Продукція > SIA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIA-1573
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1574
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1575
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1663S-1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U010S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U015S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U025S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U040S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U050S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U075S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U090S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U010S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U015S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U025S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U040S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U050S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U075S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U090S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-4040AI5S-1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-812S-1
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-LT1121C5S-1
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-MA001S-1
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0051XSOP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0241A01-10
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0291X01-A0
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426C01-SO
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426C02-SOSAMSUNG09+ SOP28
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426CO1-SO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0427B01-D0
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0427B01-DOSAMSUNG2
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0501X01-SO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA05D-500----DIP-реле, SIL 1xA 5V 500R, 19,8x5,08x7,8 Група товару: Реле електромеханічні та геркони Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0686X01-AO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0900A01-A0
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0902X01-AO
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0902X01-AOBO
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-007
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-EORO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-QO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA1000T.09+ .
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.75 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.56 грн
10+55.82 грн
100+36.83 грн
500+26.90 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+52.44 грн
100+31.52 грн
500+24.54 грн
1000+22.24 грн
3000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.41 грн
50+60.85 грн
100+40.75 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.57 грн
6000+21.02 грн
9000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.61 грн
6000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.40 грн
10+63.10 грн
100+42.04 грн
500+33.26 грн
1000+26.63 грн
3000+24.05 грн
6000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.32 грн
50+63.29 грн
100+42.05 грн
500+28.17 грн
1500+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.03 грн
10+58.31 грн
100+44.71 грн
500+33.17 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.05 грн
500+28.17 грн
1500+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.05 грн
500+28.25 грн
1000+23.71 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.97 грн
15+55.23 грн
100+42.05 грн
500+28.25 грн
1000+23.71 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.68 грн
10+64.73 грн
100+42.96 грн
500+31.55 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.18 грн
10+57.81 грн
100+38.49 грн
500+30.26 грн
1000+27.54 грн
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.51 грн
500+22.81 грн
1000+18.83 грн
5000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 10761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.19 грн
10+45.14 грн
100+26.49 грн
500+20.78 грн
1000+18.83 грн
3000+16.18 грн
6000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.80 грн
17+49.70 грн
100+33.51 грн
500+22.81 грн
1000+18.83 грн
5000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA1514-C
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-D0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-D0B0
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-DO
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01HON/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2220X01-IO
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2221A01-10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2221A02-10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2268
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2284A01-10
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2297B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2297B01SAMSUNG02+
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA3223-1R0M
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.20 грн
10+34.72 грн
100+21.41 грн
500+16.45 грн
1000+14.78 грн
3000+11.23 грн
6000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+15.92 грн
817+15.81 грн
976+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.00 грн
6000+14.17 грн
9000+13.53 грн
15000+12.03 грн
21000+11.64 грн
30000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.65 грн
31+23.85 грн
32+23.65 грн
100+19.51 грн
250+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.51 грн
21+39.61 грн
100+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 149957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+39.88 грн
100+25.85 грн
500+18.60 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA402A
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.25 грн
10+65.71 грн
100+43.64 грн
500+32.05 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.68 грн
6000+22.96 грн
9000+22.06 грн
15000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V
на замовлення 24470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.04 грн
10+45.94 грн
100+32.91 грн
500+28.59 грн
1000+26.08 грн
3000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.27 грн
21+36.24 грн
25+36.09 грн
100+32.68 грн
250+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 141390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.60 грн
100+39.59 грн
500+29.10 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.67 грн
10+38.65 грн
100+26.15 грн
500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
10+35.12 грн
100+27.31 грн
500+21.73 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.79 грн
18+43.09 грн
25+42.93 грн
100+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.25 грн
6000+16.65 грн
9000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.89 грн
20+40.67 грн
100+31.72 грн
500+24.62 грн
1000+19.38 грн
5000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 38318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.37 грн
14+23.73 грн
100+17.29 грн
3000+16.73 грн
6000+15.34 грн
9000+14.36 грн
24000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
на замовлення 9559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.85 грн
10+40.11 грн
100+27.75 грн
500+21.76 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.75 грн
500+37.54 грн
1000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.70 грн
10+71.68 грн
100+41.35 грн
500+32.42 грн
1000+29.63 грн
3000+25.94 грн
6000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 53213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.81 грн
10+60.12 грн
100+46.87 грн
500+36.33 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.55 грн
13+62.96 грн
100+47.75 грн
500+37.54 грн
1000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.62 грн
6000+27.10 грн
15000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.01 грн
500+19.26 грн
1000+15.41 грн
5000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
10+38.82 грн
100+28.98 грн
500+21.37 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 20V 7.5A
на замовлення 21750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+36.96 грн
100+20.85 грн
500+16.04 грн
1000+14.43 грн
3000+12.34 грн
6000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.43 грн
21+39.86 грн
100+27.01 грн
500+19.26 грн
1000+15.41 грн
5000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.60 грн
26+31.32 грн
100+20.17 грн
500+14.28 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 20V 7.8A
на замовлення 20983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
14+23.17 грн
100+16.04 грн
500+12.20 грн
1000+10.74 грн
3000+9.13 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.77 грн
500+14.43 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
12+27.42 грн
100+20.45 грн
500+15.08 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.98 грн
50+37.42 грн
100+25.38 грн
500+17.98 грн
1500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.04 грн
10+34.67 грн
100+22.40 грн
500+16.07 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.38 грн
500+17.98 грн
1500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
6000+11.95 грн
9000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.26 грн
10+33.91 грн
100+21.94 грн
500+15.76 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
на замовлення 138436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.65 грн
10+35.20 грн
100+21.34 грн
500+16.66 грн
1000+13.53 грн
3000+11.16 грн
9000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.81 грн
500+18.13 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.04 грн
10+38.30 грн
100+24.85 грн
500+17.89 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.79 грн
23+36.28 грн
100+24.81 грн
500+18.13 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 881-890 дні (днів)
7+47.42 грн
10+40.09 грн
100+26.01 грн
500+20.85 грн
1000+17.64 грн
3000+15.90 грн
6000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.34 грн
26+32.46 грн
100+22.21 грн
500+18.05 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.70 грн
11+31.83 грн
100+18.48 грн
500+14.99 грн
1000+13.53 грн
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+38.07 грн
100+24.78 грн
500+17.88 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.62 грн
20+41.40 грн
100+25.54 грн
500+18.73 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 75082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.46 грн
10+40.65 грн
100+23.08 грн
500+17.78 грн
1000+16.04 грн
3000+13.94 грн
6000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.44 грн
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.54 грн
500+18.73 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+60.88 грн
100+47.34 грн
500+37.66 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.99 грн
13+67.60 грн
100+52.63 грн
500+41.47 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.99 грн
10+64.15 грн
100+39.11 грн
500+35.14 грн
1000+30.26 грн
3000+28.24 грн
6000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.63 грн
10+40.71 грн
100+28.17 грн
500+22.09 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.07 грн
10+48.27 грн
100+28.45 грн
500+22.80 грн
1000+20.29 грн
3000+18.96 грн
6000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.53 грн
6000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 77386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+42.75 грн
100+27.91 грн
500+20.19 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 178022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.16 грн
10+41.86 грн
100+27.89 грн
500+22.03 грн
1000+17.64 грн
3000+17.01 грн
6000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.60 грн
50+48.32 грн
100+31.56 грн
500+22.58 грн
1500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.18 грн
25+36.81 грн
100+29.75 грн
250+26.74 грн
500+23.22 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
6000+15.50 грн
9000+14.83 грн
15000+13.21 грн
21000+12.79 грн
30000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.56 грн
500+22.58 грн
1500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VishaySIA4371EDJ-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 22497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.86 грн
12+27.50 грн
100+15.34 грн
500+11.64 грн
1000+10.39 грн
3000+9.41 грн
6000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.045 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.99 грн
29+28.06 грн
100+18.06 грн
500+11.71 грн
1000+9.62 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
11+27.95 грн
100+16.78 грн
500+14.58 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4371EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.045 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.06 грн
500+11.71 грн
1000+9.62 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.75 грн
500+20.39 грн
1000+17.01 грн
5000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 119845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.32 грн
18+46.77 грн
100+30.59 грн
500+20.24 грн
1000+16.87 грн
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 253923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.04 грн
10+53.56 грн
100+30.61 грн
500+23.78 грн
1000+21.54 грн
3000+18.62 грн
6000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA438EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA438EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
6000+14.54 грн
9000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 15985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
14+22.06 грн
100+17.07 грн
500+13.88 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 24126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3
Код товару: 192984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
6000+11.25 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
6000+9.69 грн
9000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 86277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
14+23.41 грн
100+16.11 грн
500+13.39 грн
1000+12.06 грн
3000+8.85 грн
6000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.61 грн
33+24.97 грн
100+19.85 грн
500+13.45 грн
1000+11.23 грн
5000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.85 грн
25+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 111109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.23 грн
10+40.73 грн
100+23.08 грн
500+17.78 грн
1000+16.04 грн
3000+13.81 грн
6000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 32209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.46 грн
10+40.56 грн
100+26.43 грн
500+19.07 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.88 грн
50+47.02 грн
100+30.59 грн
500+21.90 грн
1500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VishayMOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
6000+14.60 грн
9000+13.95 грн
15000+12.42 грн
21000+12.02 грн
30000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.63 грн
500+23.04 грн
1500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.80 грн
17+48.89 грн
100+32.70 грн
500+22.43 грн
1000+18.20 грн
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.70 грн
500+22.43 грн
1000+18.20 грн
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.42 грн
10+40.86 грн
100+28.28 грн
500+22.18 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.46 грн
10+40.26 грн
100+26.28 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.17 грн
500+19.94 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.39 грн
10+40.17 грн
100+23.85 грн
500+19.94 грн
1000+16.94 грн
3000+16.39 грн
6000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.89 грн
20+42.14 грн
100+29.20 грн
500+22.66 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 66877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.97 грн
11+30.31 грн
100+17.92 грн
500+13.67 грн
1000+12.13 грн
3000+10.53 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
11+27.72 грн
100+19.30 грн
500+14.14 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.76 грн
6000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.34 грн
6000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.67 грн
10+40.18 грн
100+26.23 грн
500+18.97 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 46406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.62 грн
10+42.58 грн
100+24.96 грн
500+19.87 грн
1000+17.92 грн
3000+15.06 грн
6000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
6000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.59 грн
6000+12.01 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3
Код товару: 188286
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 21659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.19 грн
10+36.80 грн
100+20.71 грн
500+15.83 грн
1000+14.29 грн
3000+12.20 грн
6000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
522+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 522
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.21 грн
24+35.06 грн
100+22.70 грн
500+16.09 грн
1000+13.39 грн
5000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.26 грн
10+34.29 грн
100+22.14 грн
500+15.87 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 5742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.38 грн
3000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.31 грн
27+30.67 грн
100+18.63 грн
500+13.52 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
12+28.22 грн
100+18.34 грн
500+14.43 грн
1000+11.16 грн
3000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
6000+11.62 грн
9000+11.09 грн
15000+9.84 грн
21000+9.50 грн
30000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 51600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.69 грн
10+33.31 грн
100+21.50 грн
500+15.39 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.35 грн
500+29.76 грн
1000+26.91 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.68 грн
6000+22.96 грн
9000+22.06 грн
15000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
5+68.09 грн
10+54.84 грн
100+37.16 грн
500+31.52 грн
1000+29.98 грн
6000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.13 грн
19+43.19 грн
100+33.35 грн
500+29.76 грн
1000+26.91 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.60 грн
100+39.59 грн
500+29.10 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3VishayN-Channel 200 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
5+71.09 грн
10+62.30 грн
100+42.25 грн
500+34.93 грн
1000+27.61 грн
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
6000+10.36 грн
9000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
11+27.65 грн
100+19.24 грн
500+14.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 117545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+38.97 грн
100+21.96 грн
500+16.80 грн
1000+15.20 грн
3000+13.04 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.79 грн
22+37.09 грн
100+24.08 грн
500+17.07 грн
1000+14.22 грн
5000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+14.35 грн
1000+11.09 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.98 грн
14+24.54 грн
100+15.62 грн
500+11.92 грн
1000+10.53 грн
3000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.34 грн
31+26.36 грн
100+19.20 грн
500+14.35 грн
1000+11.09 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
11+28.10 грн
100+18.01 грн
500+12.81 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.69 грн
500+13.14 грн
1000+9.55 грн
5000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.02 грн
13+23.94 грн
100+16.64 грн
500+12.20 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.91 грн
31+26.36 грн
100+19.69 грн
500+13.14 грн
1000+9.55 грн
5000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 54456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
10+35.68 грн
100+24.05 грн
500+19.87 грн
1000+17.99 грн
3000+15.34 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 652
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
10+33.76 грн
100+26.16 грн
500+20.26 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.31 грн
100+20.54 грн
250+18.99 грн
500+18.21 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+20.98 грн
619+20.87 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 616
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.06 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 78661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.32 грн
10+41.05 грн
100+26.70 грн
500+20.99 грн
1000+16.18 грн
3000+14.78 грн
6000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.77 грн
10+42.98 грн
100+32.09 грн
500+23.66 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.32 грн
500+12.16 грн
1500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 73228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
13+23.49 грн
100+15.11 грн
500+10.70 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+16.35 грн
795+16.24 грн
942+13.72 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.44 грн
50+22.78 грн
100+14.32 грн
500+12.16 грн
1500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.67 грн
6000+6.73 грн
9000+6.40 грн
15000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 100872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.70 грн
11+30.39 грн
100+16.94 грн
500+12.90 грн
1000+11.57 грн
3000+9.83 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.13 грн
37+20.26 грн
100+17.93 грн
250+16.44 грн
500+15.37 грн
1000+15.28 грн
3000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.10 грн
500+21.75 грн
1500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
12+25.23 грн
100+19.46 грн
500+15.84 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+18.91 грн
744+17.36 грн
752+17.18 грн
772+16.14 грн
1000+14.86 грн
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 139764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.96 грн
10+42.82 грн
100+24.33 грн
500+18.76 грн
1000+16.94 грн
3000+14.64 грн
6000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.29 грн
50+41.16 грн
100+30.10 грн
500+21.75 грн
1500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
6000+13.95 грн
9000+13.57 грн
15000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJGE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch
на замовлення 55829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.36 грн
11+31.75 грн
100+18.34 грн
500+13.94 грн
1000+12.55 грн
3000+9.20 грн
6000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 55957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+39.13 грн
100+22.03 грн
500+16.94 грн
1000+15.20 грн
3000+13.04 грн
6000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
на замовлення 13346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.22 грн
12+25.53 грн
100+17.39 грн
500+12.79 грн
1000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.19 грн
6000+9.95 грн
9000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.86 грн
500+13.45 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
14+22.28 грн
100+15.11 грн
500+11.07 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.61 грн
32+26.11 грн
100+15.86 грн
500+13.45 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 P-CH 30V 10.6A
на замовлення 75695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.73 грн
11+31.67 грн
100+17.78 грн
500+13.53 грн
1000+12.20 грн
3000+10.39 грн
6000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 87150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+32.56 грн
100+20.97 грн
500+15.00 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 67217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
12+28.95 грн
100+18.55 грн
500+14.64 грн
1000+11.92 грн
3000+10.04 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.30 грн
9000+10.78 грн
15000+9.56 грн
21000+9.23 грн
30000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 48660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.59 грн
10+35.84 грн
100+20.29 грн
500+15.55 грн
1000+13.94 грн
3000+11.99 грн
6000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA513DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+33.10 грн
500+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.40 грн
6000+13.08 грн
9000+12.31 грн
15000+11.12 грн
21000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.43 грн
500+23.87 грн
1500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.84 грн
11+39.19 грн
50+27.28 грн
100+23.33 грн
500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3
Код товару: 164618
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 22278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.63 грн
100+23.80 грн
500+17.15 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.84 грн
10+41.61 грн
100+23.57 грн
500+18.13 грн
1000+16.32 грн
3000+16.25 грн
6000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.44 грн
50+46.53 грн
100+30.18 грн
500+25.38 грн
1500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.18 грн
25+33.27 грн
100+25.14 грн
500+16.47 грн
1000+13.74 грн
5000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.43 грн
9000+12.83 грн
15000+11.40 грн
21000+11.03 грн
30000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.14 грн
500+16.47 грн
1000+13.74 грн
5000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 74733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.77 грн
100+24.50 грн
500+17.63 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET
на замовлення 72942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.24 грн
10+36.40 грн
100+22.59 грн
500+17.78 грн
1000+16.04 грн
3000+11.71 грн
9000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA5213DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+32.25 грн
100+20.89 грн
500+14.98 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
на замовлення 16003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.70 грн
10+34.72 грн
100+19.59 грн
500+14.99 грн
1000+13.53 грн
3000+13.46 грн
6000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.55 грн
21+38.96 грн
100+25.30 грн
500+17.90 грн
1000+14.92 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.70 грн
25+30.42 грн
100+23.63 грн
250+19.90 грн
500+17.21 грн
1000+15.53 грн
3000+13.02 грн
6000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.30 грн
500+17.90 грн
1000+14.92 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.52 грн
500+27.12 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 215/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 58504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.77 грн
100+24.50 грн
500+17.63 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
14+58.57 грн
100+36.52 грн
500+27.12 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.43 грн
9000+12.83 грн
15000+11.40 грн
21000+11.03 грн
30000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 74631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.58 грн
10+37.93 грн
100+21.41 грн
500+16.45 грн
1000+14.78 грн
3000+12.69 грн
6000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA537EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.96 грн
500+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA537EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.49 грн
12+73.94 грн
100+45.96 грн
500+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-20V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-20V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 165/104mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25/16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA777EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.41 грн
100+23.58 грн
500+16.91 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.85 грн
10+34.72 грн
100+19.59 грн
500+14.99 грн
1000+13.53 грн
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-TI-E3
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA814DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.85 грн
500+15.03 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.96 грн
10+38.57 грн
100+21.75 грн
500+16.66 грн
1000+14.99 грн
3000+12.83 грн
6000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 7824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
16+19.94 грн
100+16.95 грн
500+14.13 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.63 грн
35+23.26 грн
100+19.85 грн
500+15.03 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.43 грн
9000+12.83 грн
15000+11.40 грн
21000+11.03 грн
30000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.49 грн
20+42.79 грн
100+27.74 грн
500+19.79 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 80554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.77 грн
100+24.50 грн
500+17.63 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.74 грн
500+19.79 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 47417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.58 грн
10+37.93 грн
100+21.41 грн
500+16.45 грн
1000+14.78 грн
3000+10.81 грн
6000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.85 грн
10+34.64 грн
100+19.59 грн
500+14.99 грн
1000+13.53 грн
3000+11.50 грн
6000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.44 грн
10+31.88 грн
100+22.19 грн
500+16.26 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.67 грн
6000+13.89 грн
9000+13.28 грн
15000+11.82 грн
21000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 51321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.70 грн
20+41.40 грн
100+27.01 грн
500+17.75 грн
1000+14.85 грн
5000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.92 грн
32+23.17 грн
100+20.14 грн
250+18.45 грн
500+16.51 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 170024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.24 грн
11+30.31 грн
100+18.83 грн
500+17.78 грн
1000+16.04 грн
3000+15.34 грн
6000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+38.60 грн
100+25.14 грн
500+18.15 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.5A 6.5W
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.70 грн
10+34.72 грн
100+19.59 грн
500+14.99 грн
1000+13.53 грн
3000+11.50 грн
6000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T5-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+12.44 грн
9000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.58 грн
10+37.93 грн
100+21.41 грн
500+16.45 грн
1000+14.78 грн
3000+12.69 грн
6000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.63 грн
10+31.27 грн
100+21.36 грн
500+15.80 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-E3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-GE3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3CT
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA915DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
10+30.97 грн
100+23.10 грн
500+17.03 грн
1000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA918EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.16 грн
30+27.66 грн
100+18.87 грн
500+15.26 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.48 грн
13+25.50 грн
100+15.20 грн
500+13.39 грн
1000+11.85 грн
3000+10.46 грн
6000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.92 грн
500+19.79 грн
1000+17.29 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 28761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.49 грн
100+29.14 грн
500+21.15 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 64927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.28 грн
10+41.86 грн
100+24.82 грн
500+20.43 грн
1000+17.64 грн
3000+14.92 грн
6000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.04 грн
19+43.44 грн
100+26.92 грн
500+19.79 грн
1000+17.29 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.40 грн
6000+16.36 грн
9000+15.66 грн
15000+13.97 грн
21000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.12 грн
10+40.25 грн
100+23.92 грн
500+19.94 грн
1000+17.01 грн
3000+15.13 грн
6000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+37.16 грн
100+24.16 грн
500+17.42 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.34 грн
10+39.29 грн
100+22.24 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
3000+13.25 грн
6000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.47 грн
50+50.03 грн
100+32.86 грн
500+25.61 грн
1500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.54 грн
10+47.39 грн
25+41.14 грн
100+26.77 грн
500+20.64 грн
1000+18.76 грн
3000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+25.61 грн
1500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+42.90 грн
100+28.02 грн
500+20.27 грн
1000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.67 грн
10+40.49 грн
100+23.92 грн
500+19.94 грн
1000+17.01 грн
3000+15.06 грн
6000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.42 грн
11+29.61 грн
100+19.08 грн
500+13.63 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.58 грн
10+37.85 грн
100+21.34 грн
500+16.32 грн
1000+14.71 грн
3000+12.62 грн
6000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 10728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+56.69 грн
100+32.49 грн
500+25.52 грн
1000+23.78 грн
3000+20.15 грн
6000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.09 грн
10+46.23 грн
100+30.32 грн
500+22.04 грн
1000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 17787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.69 грн
18+45.23 грн
100+30.26 грн
500+23.26 грн
1000+19.45 грн
5000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 17787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.26 грн
500+23.26 грн
1000+19.45 грн
5000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.93 грн
50+48.32 грн
100+31.32 грн
500+22.36 грн
1500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixКод виробника: SIA931DJ-T1-GE3 MOSFET 2P 30V 65mOhm@10V 4.5A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 17127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.84 грн
100+24.59 грн
500+17.70 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.29 грн
500+14.65 грн
1000+12.06 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 261096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.45 грн
11+29.75 грн
100+19.80 грн
500+15.97 грн
1000+12.48 грн
3000+11.36 грн
6000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
6000+13.48 грн
9000+12.88 грн
15000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA936EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA936EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA936EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 2NCH 20V 4.5A
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+39.93 грн
100+22.59 грн
500+17.36 грн
1000+15.69 грн
3000+12.41 грн
6000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+38.45 грн
100+25.02 грн
500+18.04 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.88 грн
6000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA950DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA950DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.69 грн
10+42.98 грн
100+24.61 грн
500+19.03 грн
1000+17.15 грн
3000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA975DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.72 грн
500+22.74 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.40 грн
6000+16.36 грн
9000+15.66 грн
15000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA975DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.00 грн
18+46.61 грн
100+31.72 грн
500+22.74 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 20138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.49 грн
100+29.14 грн
500+21.15 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
10+53.48 грн
100+30.33 грн
500+23.85 грн
1000+21.61 грн
3000+21.34 грн
6000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.94 грн
500+16.77 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
10+30.44 грн
100+20.79 грн
500+15.37 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 20113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.46 грн
10+36.72 грн
100+23.08 грн
500+17.71 грн
1000+14.92 грн
3000+12.55 грн
9000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.33 грн
24+34.33 грн
100+23.43 грн
500+18.96 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.34 грн
10+45.32 грн
100+34.74 грн
500+25.77 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.37 грн
10+34.32 грн
100+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIAERO+-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR AERO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAO426COZ-SO
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.