SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.53 грн |
| 6000+ | 30.98 грн |
| 9000+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR422DP-T1-GE3 за ціною від 28.94 грн до 128.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 40622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 13561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V |
на замовлення 36671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
SIR422DP-T1-GE3 Код товару: 101557
Додати до обраних
Обраний товар
|
8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |