SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis412dn_new.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.77 грн
6000+13.74 грн
9000+13.06 грн
15000+12.21 грн
21000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 14.50 грн до 46.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.04 грн
25+32.80 грн
36+24.98 грн
99+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 29142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
12+26.21 грн
100+20.75 грн
500+18.19 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.24 грн
24+35.49 грн
100+26.82 грн
500+20.77 грн
1000+15.99 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
10+38.49 грн
100+23.32 грн
500+19.50 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
25+40.87 грн
36+29.98 грн
99+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697
Додати до обраних Обраний товар

sis412dn_new.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.