SIA913DJ-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA913DJ-T1-GE3
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual.
Інші пропозиції SIA913DJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA913DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
товару немає в наявності |