SIR840DP-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR840DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції SIR840DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR840DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товар відсутній |
|
 |
SIR840DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET |
товар відсутній |