SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 11.67 грн до 73.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 50183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 11262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 26828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|