Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISSISBGA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS-163-U
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS-163U
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS-6801-A1-AX
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS03VABel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS03VBBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS03VDBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS03VEBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS03VYBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS044200SPL-1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS07VABel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS07VBBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS07VDBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS07VEBel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS106DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 19384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+57.14 грн
100+44.46 грн
500+35.36 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 15091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 87335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.67 грн
6000+14.55 грн
9000+14.25 грн
15000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 25654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 19507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+37.29 грн
100+25.99 грн
500+20.35 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112-12VDCELESTA RelaysPCB Power Relay
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+2043.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
10+40.38 грн
100+27.94 грн
500+21.91 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.38 грн
6000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS1206L-4R6FT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWER P AKNC HAN80V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
50+52.82 грн
100+44.19 грн
500+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.78 грн
9000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
на замовлення 32072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.52 грн
50+48.93 грн
100+40.87 грн
500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET 42AJ0531
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWER P AKNC HAN80V
на замовлення 16008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.27 грн
9000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS150-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Ignition Type: Direct Spark
BTU's: 150000
Width (Inches): 13
Length (Inches): 513
Fuel Type: Natural Gas
Part Status: Active
Height: 6-1/4"
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+195220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS150E
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS160
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS162USISLFBGA
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS163
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS163A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS163A1DASIS05+
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS163U
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS163UZSIS0750+/
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS168C1AD
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+156751.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+150199.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+171754.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+193341.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+178705.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+178705.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Ignition Type: Direct Spark
BTU's: 175000
Width (Inches): 13
Length (Inches): 633
Fuel Type: Propane
Part Status: Active
Height: 6-1/4"
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+183016.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS176LDN-T1-GE3 - N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 70V
на замовлення 35519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.59 грн
50+52.02 грн
100+43.51 грн
500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 20271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.50 грн
50+49.53 грн
100+41.35 грн
500+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.88 грн
9000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A
на замовлення 37514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS180
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.96 грн
6000+42.15 грн
9000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+87.56 грн
100+68.09 грн
500+54.16 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+96.99 грн
100+77.17 грн
500+61.28 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 17550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS2038SAGAMIDIP-471 SIS4047
на замовлення 112240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS2038 DIP-471 SIS4047SAGAMI
на замовлення 91240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS2038DIP-471
на замовлення 91240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS2038DIP-471SIS4047SAGAMI
на замовлення 110329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212 24VDC SENELESTA RelaysPower Switching Relay
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1864.55 грн
10+1819.46 грн
25+1784.04 грн
100+1695.48 грн
500+1557.43 грн
1000+1457.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212 24VDC SENELESTA RelaysPower Switching Relay
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2250.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212 5VDC SENELESTA RelaysPCB Relay with Forcibly Guided Contacts
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1903.19 грн
560+1857.03 грн
630+1821.61 грн
840+1730.67 грн
1120+1590.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212 5VDC SENELESTA RelaysPCB Relay with Forcibly Guided Contacts
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+2297.01 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-12VDCELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1522.93 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-12VDCELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1532.68 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-12VDC SENELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+2318.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-24VDCELESTA RelaysPower Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.3x16.8x16.5)mm THT
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1517.60 грн
25+1501.53 грн
100+1434.48 грн
500+1313.87 грн
1000+1249.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-24VDCELESTA RelaysPower Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.3x16.8x16.5)mm THT
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.62 грн
10+1521.05 грн
25+1504.94 грн
100+1437.74 грн
500+1316.87 грн
1000+1252.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-24VDC SENELESTA RelaysPower Switching Relay
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2326.90 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-5VDCELESTA RelaysPower Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-5VDCELESTA RelaysPower Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+2097.86 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS212-5VDC SENELESTA RelaysPCB Relay with Forcibly Guided Contacts
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2374.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS21212VDCELESTA RelaysPower Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.3x16.8x16.5)mm THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]