Продукція > SIR > SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

sir422dp.pdf
Код товару: 101557
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIR422DP-T1-GE3 за ціною від 33.80 грн до 122.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.83 грн
6000+41.05 грн
9000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.20 грн
6000+41.40 грн
9000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+55.96 грн
257+55.01 грн
291+48.59 грн
294+46.39 грн
500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.07 грн
14+55.96 грн
25+55.01 грн
100+46.86 грн
250+42.95 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir422dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.00 грн
10+74.56 грн
100+49.97 грн
500+36.99 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 35697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir422dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.83 грн
6000+41.05 грн
9000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.20 грн
6000+41.40 грн
9000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+55.96 грн
257+55.01 грн
291+48.59 грн
294+46.39 грн
500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.07 грн
14+55.96 грн
25+55.01 грн
100+46.86 грн
250+42.95 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.00 грн
10+74.56 грн
100+49.97 грн
500+36.99 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISH-S-A0001121545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 35697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.