Продукція > SIH

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FN

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FP

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH2131

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XO

на замовлення 6487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XOBL

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2915

на замовлення 338 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2985B01-SO

на замовлення 193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH32A-101

на замовлення 545 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH34ST3F

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-151

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-331

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-4R7

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.26 грн
10+	312.80 грн
100+	262.38 грн
500+	195.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.33 грн
50+	227.51 грн
100+	207.79 грн
500+	162.60 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.31 грн
10+	297.89 грн
25+	230.08 грн
100+	216.37 грн
500+	183.61 грн
1000+	170.66 грн
2000+	166.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	321.35 грн
10+	246.99 грн
100+	199.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.33 грн
50+	165.50 грн
100+	156.81 грн
500+	121.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.65 грн
10+	183.99 грн
100+	150.85 грн
500+	134.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.16 грн
500+	78.25 грн
1000+	63.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 1118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.73 грн
50+	76.87 грн
100+	74.02 грн
500+	64.15 грн
1000+	59.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 2179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.44 грн
10+	81.39 грн
500+	64.22 грн
1000+	64.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
10+	129.91 грн
100+	93.16 грн
500+	78.25 грн
1000+	63.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.93 грн
50+	116.72 грн
100+	115.29 грн
500+	105.97 грн
1000+	104.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.99 грн
10+	140.18 грн
100+	121.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.71 грн
10+	127.34 грн
100+	122.22 грн
500+	107.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	125.21 грн
109+	114.26 грн
116+	106.60 грн
500+	102.64 грн
1000+	94.96 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.15 грн
25+	122.42 грн
100+	114.22 грн
500+	109.97 грн
1000+	101.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.18 грн
10+	211.65 грн
100+	172.10 грн
500+	155.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.87 грн
10+	233.93 грн
100+	171.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.53 грн
10+	157.26 грн
100+	152.98 грн
500+	138.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	374.15 грн
50+	188.31 грн
100+	171.66 грн
500+	133.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.31 грн
10+	119.44 грн
100+	84.92 грн
500+	64.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.99 грн
10+	120.03 грн
100+	76.95 грн
500+	61.10 грн
1000+	55.92 грн
2000+	52.26 грн
5000+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.61 грн
10+	123.09 грн
100+	84.34 грн
500+	63.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.99 грн
10+	94.62 грн
100+	80.76 грн
500+	74.66 грн
1000+	69.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.97 грн
10+	109.40 грн
100+	105.98 грн
500+	75.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.26 грн
50+	92.99 грн
100+	91.61 грн
500+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.93 грн
10+	143.72 грн
100+	99.76 грн
500+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.99 грн
10+	124.41 грн
100+	97.52 грн
500+	83.04 грн
1000+	77.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.77 грн
10+	107.77 грн
1000+	93.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 2903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.83 грн
50+	73.20 грн
100+	72.87 грн
500+	66.64 грн
1000+	63.76 грн
2000+	61.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.43 грн
10+	216.41 грн
100+	135.61 грн
500+	111.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.38 грн
10+	191.42 грн
100+	138.02 грн
500+	103.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.77 грн
10+	236.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA155N60EF

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	311.09 грн
10+	275.11 грн
100+	196.56 грн
500+	166.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.58 грн
10+	207.53 грн
100+	147.14 грн
500+	113.91 грн
1000+	106.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	325.31 грн
10+	229.55 грн
100+	142.47 грн
500+	117.33 грн
1000+	111.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.86 грн
10+	129.20 грн
100+	89.17 грн
500+	67.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	69.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.31 грн
10+	178.62 грн
100+	152.98 грн
500+	113.49 грн
1000+	57.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.88 грн
10+	158.58 грн
100+	119.61 грн
500+	110.47 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.09 грн
10+	185.74 грн
100+	113.52 грн
500+	92.95 грн
1000+	89.14 грн
2000+	86.09 грн
5000+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.90 грн
5+	172.21 грн
10+	151.58 грн
25+	126.98 грн
50+	119.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

на замовлення 477 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	275.88 грн
5+	214.60 грн
10+	181.89 грн
25+	152.37 грн
50+	142.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.21 грн
10+	198.88 грн
100+	136.37 грн
500+	111.99 грн
1000+	93.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.55 грн
10+	184.75 грн
100+	149.35 грн
500+	110.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	325.31 грн
10+	211.15 грн
100+	136.37 грн
500+	121.14 грн
1000+	108.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.26 грн
10+	148.53 грн
25+	145.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.65 грн
10+	163.84 грн
100+	99.04 грн
500+	80.76 грн
1000+	79.23 грн
2000+	77.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 29A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	200.84 грн
10+	151.27 грн
100+	108.54 грн
500+	71.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.09 грн
10+	146.26 грн
100+	101.64 грн
500+	77.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V

на замовлення 931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.77 грн
50+	118.64 грн
100+	107.28 грн
500+	82.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.55 грн
10+	96.50 грн
100+	95.07 грн
500+	82.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.78 грн
10+	108.54 грн
100+	101.70 грн
500+	83.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.77 грн
10+	105.14 грн
500+	84.57 грн
1000+	83.04 грн
2000+	80.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.95 грн
10+	185.40 грн
25+	174.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.81 грн
10+	147.78 грн
25+	141.70 грн
50+	131.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.20 грн
10+	177.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.305 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.59 грн
100+	89.74 грн
500+	82.53 грн
1000+	75.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6.5A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

SIHA17N80E-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.53 грн
10+	158.11 грн
100+	154.69 грн
500+	140.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.00 грн
10+	259.11 грн
100+	186.09 грн
500+	170.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	154.20 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.13 грн
50+	141.91 грн
100+	134.62 грн
500+	103.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.32 грн
10+	157.71 грн
100+	129.52 грн
500+	106.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.98 грн
10+	191.00 грн
100+	122.66 грн
500+	108.95 грн
1000+	102.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	329.04 грн
10+	258.10 грн
100+	221.35 грн
500+	185.70 грн
1000+	145.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.65 грн
10+	208.52 грн
100+	136.37 грн
500+	121.14 грн
1000+	111.23 грн
2000+	107.42 грн
5000+	105.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.39 грн
10+	185.86 грн
100+	130.95 грн
500+	111.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.30 грн
50+	124.71 грн
100+	112.86 грн
500+	86.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: VISHAY - SIHA20N50E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.56 грн
10+	99.14 грн
100+	95.72 грн
500+	85.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.93 грн
10+	162.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.87 грн
10+	180.48 грн
100+	111.23 грн
500+	97.52 грн
1000+	90.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.27 грн
10+	241.81 грн
100+	172.16 грн
500+	133.69 грн
1000+	124.74 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.87 грн
10+	247.07 грн
100+	153.13 грн
500+	138.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

POWER MOSFET WITH FAST BODY DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.28 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	149.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.76 грн
10+	187.49 грн
100+	119.61 грн
500+	106.66 грн
1000+	90.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.09 грн
10+	137.60 грн
100+	99.99 грн
500+	78.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.51 грн
10+	178.01 грн
100+	141.67 грн
500+	112.50 грн
1000+	95.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.96 грн
10+	109.40 грн
100+	105.98 грн
500+	96.03 грн
1000+	87.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.51 грн
50+	109.44 грн
100+	104.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.31 грн
10+	227.80 грн
100+	155.42 грн
500+	137.90 грн
1000+	128.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

на замовлення 959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.57 грн
10+	205.94 грн
100+	145.94 грн
500+	127.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

E Series Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	123.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 49A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 1639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.09 грн
10+	227.80 грн
100+	140.94 грн
500+	130.28 грн
1000+	118.09 грн
2000+	111.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.85 грн
10+	223.06 грн
100+	158.97 грн
500+	125.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.87 грн
10+	241.81 грн
100+	166.85 грн
500+	148.56 грн
1000+	127.23 грн
2500+	121.90 грн
5000+	119.61 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

Trans MOSFET N-CH Si 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 600V 221A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.92 грн
10+	242.45 грн
100+	172.39 грн
500+	133.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	146.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	136.70 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.67 грн
10+	234.17 грн
100+	168.37 грн
500+	128.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.97 грн
10+	198.80 грн
100+	140.56 грн
500+	108.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.32 грн
10+	219.91 грн
100+	135.61 грн
500+	118.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	338.65 грн
10+	254.96 грн
100+	158.47 грн
500+	148.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.19 грн
10+	255.78 грн
100+	182.50 грн
500+	141.91 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.208
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	109.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.43 грн
10+	180.48 грн
100+	123.42 грн
500+	91.42 грн
1000+	86.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.46 грн
50+	239.41 грн
100+	219.18 грн
500+	172.43 грн
1000+	169.60 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.13 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.52 грн
10+	316.22 грн
100+	262.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 10A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	267.51 грн
10+	174.35 грн
100+	152.13 грн
500+	132.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.99 грн
10+	136.68 грн
500+	111.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.89 грн
50+	125.26 грн
100+	124.91 грн
500+	108.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 9A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.43 грн
10+	153.32 грн
100+	127.23 грн
500+	105.14 грн
1000+	98.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.95 грн
50+	138.79 грн
100+	131.90 грн
500+	101.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.86 грн
10+	187.29 грн
100+	131.97 грн
500+	101.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	120.51 грн
10+	117.09 грн
100+	114.52 грн
500+	103.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.92 грн
10+	312.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.31 грн
10+	288.25 грн
100+	203.42 грн
500+	180.56 грн
1000+	168.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	408.77 грн
10+	273.00 грн
100+	195.84 грн
500+	152.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	421.34 грн
10+	288.02 грн
100+	210.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.64 грн
10+	281.24 грн
100+	175.23 грн
500+	170.66 грн
1000+	144.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHA30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.22 грн
10+	55.20 грн
100+	46.55 грн
500+	42.97 грн
1000+	37.25 грн
2000+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.37 грн
50+	78.19 грн
100+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 7A
Gate charge: 16.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.72 грн
12+	72.47 грн
100+	53.76 грн
500+	42.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.55 грн
10+	121.78 грн
100+	84.57 грн
250+	77.71 грн
500+	70.32 грн
1000+	58.97 грн
2000+	58.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.50 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.14 грн
10+	122.22 грн
100+	84.08 грн
500+	63.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.24 грн
50+	54.33 грн
100+	54.02 грн
500+	47.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.46 грн
100+	58.97 грн
500+	47.14 грн
1000+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 1332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.66 грн
10+	60.54 грн
100+	52.34 грн
500+	49.52 грн
1000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.07 грн
10+	460.66 грн
25+	418.78 грн
100+	350.77 грн
500+	275.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 47A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	231.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.81 грн
25+	250.53 грн
100+	231.79 грн
500+	187.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	497.75 грн
10+	277.74 грн
100+	223.23 грн
500+	193.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	497.75 грн
10+	446.83 грн
25+	274.27 грн
100+	259.79 грн
500+	226.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Power MOSFET With Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB055N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.10 грн
5+	482.88 грн
10+	459.80 грн
50+	301.57 грн
100+	263.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.20 грн
50+	281.82 грн
100+	264.40 грн
500+	211.09 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.07 грн
5+	511.94 грн
10+	459.80 грн
50+	392.04 грн
100+	328.92 грн
250+	322.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	279.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.75 грн
10+	321.54 грн
100+	266.65 грн
500+	229.32 грн
1000+	179.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-T1-GE3

MOSFETs

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	684.40 грн
10+	491.51 грн
100+	355.79 грн
500+	316.93 грн
800+	282.65 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.30 грн
10+	372.36 грн
100+	262.08 грн
500+	234.65 грн
1000+	198.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 3412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.19 грн
50+	219.65 грн
100+	207.84 грн
500+	163.16 грн
1000+	159.14 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET

на замовлення 2517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.31 грн
10+	243.57 грн
100+	200.37 грн
500+	188.18 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	385.45 грн
10+	367.50 грн
100+	211.10 грн
500+	183.32 грн
1000+	156.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T1GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T5GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.75 грн
10+	334.69 грн
100+	236.18 грн
500+	210.27 грн
1000+	178.28 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	439.29 грн
10+	368.35 грн
100+	310.24 грн
500+	261.10 грн
1000+	220.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	467.49 грн
10+	463.22 грн
100+	235.03 грн
500+	207.92 грн
1000+	181.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.68 грн
50+	189.66 грн
100+	173.40 грн
500+	155.63 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 4323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.75 грн
10+	210.27 грн
100+	166.85 грн
500+	166.09 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.05 грн
10+	258.79 грн
100+	193.08 грн
500+	176.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.86 грн
10+	294.38 грн
100+	193.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	404.25 грн
10+	277.76 грн
100+	261.52 грн
500+	227.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.64 грн
10+	239.19 грн
100+	189.70 грн
500+	158.47 грн
1000+	155.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	415.36 грн
50+	211.07 грн
100+	192.79 грн
500+	150.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	186.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.86 грн
10+	469.42 грн
100+	403.02 грн
500+	358.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	754.62 грн
10+	563.36 грн
100+	409.12 грн
500+	381.69 грн
1000+	324.55 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 6287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.40 грн
10+	255.54 грн
100+	161.53 грн
500+	120.63 грн
1000+	110.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 8014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.21 грн
10+	156.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 5415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.70 грн
50+	138.45 грн
100+	130.02 грн
500+	109.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.99 грн
10+	111.27 грн
100+	76.95 грн
250+	71.54 грн
500+	64.53 грн
1000+	53.71 грн
2000+	52.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	71.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.60 грн
10+	78.96 грн
100+	70.88 грн
500+	64.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.10 грн
10+	134.93 грн
100+	89.90 грн
500+	72.76 грн
1000+	65.29 грн
2000+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.26 грн
10+	117.09 грн
100+	89.74 грн
500+	62.77 грн
1000+	57.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.03 грн
10+	205.97 грн
100+	170.08 грн
500+	142.06 грн
1000+	128.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.49 грн
10+	219.83 грн
100+	156.17 грн
500+	121.07 грн
1000+	112.88 грн
2000+	112.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.08 грн
500+	142.06 грн
1000+	128.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.99 грн
50+	207.16 грн
100+	198.08 грн
500+	155.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.31 грн
10+	229.55 грн
100+	191.23 грн
500+	160.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	164.09 грн
500+	148.40 грн
1000+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.22 грн
10+	295.70 грн
100+	213.19 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
10+	169.22 грн
100+	164.09 грн
500+	148.40 грн
1000+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	164.09 грн
500+	148.40 грн
1000+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.22 грн
10+	295.70 грн
100+	213.19 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
10+	169.22 грн
100+	164.09 грн
500+	148.40 грн
1000+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.17 грн
10+	194.27 грн
100+	146.02 грн
500+	126.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.87 грн
10+	214.65 грн
100+	140.94 грн
500+	133.33 грн
2000+	131.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.10 грн
10+	217.94 грн
100+	184.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T1GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T5GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.08 грн
10+	441.57 грн
100+	319.98 грн
500+	298.65 грн
1000+	254.46 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.14 грн
10+	378.31 грн
25+	350.04 грн
100+	299.31 грн
250+	285.39 грн
500+	277.01 грн
1000+	265.67 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.54 грн
10+	155.95 грн
100+	99.80 грн
500+	83.80 грн
1000+	65.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.54 грн
10+	139.31 грн
100+	86.85 грн
500+	72.76 грн
1000+	62.09 грн
2000+	58.97 грн
5000+	57.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.24 грн
10+	135.03 грн
100+	107.69 грн
500+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	115.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 27A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.48 грн
50+	120.75 грн
100+	112.56 грн
500+	86.18 грн
1000+	79.93 грн
2000+	75.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.43 грн
10+	134.05 грн
100+	108.95 грн
500+	88.38 грн
1000+	82.28 грн
2000+	80.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.09 грн
10+	237.43 грн
100+	152.37 грн
500+	121.90 грн
1000+	121.14 грн
2000+	116.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.50 грн
10+	214.51 грн
100+	158.02 грн
500+	118.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB155N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET D2PAK

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.20 грн
10+	264.59 грн
100+	185.89 грн
500+	166.85 грн
1000+	141.71 грн
2000+	135.61 грн
5000+	134.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	213.66 грн
10+	182.90 грн
100+	160.67 грн
500+	123.80 грн
1000+	76.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.45 грн
500+	81.74 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.27 грн
10+	183.32 грн
100+	129.08 грн
500+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.88 грн
10+	221.35 грн
100+	155.55 грн
500+	119.04 грн
1000+	101.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.21 грн
10+	194.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.78 грн
50+	105.55 грн
100+	102.80 грн
500+	80.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.99 грн
10+	118.28 грн
100+	96.76 грн
500+	81.52 грн
1000+	75.42 грн
2000+	72.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 9793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.10 грн
10+	129.67 грн
100+	107.42 грн
500+	87.61 грн
1000+	80.76 грн
2000+	80.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.05 грн
10+	141.02 грн
100+	134.18 грн
500+	101.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.03 грн
50+	116.58 грн
100+	111.31 грн
500+	85.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

SIHB17N80AE-T1-GE3

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	95.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 39200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	126.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.49 грн
10+	226.89 грн
100+	194.38 грн
500+	172.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.54 грн
10+	250.58 грн
100+	187.42 грн
1000+	182.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFETs E Series Power

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.76 грн
10+	217.28 грн
100+	144.75 грн
500+	128.75 грн
1000+	109.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	124.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	149.32 грн
10+	144.56 грн
25+	144.38 грн
50+	138.21 грн
100+	124.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.27 грн
10+	288.02 грн
100+	147.85 грн
500+	112.69 грн
1000+	101.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.76 грн
10+	142.81 грн
100+	119.61 грн
500+	105.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

на замовлення 3274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.61 грн
50+	129.07 грн
100+	123.78 грн
500+	95.14 грн
1000+	88.39 грн
2000+	84.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	335.09 грн
10+	217.28 грн
100+	141.71 грн
500+	125.71 грн
1000+	105.14 грн
2000+	104.37 грн
5000+	103.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.42 грн
10+	233.05 грн
100+	158.47 грн
500+	141.71 грн
1000+	120.37 грн
2000+	115.04 грн
5000+	113.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.54 грн
10+	154.04 грн
100+	117.28 грн
500+	99.29 грн
1000+	96.68 грн
2000+	94.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.21 грн
10+	170.85 грн
100+	110.47 грн
500+	99.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.64 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	354.65 грн
10+	226.04 грн
100+	179.80 грн
500+	159.99 грн
1000+	137.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.71 грн
50+	210.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	169.22 грн
10+	168.37 грн
100+	167.51 грн
500+	154.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.30 грн
10+	186.31 грн
100+	136.74 грн
500+	92.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

на замовлення 11755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.99 грн
10+	190.12 грн
100+	121.14 грн
500+	95.99 грн
1000+	94.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.05 грн
10+	117.45 грн
100+	95.03 грн
500+	87.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.20 грн
10+	243.57 грн
100+	166.09 грн
500+	147.80 грн
1000+	137.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 443nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

Commercial High Voltage Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 10359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.20 грн
10+	255.83 грн
100+	181.32 грн
500+	156.94 грн
1000+	137.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	447.84 грн
10+	305.97 грн
100+	272.63 грн
500+	182.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.53 грн
10+	239.19 грн
100+	164.56 грн
500+	147.04 грн
1000+	122.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.09 грн
10+	235.68 грн
100+	145.52 грн
500+	136.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.69 грн
10+	203.48 грн
100+	144.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.23 грн
10+	255.70 грн
100+	183.60 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	162.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 22A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	217.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65ET1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.10 грн
10+	145.44 грн
100+	125.71 грн
500+	124.18 грн
1000+	119.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
Pulsed drain current: 63A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.11 грн
50+	131.52 грн
100+	131.16 грн
500+	121.07 грн
1000+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.42 грн
10+	253.20 грн
100+	211.80 грн
500+	181.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	435.87 грн
10+	244.43 грн
100+	239.30 грн
500+	171.42 грн
1000+	155.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.49 грн
50+	227.97 грн
100+	219.61 грн
500+	172.78 грн
1000+	170.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	464.08 грн
10+	363.23 грн
100+	282.89 грн
500+	227.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.42 грн
10+	366.23 грн
100+	257.51 грн
500+	229.32 грн
1000+	210.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.42 грн
10+	339.94 грн
100+	217.13 грн
800+	184.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	190.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 2731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.08 грн
10+	306.33 грн
100+	224.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 21A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.54 грн
10+	158.58 грн
100+	132.56 грн
500+	112.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.15 грн
50+	143.31 грн
100+	137.35 грн
500+	106.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	313.66 грн
10+	234.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.09 грн
10+	233.93 грн
100+	143.99 грн
500+	128.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.56 грн
10+	198.28 грн
100+	141.02 грн
500+	114.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.47 грн
10+	202.61 грн
100+	143.65 грн
500+	113.46 грн
1000+	108.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.24 грн
50+	211.73 грн
100+	193.97 грн
500+	177.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	481.29 грн
10+	312.20 грн
100+	226.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	195.80 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	481.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SiHB30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.64 грн
10+	271.60 грн
100+	231.61 грн
500+	185.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.48 грн
10+	304.26 грн
100+	301.69 грн
500+	221.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.33 грн
50+	244.49 грн
100+	240.70 грн
500+	176.30 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 76A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.75 грн
10+	308.47 грн
100+	226.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.53 грн
10+	341.69 грн
100+	218.65 грн
500+	216.37 грн
800+	185.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	192.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

на замовлення 1797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.42 грн
10+	313.00 грн
100+	227.34 грн
500+	179.11 грн
1000+	177.18 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	359.81 грн
100+	289.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.53 грн
10+	346.95 грн
100+	219.42 грн
500+	188.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	465.78 грн
10+	359.81 грн
100+	289.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	209.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.09 грн
10+	354.66 грн
100+	259.58 грн
500+	207.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.41 грн
10+	375.86 грн
100+	264.37 грн
800+	246.84 грн
2400+	211.80 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	516.41 грн
10+	373.24 грн
100+	262.08 грн
500+	233.13 грн
800+	187.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	552.99 грн
10+	359.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.08 грн
10+	389.88 грн
100+	274.27 грн
500+	243.80 грн
1000+	227.80 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.81 грн
10+	93.16 грн
100+	80.42 грн
500+	58.25 грн
1000+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.66 грн
10+	73.95 грн
100+	61.33 грн
500+	48.91 грн
1000+	47.46 грн
2000+	41.45 грн
5000+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.77 грн
50+	78.87 грн
100+	70.69 грн
500+	52.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.97 грн
50+	93.84 грн
100+	84.51 грн
500+	63.95 грн
1000+	59.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.14 грн
500+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.00 грн
100+	65.81 грн
500+	59.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

E Series Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	99.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	399.98 грн
10+	302.27 грн
100+	257.51 грн
500+	255.99 грн
1000+	82.28 грн
2000+	78.47 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.93 грн
500+	63.17 грн
1000+	55.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 8125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.33 грн
10+	64.83 грн
100+	54.47 грн
500+	53.10 грн
1000+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.36 грн
13+	68.97 грн
100+	56.49 грн
500+	52.14 грн
1000+	45.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.61 грн
75+	67.29 грн
150+	62.99 грн
525+	55.90 грн
1050+	52.48 грн
2025+	49.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.77 грн
10+	146.32 грн
100+	97.52 грн
500+	90.66 грн
1000+	86.85 грн
2000+	50.05 грн
4000+	49.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.96 грн
10+	113.56 грн
100+	77.74 грн
500+	58.56 грн
1000+	53.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 4684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.43 грн
10+	122.66 грн
100+	73.37 грн
500+	58.66 грн
1000+	54.02 грн
3000+	51.12 грн
6000+	49.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 2939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.53 грн
10+	88.88 грн
100+	62.65 грн
500+	56.13 грн
1000+	54.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.65 грн
10+	124.41 грн
100+	87.61 грн
500+	76.03 грн
1000+	65.29 грн
3000+	63.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 1038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.98 грн
75+	78.77 грн
150+	75.29 грн
525+	67.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 11514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.55 грн
10+	87.44 грн
100+	72.76 грн
500+	72.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.35 грн
10+	148.48 грн
100+	102.64 грн
500+	77.94 грн
1000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.35 грн
10+	148.48 грн
100+	102.64 грн
500+	77.94 грн
1000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.35 грн
10+	148.48 грн
100+	102.64 грн
500+	77.94 грн
1000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.60 грн
10+	135.31 грн
100+	102.53 грн
500+	82.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.19 грн
10+	141.02 грн
100+	103.41 грн
500+	81.74 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.10 грн
10+	149.82 грн
100+	99.04 грн
500+	84.57 грн
3000+	83.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab ) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.41 грн
500+	81.74 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.28 грн
10+	215.37 грн
100+	128.20 грн
500+	96.03 грн
1000+	87.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.65 грн
10+	124.41 грн
100+	105.14 грн
500+	91.42 грн
3000+	90.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.20 грн
500+	96.03 грн
1000+	87.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

на замовлення 6065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.40 грн
50+	112.42 грн
100+	108.83 грн
500+	88.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.21 грн
10+	83.67 грн
100+	48.23 грн
500+	39.54 грн
1000+	34.59 грн
3000+	32.76 грн
6000+	30.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.26 грн
10+	124.20 грн
100+	84.66 грн
500+	69.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.43 грн
10+	136.68 грн
100+	82.28 грн
500+	74.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
10+	111.10 грн
100+	76.32 грн
500+	67.77 грн
1000+	59.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

на замовлення 2701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	67.77 грн
1000+	59.70 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.87 грн
10+	256.71 грн
100+	177.51 грн
500+	157.71 грн
1000+	150.09 грн
3000+	127.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.67 грн
10+	228.72 грн
100+	173.43 грн
500+	147.12 грн
1000+	140.58 грн
3000+	119.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

на замовлення 7940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.99 грн
10+	69.22 грн
100+	49.14 грн
500+	38.85 грн
1000+	35.50 грн
3000+	33.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.43 грн
10+	61.82 грн
100+	51.53 грн
500+	42.21 грн
1000+	38.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	44.20 грн
100+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	115.89 грн
13+	92.38 грн
34+	87.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 72662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.77 грн
10+	96.38 грн
100+	56.99 грн
500+	48.38 грн
1000+	41.14 грн
3000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

на замовлення 23845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	61.68 грн
100+	37.71 грн
500+	31.54 грн
1000+	25.37 грн
3000+	23.24 грн
6000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	63.52 грн
100+	37.71 грн
500+	31.54 грн
1000+	26.82 грн
3000+	22.78 грн
6000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	42.48 грн
500+	32.93 грн
1000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	63.52 грн
100+	37.71 грн
500+	31.54 грн
1000+	26.82 грн
3000+	22.78 грн
6000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.19 грн
13+	66.58 грн
100+	42.48 грн
500+	32.93 грн
1000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.54 грн
10+	60.87 грн
100+	40.20 грн
500+	29.41 грн
1000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

D Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	63.52 грн
100+	37.71 грн
500+	31.54 грн
1000+	26.82 грн
3000+	23.77 грн
9000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.16 грн
10+	83.25 грн
100+	56.90 грн
500+	51.17 грн
1000+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.53 грн
500+	146.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	204.26 грн
10+	179.48 грн
100+	161.53 грн
500+	146.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.88 грн
10+	91.99 грн
100+	54.47 грн
500+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	79.73 грн
100+	54.93 грн
500+	45.64 грн
1000+	34.97 грн
3000+	33.29 грн
9000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.67 грн
500+	48.89 грн
1000+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 201-210 дні (днів)

4+	90.66 грн
10+	66.24 грн
100+	50.13 грн
500+	50.05 грн
1000+	33.83 грн
3000+	31.77 грн
6000+	31.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.27 грн
14+	63.93 грн
100+	53.67 грн
500+	48.89 грн
1000+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.10 грн
10+	71.93 грн
100+	45.03 грн
500+	35.43 грн
1000+	32.38 грн
3000+	28.72 грн
6000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.92 грн
10+	77.61 грн
100+	51.87 грн
500+	38.30 грн
1000+	34.96 грн
3000+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 6.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

MOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.32 грн
10+	109.52 грн
100+	66.21 грн
500+	55.62 грн
1000+	46.47 грн
3000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 4A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 12A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

MOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.43 грн
10+	109.52 грн
100+	65.44 грн
500+	55.46 грн
1000+	46.32 грн
3000+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

N-CHANNEL 620V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFETs 620V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.31 грн
75+	63.47 грн
150+	58.44 грн
525+	51.83 грн
1050+	47.68 грн
2025+	44.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.14 грн
17+	50.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.66 грн
10+	70.27 грн
100+	56.30 грн
500+	53.18 грн
1000+	49.52 грн
3000+	45.86 грн
6000+	44.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)

на замовлення 2818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.99 грн
10+	52.04 грн
100+	42.44 грн
500+	41.14 грн
1000+	37.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.38 грн
75+	47.71 грн
150+	43.81 грн
525+	39.93 грн
1050+	36.57 грн
2025+	35.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.88 грн
10+	140.18 грн
100+	83.80 грн
500+	68.11 грн
1000+	65.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.02 грн
10+	125.23 грн
100+	86.33 грн
500+	65.39 грн
1000+	60.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

TRANS MOSFET N-CH 600V 7A 3-PIN(2+TAB) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.99 грн
10+	113.02 грн
100+	80.00 грн
500+	70.09 грн
1000+	60.49 грн
3000+	57.06 грн
6000+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.59 грн
10+	102.06 грн
100+	82.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.26 грн
10+	107.69 грн
100+	72.05 грн
500+	66.19 грн
1000+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET1-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.65 грн
10+	133.17 грн
100+	81.52 грн
500+	68.11 грн
1000+	62.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHDGGA120A01

Amphenol Socapex

Rectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	498.60 грн
50+	261.98 грн
100+	261.63 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	539.52 грн
10+	290.88 грн
100+	252.18 грн
1000+	245.32 грн
2000+	236.18 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.36 грн
10+	188.02 грн
100+	186.31 грн
500+	164.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.20 грн
10+	294.38 грн
100+	228.56 грн
500+	198.85 грн
1000+	194.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.31 грн
50+	265.70 грн
100+	237.36 грн
500+	193.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	682.87 грн
5+	590.56 грн
10+	497.41 грн
50+	401.56 грн
100+	314.27 грн
250+	307.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	638.19 грн
10+	458.22 грн
100+	294.08 грн
500+	268.17 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.61 грн
10+	413.15 грн
100+	305.06 грн
500+	251.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	497.41 грн
50+	401.56 грн
100+	314.27 грн
250+	307.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SiHF080N60E

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	384.59 грн
10+	227.34 грн
100+	220.50 грн
500+	169.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.31 грн
10+	207.65 грн
100+	172.94 грн
500+	166.09 грн
1000+	142.47 грн
2000+	141.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	177.64 грн
21+	33.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.89 грн
50+	186.56 грн
100+	179.35 грн
500+	135.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.10 грн
10+	311.49 грн
100+	230.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	534.16 грн
10+	376.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	195.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	376.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.53 грн
10+	346.95 грн
100+	223.23 грн
1000+	188.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.06 грн
10+	116.90 грн
100+	85.47 грн
500+	70.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.41 грн
10+	97.06 грн
100+	65.99 грн
500+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF110N65SF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.25 грн
50+	216.21 грн
100+	197.60 грн
500+	154.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.55 грн
10+	94.62 грн
100+	79.23 грн
500+	77.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3
Код товару: 171580

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 27A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.57 грн
10+	156.18 грн
100+	108.98 грн
500+	83.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.54 грн
10+	173.48 грн
100+	105.14 грн
500+	86.09 грн
1000+	84.57 грн
2000+	83.80 грн
10000+	82.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.03 грн
50+	87.11 грн
100+	86.75 грн
500+	76.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.10 грн
10+	97.25 грн
100+	83.80 грн
500+	79.23 грн
1000+	72.76 грн
2000+	70.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI71

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF15N60E-E3
Код товару: 117209

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.66 грн
50+	134.29 грн
100+	128.14 грн
500+	98.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	205.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.13 грн
10+	164.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.54 грн
10+	148.94 грн
100+	124.18 грн
500+	101.33 грн
1000+	95.99 грн
2000+	94.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3
Код товару: 127335

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	220.76 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.77 грн
10+	196.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.43 грн
10+	183.99 грн
100+	113.52 грн
500+	106.66 грн
1000+	104.37 грн
2000+	99.80 грн
5000+	97.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3
Код товару: 188008

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT

у наявності 8 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	210.00 грн
10+	195.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.01 грн
10+	159.20 грн
100+	111.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.94 грн
10+	174.35 грн
100+	122.22 грн
500+	103.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.75 грн
10+	225.17 грн
100+	166.09 грн
500+	130.28 грн
1000+	126.47 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	385.62 грн
5+	300.64 грн
10+	258.08 грн
25+	219.99 грн
50+	207.61 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.35 грн
5+	241.26 грн
10+	215.07 грн
25+	183.32 грн
50+	173.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.98 грн
10+	287.16 грн
100+	211.95 грн
500+	148.40 грн
1000+	126.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 1487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.86 грн
50+	184.47 грн
100+	169.45 грн
500+	124.01 грн
1000+	115.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.65 грн
10+	218.16 грн
100+	146.28 грн
500+	129.52 грн
1000+	104.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
Pulsed drain current: 63A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.97 грн
10+	287.37 грн
100+	230.84 грн
500+	223.99 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF2X0.5
Код товару: 108027

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.98 грн
10+	373.48 грн
100+	336.73 грн
500+	293.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.86 грн
10+	344.32 грн
100+	220.18 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 2575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.62 грн
10+	310.70 грн
100+	225.63 грн
500+	177.71 грн
1000+	175.58 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 676A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.41 грн
10+	384.63 грн
100+	270.46 грн
500+	240.75 грн
1000+	205.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.5
Код товару: 123726

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.75
Код товару: 104161

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF4X0.5
Код товару: 115638

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520S-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.08 грн
10+	68.49 грн
100+	45.67 грн
500+	33.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHF530S-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530S-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.13 грн
10+	61.58 грн
100+	45.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.33 грн
10+	67.29 грн
100+	44.49 грн
500+	43.73 грн
800+	29.26 грн
2400+	26.74 грн
4800+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRR-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRR-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 77mΩ
Drain current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.77 грн
10+	112.15 грн
100+	68.11 грн
500+	57.29 грн
1000+	46.47 грн
2000+	45.64 грн
5000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.44 грн
10+	87.61 грн
100+	59.35 грн
500+	50.36 грн
1000+	40.99 грн
2000+	39.92 грн
5000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.70 грн
10+	89.74 грн
100+	69.06 грн
500+	53.57 грн
1000+	42.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF610S-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF620S-GE3