SIHF22N60E-E3
Виробник:
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF22N60E-E3
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF22N60E-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHF22N60E-E3 | Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIHF22N60E-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHF22N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHF22N60E-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF22N60E-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF22N60E-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.