SIR840DP-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR840DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIR840DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR840DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIR840DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |