Продукція > SIR422DP-T1-GE3
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

sir422dp.pdf
Код товару: 101557
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIR422DP-T1-GE3 за ціною від 34.01 грн до 148.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay sir422dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+118.94 грн
163+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.61 грн
5+95.09 грн
10+83.20 грн
18+55.19 грн
49+51.79 грн
100+50.94 грн
500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir422dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 291-300 дні (днів)
3+148.34 грн
10+92.58 грн
100+52.67 грн
500+41.83 грн
1000+39.88 грн
3000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 13272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+118.94 грн
163+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.61 грн
5+95.09 грн
10+83.20 грн
18+55.19 грн
49+51.79 грн
100+50.94 грн
500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 291-300 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.34 грн
10+92.58 грн
100+52.67 грн
500+41.83 грн
1000+39.88 грн
3000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISH-S-A0001121545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 13272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.