 грн
9000+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 8395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.30 грн
10+	39.45 грн
100+	27.43 грн
500+	20.10 грн
1000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA777EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.98 грн
10+	40.39 грн
100+	22.77 грн
500+	17.34 грн
1000+	15.63 грн
3000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

на замовлення 2751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.79 грн
10+	37.36 грн
100+	24.20 грн
500+	17.35 грн
1000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-TI-E3

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	29.38 грн
35+	23.87 грн
100+	20.37 грн
500+	15.43 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 7824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.56 грн
16+	20.46 грн
100+	17.39 грн
500+	14.51 грн
1000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.37 грн
500+	15.43 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.92 грн
6000+	10.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 50645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
14+	25.59 грн
100+	19.05 грн
500+	16.45 грн
1000+	13.69 грн
3000+	10.86 грн
6000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.21 грн
500+	17.67 грн
1000+	15.31 грн
5000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 55048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.87 грн
10+	38.34 грн
100+	22.85 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.12 грн
3000+	13.17 грн
9000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 116960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.08 грн
10+	36.90 грн
100+	25.63 грн
500+	18.78 грн
1000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

на замовлення 4769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.66 грн
27+	31.64 грн
100+	24.21 грн
500+	19.38 грн
1000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.10 грн
6000+	13.80 грн
9000+	12.81 грн
30000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	82.26 грн
238+	51.45 грн
366+	33.35 грн
367+	32.06 грн
500+	22.79 грн
1000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 110725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	36.97 грн
100+	23.14 грн
500+	17.71 грн
1000+	14.66 грн
3000+	13.32 грн
6000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

на замовлення 5 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.44 грн
10+	32.71 грн
100+	22.77 грн
500+	16.69 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.92 грн
6000+	15.89 грн
9000+	15.19 грн
15000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	20.42 грн
32+	18.98 грн
100+	16.50 грн
250+	15.12 грн
500+	13.52 грн
1000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 51588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.15 грн
29+	28.97 грн
100+	21.12 грн
500+	17.05 грн
1000+	14.95 грн
5000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.25 грн
10+	44.18 грн
100+	28.76 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 170097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.05 грн
10+	34.40 грн
100+	21.28 грн
500+	20.17 грн
1000+	17.19 грн
3000+	14.73 грн
6000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911ADJ-T1-GE3

MOSFETs 20V 4.5A 6.5W

на замовлення 4131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.85 грн
10+	40.99 грн
100+	23.14 грн
500+	17.71 грн
1000+	15.63 грн
3000+	13.54 грн
6000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T1-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T5-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V

на замовлення 5279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.68 грн
10+	43.13 грн
100+	24.18 грн
500+	18.60 грн
1000+	16.59 грн
3000+	13.62 грн
6000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.30 грн
6000+	12.77 грн
9000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.91 грн
10+	32.09 грн
100+	21.92 грн
500+	16.21 грн
1000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-GE3

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH

на замовлення 7235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3CT

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA915DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA918EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA918EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.24 грн
30+	28.38 грн
100+	19.37 грн
500+	15.66 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
10+	31.78 грн
100+	23.70 грн
500+	17.48 грн
1000+	13.50 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 12390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.76 грн
12+	28.92 грн
100+	17.19 грн
500+	14.96 грн
1000+	12.28 грн
3000+	10.72 грн
9000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA920DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA920DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.63 грн
500+	20.31 грн
1000+	17.74 грн
5000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 64927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.33 грн
10+	44.67 грн
100+	26.49 грн
500+	21.80 грн
1000+	18.83 грн
3000+	15.92 грн
6000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

на замовлення 6862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.43 грн
19+	44.58 грн
100+	27.63 грн
500+	20.31 грн
1000+	17.74 грн
5000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.22 грн
10+	42.96 грн
100+	25.52 грн
500+	21.28 грн
1000+	18.16 грн
3000+	16.15 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

на замовлення 6916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.38 грн
10+	44.84 грн
100+	26.19 грн
500+	20.17 грн
1000+	17.71 грн
3000+	14.96 грн
6000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 21563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.23 грн
10+	41.08 грн
100+	26.69 грн
500+	19.23 грн
1000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.57 грн
6000+	14.68 грн
9000+	14.03 грн
15000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 35755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.05 грн
18+	48.83 грн
100+	32.14 грн
500+	21.16 грн
1000+	17.67 грн
5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.25 грн
10+	44.03 грн
100+	28.76 грн
500+	20.80 грн
1000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 25342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.69 грн
10+	50.58 грн
25+	43.90 грн
100+	28.57 грн
500+	22.03 грн
1000+	20.02 грн
3000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

на замовлення 35755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.14 грн
500+	21.16 грн
1000+	17.67 грн
5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.87 грн
10+	43.22 грн
100+	25.52 грн
500+	21.28 грн
1000+	18.16 грн
3000+	16.07 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

на замовлення 16282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.99 грн
14+	24.65 грн
100+	17.49 грн
500+	15.78 грн
1000+	12.65 грн
3000+	11.24 грн
9000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.17 грн
16+	20.31 грн
100+	16.55 грн
500+	14.24 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA928DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 17787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.05 грн
500+	23.87 грн
1000+	19.96 грн
5000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.98 грн
10+	41.94 грн
100+	28.63 грн
500+	21.93 грн
1000+	19.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 3154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.85 грн
10+	46.13 грн
100+	27.46 грн
500+	22.03 грн
1000+	20.24 грн
3000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

на замовлення 17787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.54 грн
18+	46.41 грн
100+	31.05 грн
500+	23.87 грн
1000+	19.96 грн
5000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 261096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.11 грн
11+	31.75 грн
100+	21.13 грн
500+	17.04 грн
1000+	13.32 грн
3000+	12.13 грн
6000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 261665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.08 грн
25+	34.56 грн
100+	25.79 грн
500+	17.36 грн
1000+	12.38 грн
5000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 28837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.42 грн
12+	26.12 грн
100+	20.05 грн
500+	15.36 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.93 грн
6000+	11.19 грн
9000+	11.02 грн
15000+	9.99 грн
21000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 261665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.79 грн
500+	17.36 грн
1000+	12.38 грн
5000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.01 грн
10+	39.45 грн
100+	25.68 грн
500+	18.52 грн
1000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 20V

на замовлення 2630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.09 грн
10+	40.73 грн
100+	24.18 грн
500+	18.68 грн
1000+	16.89 грн
3000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.24 грн
6000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.38 грн
6000+	15.10 грн
9000+	14.87 грн
15000+	13.25 грн
21000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 17970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.22 грн
10+	40.99 грн
100+	25.52 грн
500+	21.28 грн
1000+	18.16 грн
3000+	15.92 грн
6000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 39599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.64 грн
10+	42.87 грн
100+	27.95 грн
500+	20.23 грн
1000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.54 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 7210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.30 грн
10+	31.24 грн
100+	21.34 грн
500+	15.77 грн
1000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.67 грн
24+	35.23 грн
100+	24.04 грн
500+	19.46 грн
1000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 20113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.78 грн
10+	39.19 грн
100+	24.63 грн
500+	18.90 грн
1000+	15.92 грн
3000+	13.39 грн
9000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.02 грн
10+	36.63 грн
100+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

на замовлення 5363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.74 грн
10+	46.51 грн
100+	35.65 грн
500+	26.45 грн
1000+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3