Продукція > SIS > SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

sis412dn_new.pdf
Код товару: 173697
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 12.03 грн до 79.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
6000+15.09 грн
9000+14.43 грн
15000+12.84 грн
21000+12.43 грн
30000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.13 грн
6000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.19 грн
6000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.56 грн
412+34.31 грн
416+33.96 грн
643+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.78 грн
12+37.74 грн
100+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.10 грн
16+49.27 грн
25+47.56 грн
100+33.09 грн
250+30.32 грн
500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 45369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.60 грн
10+41.95 грн
100+27.32 грн
500+19.72 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.36 грн
277+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0015358846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.02 грн
6000+15.09 грн
9000+14.43 грн
15000+12.84 грн
21000+12.43 грн
30000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.13 грн
6000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.19 грн
6000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
297+47.56 грн
412+34.31 грн
416+33.96 грн
643+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.78 грн
12+37.74 грн
100+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.10 грн
16+49.27 грн
25+47.56 грн
100+33.09 грн
250+30.32 грн
500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 45369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.60 грн
10+41.95 грн
100+27.32 грн
500+19.72 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+79.36 грн
277+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISH-S-A0015358846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 26548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.