Продукція > SIH

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FN

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FP

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH2131

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XO

на замовлення 6487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XOBL

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2915

на замовлення 338 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2985B01-SO

на замовлення 193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH32A-101

на замовлення 545 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH34ST3F

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-151

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-331

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-4R7

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	371.94 грн
10+	204.25 грн
100+	185.97 грн
500+	136.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.33 грн
10+	266.35 грн
25+	205.72 грн
100+	193.46 грн
500+	164.17 грн
1000+	152.59 грн
2000+	149.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.90 грн
50+	211.56 грн
100+	193.22 грн
500+	151.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.67 грн
1000+	138.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.10 грн
50+	160.02 грн
100+	145.65 грн
500+	113.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.82 грн
10+	229.68 грн
100+	185.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.63 грн
500+	72.76 грн
1000+	58.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.01 грн
10+	79.91 грн
100+	63.83 грн
500+	57.90 грн
2000+	57.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.33 грн
10+	120.80 грн
100+	86.63 грн
500+	72.76 грн
1000+	58.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.63 грн
50+	86.12 грн
100+	77.52 грн
500+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.19 грн
10+	127.69 грн
100+	108.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.28 грн
10+	118.42 грн
100+	113.65 грн
500+	100.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.88 грн
50+	147.89 грн
100+	134.39 грн
500+	103.93 грн
1000+	96.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	130.87 грн
109+	119.43 грн
116+	111.43 грн
500+	107.28 грн
1000+	99.26 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.22 грн
25+	127.96 грн
100+	119.39 грн
500+	114.94 грн
1000+	106.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.47 грн
10+	272.62 грн
100+	170.98 грн
500+	160.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.21 грн
10+	255.63 грн
100+	184.29 грн
500+	144.41 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.58 грн
10+	190.74 грн
100+	174.05 грн
500+	123.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.93 грн
50+	174.90 грн
100+	159.44 грн
500+	124.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.82 грн
10+	114.37 грн
100+	68.80 грн
500+	54.63 грн
1000+	51.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.66 грн
10+	106.93 грн
100+	73.31 грн
500+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.90 грн
10+	106.19 грн
100+	72.80 грн
500+	54.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.72 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.05 грн
50+	102.61 грн
100+	92.67 грн
500+	70.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.83 грн
10+	118.42 грн
25+	114.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.53 грн
10+	109.67 грн
100+	81.06 грн
500+	70.16 грн
1000+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.05 грн
10+	133.50 грн
100+	92.67 грн
500+	70.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.12 грн
10+	142.58 грн
100+	88.56 грн
500+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.20 грн
10+	104.19 грн
100+	83.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.08 грн
50+	97.57 грн
100+	88.05 грн
500+	66.94 грн
1000+	61.89 грн
2000+	57.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.81 грн
10+	188.18 грн
100+	133.37 грн
500+	103.20 грн
1000+	96.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.01 грн
10+	190.36 грн
100+	119.21 грн
500+	99.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.00 грн
10+	220.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA155N60EF

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	278.16 грн
10+	245.98 грн
100+	175.75 грн
500+	149.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.71 грн
10+	192.76 грн
100+	136.67 грн
500+	105.80 грн
1000+	98.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.59 грн
10+	205.25 грн
100+	127.39 грн
500+	104.91 грн
1000+	100.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.06 грн
10+	118.89 грн
100+	82.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.07 грн
10+	148.06 грн
100+	119.21 грн
500+	115.12 грн
1000+	60.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.25 грн
10+	166.10 грн
100+	142.26 грн
500+	105.53 грн
1000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.89 грн
5+	175.47 грн
10+	155.79 грн
25+	132.84 грн
50+	123.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.47 грн
10+	168.43 грн
100+	107.63 грн
500+	89.24 грн
1000+	83.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

на замовлення 437 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	281.87 грн
5+	218.67 грн
10+	186.95 грн
25+	159.40 грн
50+	147.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.23 грн
10+	154.83 грн
100+	108.40 грн
500+	89.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.91 грн
10+	165.29 грн
100+	100.82 грн
500+	89.24 грн
1000+	83.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.21 грн
10+	194.28 грн
100+	132.15 грн
500+	111.04 грн
1000+	97.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	168.55 грн
10+	155.25 грн
25+	151.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.99 грн
10+	136.01 грн
100+	94.51 грн
500+	72.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.51 грн
10+	146.49 грн
100+	88.56 грн
500+	72.21 грн
1000+	70.85 грн
2000+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.76 грн
10+	140.67 грн
100+	100.93 грн
500+	66.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V

на замовлення 931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.61 грн
50+	110.33 грн
100+	99.76 грн
500+	76.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.03 грн
10+	100.93 грн
100+	94.57 грн
500+	77.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.31 грн
10+	141.32 грн
100+	98.51 грн
500+	75.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.27 грн
10+	134.74 грн
100+	92.64 грн
500+	75.61 грн
1000+	74.25 грн
2000+	72.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.99 грн
10+	193.78 грн
25+	182.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.90 грн
10+	154.46 грн
25+	148.11 грн
50+	137.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.73 грн
10+	162.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6.5A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.305 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.24 грн
100+	83.45 грн
500+	76.75 грн
1000+	70.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.62 грн
10+	237.18 грн
100+	170.38 грн
500+	156.17 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	141.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.21 грн
10+	147.03 грн
100+	143.85 грн
500+	130.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.88 грн
10+	146.49 грн
100+	115.81 грн
500+	95.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.89 грн
50+	135.77 грн
100+	123.25 грн
500+	95.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.98 грн
10+	240.01 грн
100+	205.84 грн
500+	172.69 грн
1000+	135.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.83 грн
10+	170.78 грн
100+	108.99 грн
500+	96.73 грн
1000+	91.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.41 грн
10+	193.50 грн
100+	132.15 грн
500+	111.04 грн
1000+	101.50 грн
2000+	97.41 грн
5000+	96.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.06 грн
10+	172.61 грн
100+	121.63 грн
500+	103.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.34 грн
50+	115.83 грн
100+	104.82 грн
500+	80.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: VISHAY - SIHA20N50E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.45 грн
100+	81.06 грн
500+	73.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	82.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.10 грн
10+	150.55 грн
100+	105.22 грн
500+	86.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	336.97 грн
10+	220.92 грн
100+	136.92 грн
500+	123.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 1933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.57 грн
10+	204.20 грн
100+	145.38 грн
500+	112.89 грн
1000+	105.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	138.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	364.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.09 грн
10+	167.65 грн
100+	106.95 грн
500+	95.37 грн
1000+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.92 грн
10+	165.53 грн
100+	131.74 грн
500+	104.61 грн
1000+	88.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.59 грн
10+	127.95 грн
100+	92.98 грн
500+	73.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.55 грн
10+	96.16 грн
100+	92.98 грн
500+	84.13 грн
1000+	76.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.92 грн
50+	101.77 грн
100+	97.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.33 грн
10+	203.68 грн
100+	138.97 грн
500+	123.30 грн
1000+	115.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.31 грн
10+	209.02 грн
100+	148.62 грн
500+	117.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

на замовлення 959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.58 грн
10+	188.40 грн
100+	133.54 грн
500+	116.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 1643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.33 грн
10+	203.68 грн
100+	126.02 грн
500+	116.49 грн
1000+	105.59 грн
2000+	99.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	329.82 грн
10+	216.22 грн
100+	149.18 грн
500+	132.84 грн
1000+	113.76 грн
2500+	108.99 грн
5000+	106.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.77 грн
10+	202.90 грн
100+	149.18 грн
500+	132.15 грн
1000+	106.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.21 грн
10+	200.51 грн
100+	142.61 грн
500+	110.63 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	142.88 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.85 грн
10+	181.91 грн
100+	128.62 грн
500+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.00 грн
10+	196.63 грн
100+	121.25 грн
500+	105.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.11 грн
10+	217.76 грн
100+	156.56 грн
500+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.80 грн
10+	227.97 грн
100+	141.69 грн
500+	132.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.07 грн
10+	211.58 грн
100+	150.96 грн
500+	117.38 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.208
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.29 грн
10+	166.08 грн
100+	110.36 грн
500+	92.64 грн
1000+	85.83 грн
2000+	81.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 10A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.86 грн
50+	219.21 грн
100+	200.68 грн
500+	157.87 грн
1000+	155.28 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.00 грн
10+	178.02 грн
100+	174.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.85 грн
50+	141.59 грн
100+	128.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.75 грн
10+	162.13 грн
100+	141.46 грн
500+	123.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 250 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	225.82 грн
5+	205.65 грн
10+	198.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	132.39 грн
100+	113.08 грн
500+	111.04 грн
1000+	104.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	181.21 грн
5+	171.37 грн
10+	165.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.19 грн
10+	142.58 грн
100+	113.76 грн
500+	94.01 грн
1000+	87.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.52 грн
50+	133.09 грн
100+	120.76 грн
500+	93.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.06 грн
10+	108.88 грн
100+	106.50 грн
500+	95.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.52 грн
10+	171.36 грн
100+	120.76 грн
500+	93.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.92 грн
10+	290.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.90 грн
10+	303.95 грн
100+	240.47 грн
500+	228.89 грн
1000+	150.55 грн

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.49 грн
1000+	166.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.09 грн
10+	235.64 грн
100+	169.06 грн
500+	154.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	391.81 грн
10+	267.83 грн
100+	195.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 29W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHA30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.24 грн
10+	49.35 грн
100+	41.62 грн
500+	38.42 грн
1000+	33.31 грн
2000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.26 грн
50+	72.71 грн
100+	57.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.01 грн
12+	67.39 грн
100+	49.99 грн
500+	39.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.93 грн
10+	108.89 грн
100+	75.61 грн
250+	69.48 грн
500+	62.88 грн
1000+	52.73 грн
2000+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.39 грн
10+	113.50 грн
100+	78.09 грн
500+	59.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.27 грн
15+	54.52 грн
100+	53.88 грн
500+	44.43 грн
1000+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.40 грн
50+	50.52 грн
100+	50.23 грн
500+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 1269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.62 грн
10+	71.44 грн
100+	55.52 грн
500+	44.28 грн
1000+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.46 грн
10+	275.75 грн
100+	199.59 грн
500+	192.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	524.53 грн
10+	428.37 грн
25+	389.42 грн
100+	326.18 грн
500+	256.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.22 грн
25+	258.32 грн
100+	215.29 грн
500+	169.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	494.30 грн
50+	257.12 грн
100+	236.04 грн
500+	188.46 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Power MOSFET With Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.05 грн
10+	278.10 грн
100+	222.07 грн
500+	189.38 грн
1000+	188.69 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB055N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	528.50 грн
5+	421.21 грн
10+	313.13 грн
50+	278.95 грн
100+	245.92 грн
250+	241.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	524.53 грн
5+	476.05 грн
10+	427.57 грн
50+	364.56 грн
100+	305.86 грн
250+	299.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-T1-GE3

MOSFETs

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	611.95 грн
10+	439.48 грн
100+	318.12 грн
500+	283.38 грн
800+	252.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.08 грн
10+	332.94 грн
100+	234.34 грн
500+	209.81 грн
1000+	177.80 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET

на замовлення 1308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.96 грн
10+	224.83 грн
100+	179.16 грн
500+	168.26 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.94 грн
50+	208.05 грн
100+	190.29 грн
500+	149.39 грн
1000+	145.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.83 грн
10+	223.32 грн
100+	211.40 грн
500+	174.16 грн
1000+	140.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T1GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T5GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.23 грн
10+	338.56 грн
100+	274.19 грн
500+	227.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	402.14 грн
10+	299.25 грн
100+	211.17 грн
500+	188.01 грн
1000+	159.40 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.04 грн
50+	204.30 грн
100+	186.78 грн
500+	146.52 грн
1000+	142.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	397.37 грн
10+	224.91 грн
100+	205.84 грн
500+	170.47 грн
1000+	137.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 4323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.58 грн
10+	220.92 грн
100+	175.75 грн
500+	148.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	439.12 грн
10+	284.71 грн
100+	206.53 грн
500+	162.57 грн
1000+	160.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	375.91 грн
10+	258.29 грн
100+	243.19 грн
500+	211.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.17 грн
10+	258.52 грн
100+	164.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	519.23 грн
4+	307.00 грн
11+	290.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.31 грн
50+	197.75 грн
100+	180.62 грн
500+	141.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.09 грн
10+	213.86 грн
100+	169.62 грн
500+	141.69 грн
1000+	138.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	750.24 грн
5+	659.64 грн
10+	568.24 грн
50+	484.11 грн
100+	406.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	649.87 грн
10+	436.51 грн
100+	374.77 грн
500+	333.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	568.24 грн
50+	484.11 грн
100+	406.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	674.74 грн
10+	459.07 грн
100+	297.01 грн
500+	276.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 5293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.44 грн
50+	156.13 грн
100+	142.03 грн
500+	110.13 грн
1000+	102.69 грн
2000+	102.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 6267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.91 грн
10+	142.26 грн
100+	131.93 грн
500+	115.86 грн
1000+	100.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 7982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.64 грн
10+	166.86 грн
100+	132.15 грн
500+	121.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.60 грн
10+	99.49 грн
100+	68.80 грн
250+	63.97 грн
500+	57.70 грн
1000+	48.03 грн
2000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.23 грн
10+	108.88 грн
100+	83.45 грн
500+	58.37 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	120.44 грн
100+	83.07 грн
500+	62.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.48 грн
10+	127.69 грн
100+	76.98 грн
500+	62.13 грн
1000+	56.95 грн
2000+	53.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	158.15 грн
500+	132.10 грн
1000+	119.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.46 грн
10+	170.69 грн
100+	121.26 грн
500+	102.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.55 грн
10+	191.53 грн
100+	158.15 грн
500+	132.10 грн
1000+	119.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.44 грн
50+	201.39 грн
100+	184.04 грн
500+	144.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.47 грн
10+	214.65 грн
100+	170.98 грн
500+	160.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.08 грн
10+	251.65 грн
100+	181.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.59 грн
500+	138.00 грн
1000+	124.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.33 грн
10+	157.36 грн
100+	152.59 грн
500+	138.00 грн
1000+	124.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.33 грн
10+	157.36 грн
100+	152.59 грн
500+	138.00 грн
1000+	124.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.08 грн
10+	251.65 грн
100+	181.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.59 грн
500+	138.00 грн
1000+	124.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.62 грн
10+	198.69 грн
100+	147.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.36 грн
1000+	141.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.93 грн
10+	222.72 грн
100+	159.28 грн
500+	124.07 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T1GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T5GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	533.38 грн
10+	350.02 грн
100+	257.24 грн
500+	208.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	555.52 грн
10+	377.59 грн
100+	240.47 грн
500+	215.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.91 грн
10+	143.36 грн
100+	89.24 грн
500+	74.93 грн
1000+	65.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	106.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4933 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.22 грн
10+	131.61 грн
100+	77.66 грн
500+	65.06 грн
1000+	60.35 грн
2000+	58.04 грн
5000+	56.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	121.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.55 грн
10+	140.67 грн
100+	100.93 грн
500+	78.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.57 грн
50+	115.52 грн
100+	104.55 грн
500+	80.05 грн
1000+	74.24 грн
2000+	70.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.64 грн
10+	212.30 грн
100+	131.47 грн
500+	108.99 грн
1000+	108.31 грн
2000+	104.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	308.08 грн
10+	196.37 грн
100+	139.51 грн
500+	108.15 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB155N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET D2PAK

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.28 грн
10+	229.53 грн
100+	158.72 грн
500+	142.37 грн
1000+	121.25 грн
2000+	115.81 грн
5000+	114.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB155N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.04 грн
500+	76.01 грн
1000+	68.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.69 грн
10+	170.07 грн
100+	149.41 грн
500+	115.12 грн
1000+	70.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.33 грн
10+	205.84 грн
100+	144.64 грн
500+	110.70 грн
1000+	94.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.63 грн
10+	181.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.51 грн
10+	108.89 грн
100+	89.24 грн
500+	73.57 грн
1000+	70.16 грн
2000+	64.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.90 грн
50+	98.15 грн
100+	95.59 грн
500+	74.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.21 грн
50+	112.64 грн
100+	101.91 грн
500+	78.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 9673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.68 грн
10+	122.21 грн
100+	96.05 грн
500+	78.34 грн
1000+	71.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.99 грн
10+	131.13 грн
100+	124.77 грн
500+	94.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.32 грн
10+	267.14 грн
100+	167.58 грн
1000+	162.81 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.95 грн
10+	247.15 грн
100+	177.97 грн
500+	139.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFETs E Series Power

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.85 грн
10+	194.28 грн
100+	129.43 грн
500+	115.12 грн
1000+	98.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.08 грн
10+	151.10 грн
25+	150.92 грн
50+	144.46 грн
100+	130.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

на замовлення 3274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.20 грн
50+	125.03 грн
100+	113.33 грн
500+	87.11 грн
1000+	80.93 грн
2000+	77.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.36 грн
10+	267.83 грн
100+	137.49 грн
500+	104.79 грн
1000+	94.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.09 грн
10+	127.69 грн
100+	106.95 грн
500+	94.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.62 грн
10+	194.28 грн
100+	126.70 грн
500+	112.40 грн
1000+	98.78 грн
2000+	97.41 грн
5000+	96.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.41 грн
10+	191.36 грн
100+	135.73 грн
500+	118.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.10 грн
10+	207.60 грн
100+	127.39 грн
500+	119.21 грн
1000+	100.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.72 грн
10+	177.34 грн
100+	125.12 грн
500+	96.51 грн
1000+	89.79 грн
2000+	87.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 19A; 179W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 19A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	151.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	348.10 грн
10+	202.11 грн
100+	160.76 грн
500+	143.05 грн
1000+	114.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.92 грн
10+	182.79 грн
100+	166.90 грн
500+	140.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.71 грн
50+	195.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

на замовлення 11755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.73 грн
10+	170.00 грн
100+	108.31 грн
500+	85.83 грн
1000+	84.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.88 грн
10+	109.22 грн
100+	88.37 грн
500+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.53 грн
10+	173.25 грн
100+	127.16 грн
500+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.59 грн
10+	217.78 грн
100+	148.50 грн
500+	132.15 грн
1000+	123.30 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.44 грн
10+	284.52 грн
100+	253.52 грн
500+	169.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 10214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.07 грн
10+	228.75 грн
100+	158.04 грн
500+	140.33 грн
1000+	119.89 грн
2000+	117.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.31 грн
10+	206.03 грн
100+	136.24 грн
500+	122.62 грн
1000+	109.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.36 грн
10+	201.33 грн
100+	123.98 грн
800+	121.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.75 грн
10+	186.19 грн
100+	131.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.32 грн
10+	235.49 грн
100+	169.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65ET1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	318.80 грн
50+	159.24 грн
100+	144.92 грн
500+	112.46 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.20 грн
10+	170.00 грн
100+	134.88 грн
500+	119.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.11 грн
10+	175.48 грн
100+	141.69 грн
500+	133.52 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.57 грн
10+	238.15 грн
100+	189.38 грн
500+	162.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

на замовлення 1416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.63 грн
50+	219.64 грн
100+	201.07 грн
500+	158.19 грн
1000+	155.65 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	423.60 грн
10+	232.06 грн
100+	223.32 грн
500+	160.14 грн
1000+	145.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	371.94 грн
10+	286.11 грн
100+	231.27 грн
500+	190.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.51 грн
10+	327.46 грн
100+	230.25 грн
500+	205.04 грн
1000+	188.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 2606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.23 грн
10+	280.43 грн
100+	205.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.44 грн
10+	303.95 грн
100+	194.14 грн
800+	164.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.45 грн
10+	141.79 грн
100+	117.85 грн
500+	100.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.95 грн
50+	137.72 грн
100+	125.04 грн
500+	96.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.67 грн
10+	217.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.35 грн
10+	189.29 грн
100+	134.22 грн
500+	103.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.78 грн
10+	184.38 грн
100+	131.13 грн
500+	106.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.72 грн
10+	204.46 грн
100+	126.70 грн
500+	115.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.95 грн
50+	228.06 грн
100+	208.94 грн
500+	164.63 грн
1000+	162.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.68 грн
10+	294.23 грн
100+	213.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.68 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	184.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.59 грн
50+	224.92 грн
100+	205.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 76A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	484.00 грн
10+	282.93 грн
100+	280.54 грн
500+	205.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.36 грн
10+	242.85 грн
100+	193.46 грн
500+	165.53 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.59 грн
10+	283.75 грн
100+	208.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.77 грн
10+	305.52 грн
100+	195.51 грн
500+	194.83 грн
800+	165.53 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.55 грн
10+	290.69 грн
100+	211.16 грн
500+	166.36 грн
1000+	164.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.51 грн
10+	310.22 грн
100+	196.19 грн
500+	188.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.72 грн
10+	350.48 грн
100+	255.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.72 грн
10+	350.48 грн
100+	255.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.26 грн
10+	329.43 грн
100+	241.10 грн
500+	192.74 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.10 грн
10+	351.74 грн
100+	224.12 грн
500+	220.03 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.40 грн
10+	336.07 грн
100+	236.38 грн
500+	210.49 грн
800+	188.69 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.63 грн
10+	333.72 грн
100+	234.34 грн
500+	208.45 грн
800+	185.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 132nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.87 грн
50+	73.34 грн
100+	65.74 грн
500+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.91 грн
10+	86.63 грн
100+	74.79 грн
500+	54.17 грн
1000+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.83 грн
10+	66.12 грн
100+	54.84 грн
500+	43.73 грн
1000+	42.44 грн
2000+	37.06 грн
5000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.16 грн
50+	87.26 грн
100+	78.59 грн
500+	59.47 грн
1000+	54.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.19 грн
500+	65.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.31 грн
100+	61.20 грн
500+	55.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.63 грн
10+	270.27 грн
100+	230.25 грн
500+	228.89 грн
1000+	71.53 грн
2000+	70.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.83 грн
75+	74.17 грн
150+	66.94 грн
525+	53.17 грн
1050+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.65 грн
14+	58.73 грн
100+	57.30 грн
500+	46.79 грн
1000+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 8105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.04 грн
10+	58.05 грн
100+	48.98 грн
500+	48.77 грн
1000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.75 грн
500+	58.74 грн
1000+	51.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.25 грн
10+	130.83 грн
100+	87.19 грн
500+	81.06 грн
1000+	77.66 грн
2000+	44.76 грн
4000+	44.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.62 грн
10+	114.44 грн
100+	88.22 грн
500+	75.27 грн
1000+	66.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.22 грн
500+	75.27 грн
1000+	66.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.83 грн
10+	103.76 грн
100+	71.02 грн
500+	53.49 грн
1000+	49.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 4279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.25 грн
10+	109.67 грн
100+	65.60 грн
500+	52.45 грн
3000+	51.23 грн
6000+	49.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 2462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.30 грн
10+	102.87 грн
100+	70.41 грн
500+	53.04 грн
1000+	48.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.20 грн
10+	114.37 грн
100+	81.06 грн
500+	67.98 грн
1000+	63.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 11341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.63 грн
10+	95.57 грн
100+	75.61 грн
500+	64.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
Drain-source voltage: 600V; 600V
Drain current: 8A; 8A
Pulsed drain current: 32A; 32A
Power dissipation: 147W; 147W
Case: DPAK; TO252; DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V; ±30V
On-state resistance: 309mΩ; 309mΩ
Mounting: SMD; SMD
Gate charge: 64nC; 64nC
Kind of package: reel; tape; reel; tape
Kind of channel: enhancement; enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 371 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	174.84 грн
5+	139.99 грн
10+	123.98 грн
75+	122.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.49 грн
75+	89.39 грн
150+	80.96 грн
525+	64.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	145.70 грн
5+	112.34 грн
10+	103.32 грн
75+	101.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.42 грн
10+	122.21 грн
100+	84.50 грн
500+	64.17 грн
1000+	59.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.42 грн
10+	122.21 грн
100+	84.50 грн
500+	64.17 грн
1000+	59.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.42 грн
10+	122.21 грн
100+	84.50 грн
500+	64.17 грн
1000+	59.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	168.49 грн
10+	131.13 грн
100+	96.16 грн
500+	76.01 грн
1000+	68.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.16 грн
500+	76.01 грн
1000+	68.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.89 грн
10+	147.28 грн
100+	98.09 грн
500+	83.11 грн
1000+	79.02 грн
3000+	78.34 грн
6000+	74.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.83 грн
10+	157.48 грн
100+	110.45 грн
500+	84.81 грн
1000+	78.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.21 грн
500+	89.29 грн
1000+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.27 грн
10+	119.07 грн
100+	94.01 грн
500+	81.74 грн
6000+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.09 грн
10+	200.27 грн
100+	119.21 грн
500+	89.29 грн
1000+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

на замовлення 5505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.63 грн
50+	129.26 грн
100+	117.23 грн
500+	90.24 грн
1000+	83.88 грн
2000+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.52 грн
10+	82.26 грн
100+	47.00 грн
500+	37.33 грн
1000+	33.17 грн
3000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	63.17 грн
1000+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.58 грн
10+	134.31 грн
100+	93.30 грн
500+	71.11 грн
1000+	65.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.32 грн
10+	143.36 грн
100+	86.51 грн
500+	70.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.33 грн
10+	124.77 грн
100+	86.63 грн
500+	63.17 грн
1000+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.83 грн
10+	212.32 грн
100+	151.41 грн
500+	117.70 грн
1000+	110.31 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.28 грн
10+	229.53 грн
100+	158.72 грн
500+	141.01 грн
1000+	134.20 грн
3000+	113.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

на замовлення 4827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.77 грн
10+	77.48 грн
100+	45.23 грн
500+	37.06 грн
1000+	32.43 грн
3000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.20 грн
100+	41.61 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.19 грн
10+	69.66 грн
100+	46.71 грн
500+	34.61 грн
1000+	31.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	131.40 грн
5+	114.44 грн
25+	97.41 грн
75+	87.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 65071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.49 грн
10+	86.17 грн
100+	50.95 грн
500+	43.26 грн
1000+	36.79 грн
3000+	34.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

на замовлення 23845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	55.15 грн
100+	33.72 грн
500+	28.20 грн
1000+	22.68 грн
3000+	20.78 грн
6000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	56.80 грн
100+	33.72 грн
500+	28.20 грн
1000+	23.98 грн
3000+	20.37 грн
6000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	39.50 грн
500+	30.63 грн
1000+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.50 грн
10+	56.60 грн
100+	37.38 грн
500+	27.35 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	56.80 грн
100+	33.72 грн
500+	28.20 грн
1000+	23.98 грн
3000+	20.37 грн
6000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.50 грн
13+	61.91 грн
100+	39.50 грн
500+	30.63 грн
1000+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	56.80 грн
100+	33.72 грн
500+	28.20 грн
1000+	23.98 грн
3000+	21.25 грн
9000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.21 грн
500+	136.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.94 грн
10+	99.70 грн
100+	68.16 грн
500+	51.30 грн
1000+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.49 грн
10+	82.26 грн
100+	51.98 грн
500+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.46 грн
10+	91.40 грн
100+	62.55 грн
500+	53.58 грн
1000+	47.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.81 грн
10+	71.29 грн
100+	49.12 грн
500+	40.80 грн
1000+	31.27 грн
3000+	29.77 грн
9000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.06 грн
14+	59.45 грн
100+	49.91 грн
500+	45.46 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.91 грн
500+	45.46 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 201-210 дні (днів)

4+	81.06 грн
10+	59.22 грн
100+	44.82 грн
500+	44.76 грн
1000+	30.25 грн
3000+	28.41 грн
6000+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.02 грн
10+	72.17 грн
100+	48.23 грн
500+	35.61 грн
1000+	32.51 грн
3000+	28.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.34 грн
10+	64.32 грн
100+	40.26 грн
500+	31.68 грн
1000+	28.95 грн
3000+	25.68 грн
6000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

MOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

на замовлення 2871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.59 грн
10+	103.41 грн
100+	71.53 грн
500+	59.20 грн
1000+	46.59 грн
3000+	41.42 грн
6000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

MOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.18 грн
10+	97.92 грн
100+	58.52 грн
500+	49.59 грн
1000+	41.42 грн
3000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFETs 620V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.27 грн
75+	67.44 грн
150+	60.77 грн
525+	48.14 грн
1050+	44.29 грн
2025+	41.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	159.74 грн
10+	72.07 грн
100+	56.34 грн
500+	47.55 грн
1000+	44.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.19 грн
17+	46.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.95 грн
10+	55.15 грн
100+	43.46 грн
500+	36.79 грн
1000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.29 грн
75+	44.37 грн
150+	40.74 грн
525+	37.13 грн
1050+	34.01 грн
2025+	32.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.34 грн
10+	82.26 грн
100+	49.66 грн
500+	42.10 грн
1000+	35.15 грн
2500+	32.43 грн
5000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.56 грн
10+	116.45 грн
100+	80.28 грн
500+	60.81 грн
1000+	56.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.51 грн
10+	125.34 грн
100+	74.93 грн
500+	60.90 грн
1000+	58.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.56 грн
10+	119.86 грн
100+	74.93 грн
500+	62.67 грн
1000+	54.09 грн
3000+	51.02 грн
6000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.63 грн
10+	112.91 грн
100+	77.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.23 грн
10+	100.14 грн
100+	67.00 грн
500+	61.55 грн
1000+	56.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET1-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.35 грн
10+	119.07 грн
100+	72.89 грн
500+	60.90 грн
1000+	55.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHDGGA120A01

Amphenol Socapex

Rectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	524.19 грн
50+	274.08 грн
100+	251.83 грн
500+	202.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.34 грн
50+	205.41 грн
100+	187.81 грн
500+	147.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.19 грн
10+	222.48 грн
100+	177.11 грн
1000+	173.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.55 грн
10+	174.84 грн
100+	173.25 грн
500+	152.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.79 грн
10+	348.61 грн
100+	239.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	635.00 грн
5+	549.17 грн
10+	462.54 грн
50+	373.41 грн
100+	292.24 грн
250+	286.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	462.54 грн
50+	373.41 грн
100+	292.24 грн
250+	286.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	488.17 грн
10+	321.46 грн
100+	245.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SiHF080N60E

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES

на замовлення 3456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.22 грн
10+	185.66 грн
100+	146.46 грн
1000+	127.39 грн
2000+	126.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	185.68 грн
21+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.63 грн
10+	211.40 грн
100+	205.04 грн
500+	157.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.26 грн
50+	170.81 грн
100+	155.69 грн
500+	121.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.50 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.71 грн
10+	350.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.29 грн
10+	289.65 грн
100+	213.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.64 грн
10+	310.22 грн
100+	199.59 грн
1000+	168.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	350.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.94 грн
10+	122.19 грн
100+	89.34 грн
500+	73.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF110N65SF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.31 грн
10+	214.65 грн
100+	170.30 грн
500+	158.04 грн
1000+	119.21 грн
2000+	111.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF110N65SF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.44 грн
50+	201.05 грн
100+	183.75 грн
500+	143.99 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3
Код товару: 171580

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.81 грн
10+	155.11 грн
100+	94.01 грн
500+	77.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.58 грн
50+	103.51 грн
100+	93.49 грн
500+	71.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.32 грн
10+	110.46 грн
100+	86.51 грн
500+	70.85 грн
1000+	70.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF15N60E-E3
Код товару: 117209

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI71

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	214.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.16 грн
10+	140.23 грн
100+	111.04 грн
500+	94.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.46 грн
50+	131.21 грн
100+	119.01 грн
500+	91.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.16 грн
10+	152.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	230.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3
Код товару: 127335

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.02 грн
10+	182.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3
Код товару: 188008

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT

у наявності 6 шт:

2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	210.00 грн
10+	195.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.40 грн
10+	164.51 грн
100+	101.50 грн
500+	95.37 грн
1000+	93.33 грн
2000+	89.24 грн
5000+	87.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.37 грн
10+	162.13 грн
100+	113.65 грн
500+	96.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	373.00 грн
5+	287.13 грн
10+	242.06 грн
25+	214.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.83 грн
5+	230.41 грн
10+	201.71 грн
25+	178.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.65 грн
10+	267.03 грн
100+	197.10 грн
500+	138.00 грн
1000+	117.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	339.35 грн
10+	173.91 грн
100+	137.60 грн
500+	114.44 грн
1000+	113.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 2136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.10 грн
50+	160.48 грн
100+	146.10 грн
500+	113.48 грн
1000+	105.96 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	322.66 грн
10+	207.60 грн
100+	141.01 грн
500+	118.53 грн
1000+	104.22 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	519.76 грн
10+	314.92 грн
100+	240.47 грн
500+	213.22 грн
1000+	200.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF2X0.5
Код товару: 108027

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	508.63 грн
10+	347.30 грн
100+	313.13 грн
500+	273.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	374.75 грн
10+	242.94 грн
100+	176.42 грн
500+	161.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 676A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.40 грн
10+	262.43 грн
100+	196.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	578.57 грн
10+	397.18 грн
100+	325.62 грн
500+	298.37 грн
1000+	192.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.5
Код товару: 123726

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.75
Код товару: 104161

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF4X0.5
Код товару: 115638

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520S-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.11 грн
10+	64.94 грн
100+	37.47 грн
500+	29.56 грн
1000+	26.64 грн
2500+	24.46 грн
5000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.76 грн
10+	64.50 грн
100+	43.04 грн
500+	31.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF530S-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.52 грн
10+	64.79 грн
100+	43.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.96 грн
10+	63.30 грн
100+	39.78 грн
500+	29.22 грн
800+	25.55 грн
2400+	24.05 грн
4800+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	158.95 грн
10+	100.27 грн
100+	60.90 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.55 грн
2000+	40.80 грн
5000+	40.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.57 грн
10+	83.45 грн
100+	64.22 грн
500+	49.81 грн
1000+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.96 грн
10+	78.34 грн
100+	53.07 грн
500+	45.03 грн
1000+	36.65 грн
2000+	35.70 грн
5000+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF620S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.52 грн
10+	64.00 грн
100+	36.92 грн
500+	29.09 грн
1000+	26.23 грн
2500+	24.05 грн
5000+	21.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF620STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF620STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF634S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF634STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF640L-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.33 грн
10+	122.99 грн
100+	73.57 грн
500+	59.20 грн
1000+	55.65 грн
2000+	51.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.63 грн
10+	113.21 грн
100+	77.92 грн
500+	58.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF644S-GE3

SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 975 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	118.68 грн
17+	71.83 грн
45+	67.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.82 грн
10+	148.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.27 грн
10+	146.49 грн
100+	91.28 грн
500+	76.98 грн
1000+	67.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF720STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730AL-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730AS-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730ASTRL-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730ASTRR-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740AL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740AS-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740ASTRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740ASTRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820AS-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820L-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF830S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840AL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840AS-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840ASTRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840L-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCS-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCS-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840S-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STR-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50L-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.67 грн
10+	89.31 грн
100+	62.33 грн
250+	57.49 грн
500+	52.18 грн
1000+	44.76 грн
2000+	42.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50L-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.47 грн
10+	69.41 грн
100+	40.33 грн
500+	31.68 грн
1000+	31.20 грн
2000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.86 грн
10+	63.32 грн
100+	43.22 грн
500+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 909 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	77.99 грн
27+	44.28 грн
73+	41.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530S-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540PBF

MOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540PBF

Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9610S-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.46 грн
10+	62.73 грн
100+	41.82 грн
500+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.95 грн
10+	96.36 грн
100+	57.09 грн
500+	45.57 грн
1000+	42.58 грн
2000+	37.47 грн
5000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.62 грн
10+	89.81 грн
100+	61.26 грн
500+	45.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.67 грн
10+	97.14 грн
100+	67.85 грн
500+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.85 грн
10+	74.76 грн
100+	50.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640L-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640STRL-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640STRR-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14L-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24S-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 1983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.52 грн
10+	65.09 грн
100+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.78 грн
10+	87.23 грн
100+	59.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

MOSFETs TO263 P-CH 60V 18A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRR-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB11N50A-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB11N50A-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB20N50K-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB20N50K-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	436.31 грн
10+	360.36 грн
25+	296.32 грн
100+	254.09 грн
250+	239.78 грн
500+	225.48 грн
1000+	192.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC20L-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 50W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC30AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.54 грн
10+	80.69 грн
100+	47.00 грн
500+	38.49 грн
1000+	33.72 грн
2500+	30.99 грн
5000+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC40AS-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC40AS-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.23 грн
10+	101.10 грн
100+	69.12 грн
500+	52.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE20-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30L-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.83 грн
10+	104.13 грн
100+	71.34 грн
500+	53.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.71 грн
10+	96.23 грн
100+	72.49 грн
500+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

MOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.64 грн
10+	103.41 грн
100+	68.80 грн
2000+	67.44 грн
5000+	63.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFC1

3M Electronic Specialty

Wire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFC9640DWF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD121

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD121-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD122

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD122-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD123

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD123-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD420-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD9014-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD9120-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHFI9540G-E3

MOSFET P-CH 100V 11A TO-220-3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFIB11N50A-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFIB16N50K-E3