Продукція > SIR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIR 532 24VDC | --- | Код виробника: SIR532 24VDC Производитель ELESTA GmbH Група товару: Реле електромеханічні та геркони Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-023 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT REAR RELEASE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-038 | Smiths Interconnect | REMOVAL TOOL, SPECIAL #8 TWINAX/QUADRAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-22ST3F | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-22UT3F | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-312STT32 | ROHM | DIP-2 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-312STT32M | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-312STT32N | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-312STT32P | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3F Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters FLAT SIDE IR EMITTER | на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 100mW Po; 18deg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 Packaging: Bulk Package / Case: T-1 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Viewing Angle: 36° Current - DC Forward (If) (Max): 75mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FL Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FM Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FN Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FP | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FP Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FK | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3F | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T-1 | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-381SB | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR-381SB3F | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR-381SB3FX1 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3HL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3HM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-48IT3(P) | на замовлення 4574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM | 04+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.38V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters CLEAR REMOTE IR EMIT DIRECT MOUNTING TYP | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH OUTPUT | на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8.2mW/sr @ 50mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM | 04+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FM | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 11mW Po; 15deg | на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FX | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR-563STT32Z1P | Rohm Semiconductor | Description: SIR-563STT32Z1P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V Viewing Angle: 26° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 18mW/sr @ 50mA Part Status: Not For New Designs | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH SPEED | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFQ | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFR | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFS | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED FOR REMOTE CONTROLLER | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Active | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-59SSTA47 | ROHM | 04+ | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-935 | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-S4-105A | GOODSKY | ZIP-4 | на замовлення 334 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR-S4-105AAP | на замовлення 381 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) tariffCode: 85366990 productTraceability: No Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e) euEccn: NLR Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 5 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 5 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 5 Number of Rows: 1 | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 5 Number of Rows: 1 | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 7POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Contacts: 7 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-07-S-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 7 Kontakt(e) tariffCode: 85366990 productTraceability: No Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Anzahl der Kontakte: 7Kontakt(e) euEccn: NLR Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-S-S-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec | .100 Inch Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 15POS R/A SMD Packaging: Bulk Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | ECE POWER RIGHT ANGLE ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: 0 Rastermaß: 0 Anzahl der Kontakte: 0 Kontaktmaterial: 0 Anzahl der Reihen: 0 Federbelasteter Steckverbinder: 0 Steckverbindermontage: 0 Produktpalette: 0 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 2.54MM ONE-PIECE RA INTERFACE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 15 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V | на замовлення 5937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100 V | на замовлення 18835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | на замовлення 8411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V | на замовлення 6653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | на замовлення 25463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | на замовлення 6804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 6574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V | на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 8304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 17283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | на замовлення 7809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 17283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | на замовлення 6509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 50°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 38922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | на замовлення 12554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 34825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 17558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | на замовлення 7453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 19,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3250 @ 15, Qg, нКл = 87 @ 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A | на замовлення 5192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V | на замовлення 11305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR15-21C | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 10952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 10952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V | на замовлення 4430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | на замовлення 9914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | на замовлення 7626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 6018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164 | VISHAY | 09+ | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 8814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 123nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 69W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 70A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | на замовлення 3273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V | на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR164DY-T1-GE3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 13215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15, Qg, нКл = 138 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 69,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | на замовлення 13196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Drain current: -60A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 138nC On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 65.8W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -120A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 34313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 15798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V Viewing Angle: 150° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 65mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET | на замовлення 8063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | на замовлення 7386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | на замовлення 11431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V | на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | на замовлення 4152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V | на замовлення 8263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 4711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 12300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | на замовлення 15991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 20529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 74740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 25227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 25227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 9298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 336474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 16661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | на замовлення 12480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | на замовлення 40120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 11677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR19-21C | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | EVERLIGH | 2010+ LED | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 37128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR19-315 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 870NM 70MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 870nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V Viewing Angle: 140° Current - DC Forward (If) (Max): 70mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1B6B4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR1B6B4 | Littelfuse Inc. | Description: SSR RELAY SPST-NC 6A 0-120V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: AC Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 90 ~ 150VAC/DC Circuit: SPST-NC (1 Form B) Operating Temperature: -20°C ~ 60°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Load Current: 6 A Approval Agency: UR Voltage - Load: 0 V ~ 120 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1C20B6 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR2 | N/A | 09+ SOP8 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR204-A | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR204-A | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 3mm; blue; 30°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 4mW/sr Type of diode: IR transmitter LED diameter: 3mm LED lens: blue Viewing angle: 30° Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 4mW/sr Operating voltage: 1.3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED Lamp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR204C | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 3mm; transparent; 30°; λp max: 875nm; THT; 20mA Type of diode: IR transmitter LED diameter: 3mm LED lens: transparent Viewing angle: 30° Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 4mW/sr Operating voltage: 1.3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR2167 | на замовлення 12060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR234 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR234 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR25-15-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Propane Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR25-15-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2A20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2A20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR2B20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2B20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse Inc. | Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR300B | на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR312-24VDC | ELESTA Relays | PCB Power Relay | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR312-24VDC | ELESTA Relays | PCB Power Relay | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR3123 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR312P-24VDC | ELESTA Relays | PCB relay with forcibly guided contacts | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR312P-24VDC | ELESTA Relays | PCB relay with forcibly guided contacts | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR314M200S043 | NextGen Components | Description: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 314.2 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S041 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S042 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S043 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M050S042 | NextGen Components | Description: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.05 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M500S042 | NextGen Components | Description: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.5 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR318M000S041 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR318M000S042 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR323-5 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 35° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333-A | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 7.8mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3V Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 7.8mW/sr LED diameter: 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333-A | EVERLIGHT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR333-A/TR1(R) | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; 20mA; 7.8mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Wavelength of peak sensitivity: 875nm LED current: 20mA radiant intensity: 7.8mW/sr LED diameter: 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333/H19-R11 | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3...1.6V DC Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 20mW/sr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight | Infrared Emitters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Viewing Angle: 15° Current - DC Forward (If) (Max): 50mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 S7440 | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3...1.6V DC Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 20mW/sr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight | Infrared Emitters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR341STA49 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR341STA9 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR36150 | Brady Corporation | Description: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR383 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics CO., LTD | Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR3850A | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | на замовлення 8200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 118130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 6471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | на замовлення 13886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR408DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 4330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR414DP | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 12902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V | на замовлення 5034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4156LDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR418DP-T1-E3 | VISHAY | QFN 10+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | на замовлення 11014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418M000S041 | NextGen Components | Description: 418MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 418 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418M000S042 | NextGen Components | Description: 418MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 418 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422 21VDC Код товару: 128096
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SiR422DP-T1-E3 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V | на замовлення 5682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 37562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 13561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 Код товару: 101557
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 12652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 12672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIR426dp кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | на замовлення 22182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 48891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | на замовлення 2122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA12DP-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR433M220S042 | NextGen Components | Description: 433.22MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.22 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M420S042 | NextGen Components | Description: 433.42MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.42 MHz | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S041 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S042 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S043 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-100KHz 4P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S046 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-30KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±30kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M970S041 | NextGen Components | Description: 433.97MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.97 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 40A 50W | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V 60A 83W | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 78A | на замовлення 10934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A | на замовлення 6998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | на замовлення 12405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 5383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4411DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4411DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A | на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 45V 36A | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460 | VISHAY | 09+ | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.2A | на замовлення 20749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 49.3 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 49.3 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.6A | на замовлення 6509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | на замовлення 30487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42.8 A, 0.0099 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.1A | на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42.8 A, 0.0099 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A | на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 Код товару: 100038
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR462DP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-E3 | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 18581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 24060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 5435 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR462DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR462DPR462 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR464 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | VISHAY | 08+ DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | на замовлення 3282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR464DPR464 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR466DP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 20509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | 1041+ QFN-8 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | VISHAY QFN 12+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | на замовлення 26670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Power dissipation: 66.6W Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 29837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 6053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472DP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | на замовлення 1829 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 3.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474 | VISHAY | 09+ | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 Код товару: 100039
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 20A 29.8W | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR474DPR474 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR492DP | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR494 | EVERLIGHT | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V | на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR496DP-T1-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiR500DP | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 38002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 38958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A Technology: TrenchFET® Gate charge: 180nC On-state resistance: 0.68mΩ Power dissipation: 104.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 350.8A Pulsed drain current: 500A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR505ST47 | ROHM | 04+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 14360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 51nC On-state resistance: 5.6mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 110A N-CH MOSFET | на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 14360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5108DP | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SO8 100V 55.9A N CHAN | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) | на замовлення 16210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 81nC On-state resistance: 4.2mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 5941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V | на замовлення 3966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET | на замовлення 2652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V | на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V | на замовлення 5836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 84.8A N-CH MOSFET | на замовлення 5477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V | на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100volts 63.7amp | на замовлення 4741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 71.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 63.7A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5203DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5205DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5208DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) 150C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5308-0.3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR5308-0.3W | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR5308-0.5 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR5308-1W | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5404DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 10779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V | на замовлення 8812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5623DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5623DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V | на замовлення 10661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V | на замовлення 6956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR563ST3FX | ROHM | 04+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR56SB3 | на замовлення 2417 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR56SB3-Rohm (инфракрасный светодиод 5мм) Код товару: 14584
Додати до обраних
Обраний товар
| Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні Розмір: 5 mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIR56SB3F | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR56ST3 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Gate charge: 20nC On-state resistance: 27mΩ Power dissipation: 65.7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET | на замовлення 16277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V | на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | на замовлення 5102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET | на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 71nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 31.5mΩ Power dissipation: 4.8W Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 150V Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET | на замовлення 18068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5712DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | на замовлення 10375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V | на замовлення 5821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V | на замовлення 6501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 59.7A N-CH MOSFET | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A Technology: TrenchFET® Gate charge: 54nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 92.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 59.7A Pulsed drain current: 180A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V | на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 48.1A; Idm: 150A Technology: TrenchFET® Gate charge: 48nC On-state resistance: 14.3mΩ Power dissipation: 78W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 48.1A Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V | на замовлення 5734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42.2A; Idm: 120A Technology: TrenchFET® Gate charge: 38nC On-state resistance: 17mΩ Power dissipation: 71.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 42.2A Pulsed drain current: 120A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET | на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V | на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 49nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 70.2A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET | на замовлення 6878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V | на замовлення 3801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 60nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 137.5A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | на замовлення 11634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V | на замовлення 11931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | на замовлення 5423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 35.8A | на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V | на замовлення 13869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 76nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 146A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR5810DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 150C MOSFET | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5812DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 13A | на замовлення 6840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V | на замовлення 5934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 116 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 92.5 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 116A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 67nC On-state resistance: 3.9mΩ Power dissipation: 92.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 116A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 116 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 92.5 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A | на замовлення 7838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V | на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 250A Technology: TrenchFET® Gate charge: 56nC On-state resistance: 4.7mΩ Power dissipation: 83.3W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 250A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5850A | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A | на замовлення 19850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | на замовлення 8168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | на замовлення 8519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A | на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 59.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | на замовлення 29328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 3887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | на замовлення 29328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | на замовлення 8914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V | на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 3337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 Dauer-Drainstrom Id: 208 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 18665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V | на замовлення 16007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 10589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR616DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V | на замовлення 8845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR616DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIR616DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR616DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|