на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS412DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 12.41 грн до 51.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 36594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 14259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 30377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS412DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SIS412DN-T1-GE3 Код товару: 173697
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|