Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis412dn_new.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.67 грн
6000+13.89 грн
9000+13.28 грн
15000+11.82 грн
21000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 12.69 грн до 69.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 17022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.74 грн
12+26.86 грн
100+18.48 грн
500+17.57 грн
1000+15.76 грн
3000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 34881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.32 грн
10+38.60 грн
100+25.14 грн
500+18.15 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.47 грн
19+43.44 грн
100+28.23 грн
500+20.24 грн
1000+16.87 грн
5000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697
Додати до обраних Обраний товар

sis412dn_new.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.