Продукція > SIS

BGA

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS 112 12VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS 112 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS 112 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS 112 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS 11212VDC

PCB Power Relay

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS 11224VDC

PCB Power Relay

на замовлення 4259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1068.02 грн
9+	979.76 грн
40+	955.82 грн
100+	841.26 грн
126+	795.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS 11248VDC

Power Relay 48VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS-163-U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS-163U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS-6801-A1-AX

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS03VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VY

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS044200SPL-1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS07VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.54 грн
10+	62.23 грн
100+	48.42 грн
500+	38.51 грн
1000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	35.63 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.52 грн
10+	67.25 грн
100+	45.30 грн
500+	35.67 грн
1000+	32.51 грн
3000+	31.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 15131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	88.09 грн
15+	59.40 грн
100+	45.59 грн
500+	30.66 грн
1000+	25.72 грн
5000+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 24022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.99 грн
10+	61.99 грн
100+	40.56 грн
500+	31.72 грн
1000+	28.88 грн
3000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 15131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.59 грн
500+	30.66 грн
1000+	25.72 грн
5000+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 111653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.30 грн
10+	45.56 грн
100+	27.15 грн
500+	22.18 грн
1000+	20.12 грн
3000+	15.94 грн
6000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 19507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.61 грн
10+	40.61 грн
100+	28.31 грн
500+	22.16 грн
1000+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 26847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.56 грн
21+	43.91 грн
100+	30.01 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.60 грн
5000+	13.96 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.07 грн
6000+	15.85 грн
9000+	15.51 грн
15000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

на замовлення 26847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.01 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.60 грн
5000+	13.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	16.20 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIS112 3.3VDC SEN

H320934

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112 5VDC L38

H320845

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112-12VDC

PCB Power Relay

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	1826.45 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIS112-21VDC

Relay

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112-5VDC REDESIGN

Power Relay 5VDC 6A SPST-NO/SPST-NC (( 29.2mm 16.6mm 16.5mm)) Through Hole

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS112-6VDC SEN

Power Relay

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.43 грн
10+	49.28 грн
100+	28.88 грн
500+	22.73 грн
1000+	20.60 грн
3000+	17.20 грн
6000+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.93 грн
10+	43.98 грн
100+	30.43 грн
500+	23.87 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.02 грн
6000+	18.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS1206L-4R6FT

на замовлення 142 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	97.38 грн
14+	65.16 грн
100+	49.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.20 грн
10+	59.60 грн
100+	45.25 грн
500+	34.50 грн
1000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	66.43 грн
100+	43.88 грн
500+	36.38 грн
1000+	30.30 грн
3000+	27.78 грн
6000+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.22 грн
6000+	25.21 грн
9000+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.04 грн
50+	65.95 грн
100+	48.16 грн
500+	34.94 грн
1500+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

на замовлення 16008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	62.62 грн
100+	37.72 грн
500+	32.99 грн
1000+	29.12 грн
3000+	26.12 грн
6000+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 13271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.42 грн
10+	66.09 грн
100+	43.75 грн
500+	32.07 грн
1000+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.43 грн
500+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS150-40-TG-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 150000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	212620.07 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS150E

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS160

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS162U

LFBGA

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163A1DA

05+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163U

на замовлення 227 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163UZ

0750+/

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS168C1AD

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	170723.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	163586.61 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	187062.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-TG-N5

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	210574.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	194633.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	194633.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	199328.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.17 грн
6000+	27.87 грн
9000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 70V

на замовлення 35519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.81 грн
10+	63.62 грн
100+	39.46 грн
500+	31.72 грн
1000+	28.96 грн
3000+	25.81 грн
6000+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 11837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.66 грн
10+	72.34 грн
100+	48.06 грн
500+	35.31 грн
1000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.06 грн
500+	34.94 грн
1000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

на замовлення 2802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.98 грн
10+	63.38 грн
100+	43.88 грн
500+	34.41 грн
1000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.05 грн
14+	66.04 грн
100+	45.06 грн
500+	33.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

на замовлення 37514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.97 грн
10+	63.62 грн
100+	36.85 грн
500+	28.96 грн
1000+	26.44 грн
6000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS180

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 14940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	95.36 грн
100+	74.16 грн
500+	58.99 грн
1000+	48.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	170.86 грн
10+	108.89 грн
100+	73.57 грн
500+	54.26 грн
1000+	47.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 28437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.11 грн
10+	99.83 грн
100+	65.26 грн
500+	51.85 грн
1000+	45.85 грн
3000+	44.04 грн
9000+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.05 грн
6000+	45.91 грн
9000+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.57 грн
500+	54.26 грн
1000+	47.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.32 грн
10+	105.63 грн
100+	84.05 грн
500+	66.74 грн
1000+	56.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.78 грн
500+	53.43 грн
1000+	45.61 грн
5000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

на замовлення 5534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	145.19 грн
10+	100.04 грн
100+	75.78 грн
500+	53.43 грн
1000+	45.61 грн
5000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 17550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	180.46 грн
10+	117.98 грн
100+	70.95 грн
250+	70.87 грн
500+	57.29 грн
1000+	52.95 грн
3000+	49.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS2038

DIP-471 SIS4047

на замовлення 112240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038 DIP-471 SIS4047

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038DIP-471

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038DIP-471SIS4047

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212 12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212 18VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS212 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS212 5VDC SEN

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212 60VDC SEN

SIS212-60VDC SEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1467.83 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1361.26 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	2072.44 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1272.12 грн
10+	1259.36 грн
50+	1246.81 грн
100+	1190.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1178.44 грн
50+	1166.69 грн
100+	1113.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	2079.87 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	2009.08 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2122.03 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS212110VDC

Power Relay 110VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS21212VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS21218VDC

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS2125VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS222 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS222 24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS222 5VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS222 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contact

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS222-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS22224V

ELESTA

0947

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS300

00+

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301

00+

на замовлення 296 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301-A1

TQFP100

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301B

на замовлення 22300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS301B0EF-T-5

2002

на замовлення 587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS301BO

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301C2CA

03+

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301DH

01+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301DHMV

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVD0

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVMV

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVMVBO

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

на замовлення 449 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

02+

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

TQFP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MVBOFF

02+

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MVC

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301VB

QFP100

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELC

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELV

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELV

05+

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVE

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVE0

на замовлення 152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVMV

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVZ

06+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVZE0CY

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LV

0602+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVE0

на замовлення 298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVE0CY-L-5

2004

на замовлення 730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVEOBF(CM.01)

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVMV

02+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVMV

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVZE0CY-5

QFP128

на замовлення 361 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305

02+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305DOAA

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS307DV

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307DVAOAA

на замовлення 20949 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELV

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELVBO BA

08+

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELVBOBA

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS312-24VDC SEN KV2

Relays with forcibly guided contacts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS312-48VDC

Power Relay 48VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS31212VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS31218VDC

Power Relay 18VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS31218VDC SEN

SIS31218VDC SEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS31224VDC

Power Relay 24VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS315

02+

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS315AOGA

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS315E

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS316MX

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS330DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS332DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS333A1CA

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS333A1CACM02

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS334DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS334DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4001X01-3070

на замовлення 3981 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.16 грн
10+	131.60 грн
100+	79.71 грн
500+	63.37 грн
1000+	61.71 грн
3000+	55.56 грн
6000+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.27 грн
10+	133.17 грн
100+	91.30 грн
500+	68.88 грн
1000+	63.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4047DIP-471SIS2038

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-E3

на замовлення 875 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.49 грн
6000+	21.43 грн
9000+	19.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.86 грн
21+	44.09 грн
100+	31.78 грн
500+	29.27 грн
1000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2982 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	58.32 грн
25+	44.97 грн
70+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

на замовлення 71200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 13189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.32 грн
10+	51.63 грн
100+	35.72 грн
500+	28.00 грн
1000+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.78 грн
500+	29.27 грн
1000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 106661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.86 грн
10+	42.29 грн
100+	26.52 грн
500+	25.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	25.50 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.55 грн
6000+	23.68 грн
9000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.90 грн
10+	41.66 грн
100+	30.86 грн
500+	26.52 грн
1000+	25.02 грн
3000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

на замовлення 14026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.15 грн
10+	62.81 грн
100+	41.45 грн
500+	30.29 грн
1000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.009 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	57.19 грн
50+	50.73 грн
100+	37.71 грн
500+	30.91 грн
1500+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.35 грн
13+	70.38 грн
100+	52.85 грн
500+	39.54 грн
1000+	31.57 грн
5000+	28.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 28126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.12 грн
10+	76.69 грн
100+	48.38 грн
500+	37.96 грн
1000+	34.57 грн
3000+	30.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 43289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.64 грн
10+	75.71 грн
100+	50.42 грн
500+	37.13 грн
1000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	109.78 грн
12+	75.69 грн
100+	57.63 грн
500+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 11310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.47 грн
10+	65.35 грн
100+	50.89 грн
500+	37.98 грн
1000+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 29501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.20 грн
10+	69.52 грн
100+	46.09 грн
500+	38.51 грн
6000+	37.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.09 грн
6000+	30.18 грн
9000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

на замовлення 278 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	95.37 грн
139+	91.11 грн
250+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3)
Код товару: 63212

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3

09+ QFN-8

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3

QFN-8 09+

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3
Код товару: 56990

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.64 грн
12+	30.40 грн
100+	20.91 грн
500+	19.89 грн
1000+	17.84 грн
3000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	56.41 грн
37+	32.55 грн
100+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 33581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.00 грн
10+	42.17 грн
100+	27.46 грн
500+	19.82 грн
1000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 32433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.30 грн
26+	34.26 грн
100+	27.18 грн
500+	23.92 грн
1000+	19.88 грн
5000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.11 грн
6000+	15.17 грн
9000+	14.51 грн
15000+	12.91 грн
21000+	12.50 грн
30000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SiS412DNS412

на замовлення 199 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	61.26 грн
50+	43.11 грн
100+	29.48 грн
500+	22.77 грн
1500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.99 грн
6000+	15.06 грн
9000+	14.28 грн
15000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 41247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.30 грн
10+	46.01 грн
100+	26.12 грн
500+	20.12 грн
1000+	18.15 грн
3000+	15.78 грн
6000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.04 грн
250+	26.06 грн
500+	20.87 грн
1000+	16.01 грн
5000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3
Код товару: 151913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.58 грн
6000+	17.74 грн
9000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 37688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.88 грн
10+	41.84 грн
100+	27.25 грн
500+	19.67 грн
1000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS414DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS414DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 5061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	49.51 грн
262+	48.44 грн
314+	40.29 грн
315+	38.73 грн
500+	29.16 грн
1000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 256

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	79.85 грн
17+	52.14 грн
100+	37.09 грн
500+	29.51 грн
1000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

318+	39.86 грн
382+	33.10 грн
384+	32.99 грн
500+	26.01 грн
1000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 318

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 22397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.56 грн
10+	43.29 грн
100+	26.91 грн
500+	23.04 грн
1000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	61.04 грн
14+	53.05 грн
25+	51.90 грн
100+	41.62 грн
250+	38.42 грн
500+	29.99 грн
1000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.09 грн
500+	29.51 грн
1000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS422 12VDC SEN

H321069

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422 24VDC SP

H301369

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422 5VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1840.86 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	3112.20 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS422-21VDC

H300755

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422-24VDC

Relays with forcibly guided contact

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422-5VDC

Power Relay 5VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422110VDC

Relays with forcibly guided contact

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS424DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS424DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS424DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

VISHAY QFN 11+

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

на замовлення 1620 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3775 шт:

термін постачання 299-308 дні (днів)

7+	58.19 грн
10+	49.92 грн
100+	29.99 грн
500+	25.10 грн
1000+	21.86 грн
3000+	19.97 грн
6000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 5818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.39 грн
10+	47.84 грн
100+	31.35 грн
500+	22.75 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.25 грн
13+	28.95 грн
100+	18.78 грн
500+	14.84 грн
1000+	11.44 грн
3000+	10.42 грн
9000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS429DNT-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS429DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

MOSFET 25V 35A 52W

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 21.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.43 грн
500+	44.06 грн
1500+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

на замовлення 22024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.34 грн
10+	57.54 грн
100+	43.59 грн
500+	32.51 грн
1000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3
Код товару: 209118

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.86 грн
50+	77.02 грн
100+	58.43 грн
500+	44.06 грн
1500+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.16 грн
6000+	25.70 грн
9000+	25.09 грн
15000+	23.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 51557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.52 грн
10+	62.44 грн
100+	41.12 грн
500+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.53 грн
10+	48.37 грн
100+	30.62 грн
500+	26.20 грн
1000+	22.41 грн
3000+	21.47 грн
6000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.40 грн
19+	39.03 грн
25+	38.64 грн
100+	30.70 грн
250+	28.15 грн
500+	24.16 грн
1000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	36.43 грн
351+	36.06 грн
426+	29.72 грн
430+	28.37 грн
500+	23.49 грн
1000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.54 грн
10+	36.75 грн
100+	32.86 грн
500+	24.82 грн
1000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 13.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.67 грн
6000+	20.35 грн
9000+	19.51 грн
15000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.33 грн
500+	31.16 грн
1500+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.18 грн
10+	54.09 грн
100+	34.25 грн
500+	26.91 грн
1000+	24.46 грн
3000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.93 грн
50+	52.85 грн
100+	38.33 грн
500+	31.16 грн
1500+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 24532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.56 грн
10+	48.58 грн
100+	35.37 грн
500+	26.09 грн
1000+	23.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH

на замовлення 4456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.48 грн
10+	68.34 грн
100+	39.46 грн
500+	31.17 грн
1000+	28.96 грн
3000+	24.54 грн
6000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.74 грн
12+	74.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS4410DC-T1

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 15244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.93 грн
10+	110.66 грн
25+	100.04 грн
50+	84.67 грн
100+	69.96 грн
250+	63.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.61 грн
25+	51.79 грн
100+	49.14 грн
250+	44.76 грн
500+	42.27 грн
1000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.06 грн
6000+	45.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	73.76 грн
180+	70.47 грн
250+	67.63 грн
500+	62.87 грн
1000+	56.31 грн
2500+	52.46 грн
5000+	51.05 грн
10000+	49.80 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.00 грн
10+	107.61 грн
100+	72.90 грн
500+	54.50 грн
1000+	50.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

258+	49.10 грн
262+	48.33 грн
266+	47.56 грн
271+	45.12 грн
500+	41.09 грн
1000+	38.79 грн

Мінімальне замовлення: 258

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS444DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.78 грн
10+	49.46 грн
100+	34.09 грн
500+	30.94 грн
1000+	27.31 грн
3000+	24.31 грн
6000+	22.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS444DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.52 грн
10+	49.10 грн
100+	34.49 грн
500+	29.04 грн
1000+	26.36 грн
3000+	23.04 грн
6000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.15 грн
500+	27.05 грн
1000+	23.75 грн
5000+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	48.70 грн
25+	48.22 грн
50+	43.51 грн
100+	33.30 грн
250+	31.73 грн
500+	28.80 грн
1000+	26.41 грн
3000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.85 грн
21+	43.56 грн
100+	35.15 грн
500+	27.05 грн
1000+	23.75 грн
5000+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	45.45 грн
281+	45.01 грн
301+	42.11 грн
364+	33.56 грн
366+	30.85 грн
500+	26.88 грн
1000+	24.65 грн
3000+	22.95 грн
6000+	22.89 грн

Мінімальне замовлення: 279

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.00 грн
10+	58.86 грн
100+	40.71 грн
500+	31.92 грн
1000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS448DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS448DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 27.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 18326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.20 грн
10+	66.80 грн
100+	43.80 грн
500+	34.33 грн
1000+	33.93 грн
6000+	31.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.52 грн
6000+	28.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	107.12 грн
13+	71.09 грн
100+	54.00 грн
500+	39.79 грн
1000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.83 грн
10+	60.01 грн
100+	46.69 грн
500+	37.14 грн
1000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.92 грн
13+	70.47 грн
100+	47.19 грн
500+	34.69 грн
1000+	28.76 грн
5000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 10520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.00 грн
10+	63.63 грн
100+	42.18 грн
500+	30.91 грн
1000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

на замовлення 9451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.19 грн
500+	34.69 грн
1000+	28.76 грн
5000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.04 грн
10+	66.61 грн
100+	39.22 грн
500+	30.94 грн
1000+	28.33 грн
3000+	24.70 грн
6000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.14 грн
6000+	24.22 грн
9000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A

на замовлення 5491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.01 грн
10+	71.88 грн
100+	41.43 грн
500+	32.75 грн
1000+	31.88 грн
3000+	27.07 грн
6000+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.00 грн
500+	41.43 грн
1000+	30.20 грн
3000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.37 грн
18+	41.19 грн
25+	40.77 грн
50+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 14527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.29 грн
10+	54.01 грн
100+	42.02 грн
500+	33.42 грн
1000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.53 грн
12+	74.98 грн
100+	54.00 грн
500+	41.43 грн
1000+	30.20 грн
3000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.36 грн
6000+	26.01 грн
9000+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.07 грн
14+	63.30 грн
100+	42.49 грн
500+	28.85 грн
1000+	23.75 грн
5000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	32.96 грн
23+	31.80 грн
25+	31.49 грн
50+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 5855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.73 грн
10+	55.00 грн
100+	38.04 грн
500+	29.83 грн
1000+	25.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.25 грн
10+	61.17 грн
100+	36.30 грн
500+	31.41 грн
3000+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

на замовлення 5446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.49 грн
500+	28.85 грн
1000+	23.75 грн
5000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.77 грн
500+	31.07 грн
1000+	25.65 грн
5000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	64.89 грн
100+	37.56 грн
500+	29.36 грн
1000+	26.67 грн
3000+	24.46 грн
6000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	97.38 грн
13+	68.70 грн
100+	45.77 грн
500+	31.07 грн
1000+	25.65 грн
5000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.48 грн
19+	39.44 грн
25+	39.05 грн
50+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.86 грн
10+	59.02 грн
100+	40.86 грн
500+	32.04 грн
1000+	27.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN

SIS4634LDN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.78 грн
10+	44.72 грн
100+	31.00 грн
500+	24.31 грн
1000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.39 грн
6000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS463EDC-T1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.92 грн
10+	95.29 грн
100+	56.58 грн
500+	44.83 грн
1000+	41.35 грн
3000+	39.06 грн
6000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 4695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.95 грн
10+	93.14 грн
100+	62.67 грн
500+	46.56 грн
1000+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 39386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.22 грн
11+	81.00 грн
100+	60.82 грн
500+	42.50 грн
1000+	36.20 грн
5000+	30.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3
Код товару: 148149

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 43111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.28 грн
500+	49.49 грн
1000+	41.58 грн
5000+	35.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.76 грн
500+	18.74 грн
1000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	40.55 грн
26+	34.53 грн
100+	25.76 грн
500+	18.74 грн
1000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.16 грн
11+	34.40 грн
100+	22.33 грн
500+	17.52 грн
1000+	13.57 грн
3000+	12.23 грн
9000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.66 грн
10+	39.62 грн
100+	27.55 грн
500+	20.19 грн
1000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.16 грн
500+	22.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.20 грн
10+	44.65 грн
100+	28.96 грн
500+	22.81 грн
1000+	17.60 грн
3000+	16.10 грн
9000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.40 грн
19+	47.98 грн
100+	31.16 грн
500+	22.20 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 17606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.93 грн
10+	44.31 грн
100+	30.65 грн
500+	24.04 грн
1000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.16 грн
6000+	18.39 грн
9000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.43 грн
10+	45.92 грн
100+	27.46 грн
500+	23.36 грн
1000+	21.15 грн
3000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 64472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.25 грн
10+	76.42 грн
100+	49.56 грн
500+	39.06 грн
1000+	35.67 грн
3000+	31.41 грн
6000+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 8473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.59 грн
10+	68.31 грн
100+	52.74 грн
500+	39.04 грн
1000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.75 грн
6000+	31.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.63 грн
11+	81.27 грн
100+	61.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

на замовлення 6140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIS4

на замовлення 73006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.05 грн
10+	53.91 грн
100+	31.65 грн
500+	29.44 грн
9000+	28.88 грн
24000+	28.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.67 грн
15+	61.35 грн
100+	40.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	15.87 грн
64+	11.30 грн
72+	10.11 грн
98+	7.12 грн
114+	5.68 грн
250+	4.91 грн
500+	3.85 грн
1000+	3.23 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5101

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5101

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5101B30T-TO

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102

07+

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102AOAT-F

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP1HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1231.29 грн
1501+	879.67 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP2HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5103

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5103

07+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5103B1BT

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5107

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5131

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5142D2R2G

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5142D2R2G

onsemi

Description: PRINTER POWER CONTROL
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2019+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 2019

В кошику од. на суму грн.

SIS5159A-F-A.SIS85

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530

BGA

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530(A3)

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530A2 DW

BGA

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540

00+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540

BGA

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1CX-AB-1

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1DX-AB-1

BGA

на замовлення 547 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS550

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5501

1995

на замовлення 209 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5502

1995

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5502

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS55033C

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511

на замовлення 263 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511B4ET-F-8

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5511F2CT-F-0

1996

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512

QFP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512B1BT

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512DCA2

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A6NT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8IT

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8NS-F-O

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8NS-FO

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513ABNS-F-0

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS551E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS552LV-A4

03+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5571

1998

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5571B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5571B1CE-B-O

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5581

97+

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5581

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5582

1998

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5591

1998

на замовлення 1379 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5591

BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5591A2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5591A2CR-B-2

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

QFP208

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

00+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

QFP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

07+

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595(B2)

на замовлення 972 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595B2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5597B2CR

на замовлення 194 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598

1998

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B

BGA

на замовлення 372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B6

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B60F

BGA

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B60F-B-O

на замовлення 502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598BC2CR

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600A0

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600B2DF-B-0

BGA

на замовлення 5819 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS57051

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

на замовлення 12198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.36 грн
10+	98.92 грн
100+	57.37 грн
500+	47.03 грн
1000+	46.88 грн
3000+	39.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.42 грн
10+	87.71 грн
100+	58.36 грн
500+	43.22 грн
1000+	42.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	65.80 грн
100+	47.82 грн
500+	37.49 грн
1000+	34.17 грн
3000+	29.12 грн
6000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.58 грн
500+	33.46 грн
1000+	28.00 грн
5000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.63 грн
12+	74.81 грн
100+	49.58 грн
500+	33.46 грн
1000+	28.00 грн
5000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.34 грн
10+	79.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.46 грн
6000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 114321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.06 грн
10+	97.11 грн
100+	59.58 грн
500+	47.35 грн
1000+	43.88 грн
3000+	38.43 грн
6000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

на замовлення 6370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.27 грн
10+	86.64 грн
100+	67.34 грн
500+	53.57 грн
1000+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS612EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS612EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS620

на замовлення 1442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620

BGA

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620

1999

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6202

QFP

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205

96+

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205A5FT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205A5FT-F-6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205B2MS-F-0

1996

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620A2FX

99+

на замовлення 2644 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620A2HF-CB-1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6215

QFP

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6215

9942

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS630

00+

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630BODX

BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

07+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

02+

на замовлення 982 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

03+

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

07+

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630S

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

08+ BGA

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

02+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

BGA 08+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

01+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

QFP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

QFP

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

00+

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326DVD

00+

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS635A0

BGA

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645

07+

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645A2EA-DB-1

BGA

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645DX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645DX

02+ BGA

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS646A0

BGA702

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

07+

на замовлення 1049 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

05+

на замовлення 2308 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648-C0

2004

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA-AH-1

BGA

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA-DH-1

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648BODA-DH-1

BGA

на замовлення 94 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648FX

2003

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648FX

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UA

BGA

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UAA2CA-AH-1

BGA

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UAA2CA-DH-1

BGA

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649

на замовлення 984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649BO DA

BGA

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649BODA

09+

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650A1

на замовлення 406 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GL

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

07+

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

02+ BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

03+

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

0415

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

BGA

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651-BO

MOT

QFP132

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651A1

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651B0DA

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651BO

на замовлення 3181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651UA

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651Z

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6532

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655

на замовлення 588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655A0

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655B0

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655FX

00+

на замовлення 208 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX

06+

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX B1

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FXZ

0611

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661GX

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661GX

09+

на замовлення 353 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661MX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671 A1 BD

BGA

на замовлення 5366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671A1BD

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671BD/A1

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671DX

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671DXA1

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671FXA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS672

на замовлення 225 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1AX

99+

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1AX

QFP100

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1BX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1BX-F-0

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801AIAX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS681

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS698DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.75 грн
10+	59.44 грн
100+	34.01 грн
500+	27.15 грн
1000+	24.62 грн
3000+	22.65 грн
6000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS730S

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS730S-B1-DT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

BGA

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

2002

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740A1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741CX

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GX

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GX/A3

на замовлення 810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GXA3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GXЎЎA3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS745

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS745A1

02+

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS746

на замовлення 906 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS746FX

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS748AO AA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS755

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS756

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS756A2

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS7600

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760GXLV

на замовлення 211 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760LV

05+

на замовлення 297 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX A1BA-FB-1

BGA

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX A1CA-FB-1

BGA

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GXA1BA-FB-1

05+

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS776DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 7450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.86 грн
10+	50.28 грн
100+	29.83 грн
500+	23.44 грн
1000+	19.57 грн
3000+	18.39 грн
6000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.20 грн
10+	44.92 грн
100+	26.99 грн
500+	22.57 грн
1000+	19.33 грн
6000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS8132

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8205

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8205A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS822DNT-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS822DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 8980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.80 грн
14+	27.50 грн
100+	16.02 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.31 грн
3000+	8.44 грн
6000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS82C450

89+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C451

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C452

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS82C452A

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C50A

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C50B

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C605

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8333B-F-B000

на замовлення 202 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C611

07+

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C611

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C747

на замовлення 660 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-100

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-2R2PF

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-3R3

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-470

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-6R8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-6R8M

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8513C-F-A000

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C206

PLCC84

на замовлення 341 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C206

N/A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C402

1993

на замовлення 119 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C407

1994

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C407QT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C420

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C461

1993

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C496PR

на замовлення 414 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C497NU

на замовлення 404 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C501

1995

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502

QFP208

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502

1995

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502NR

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C503

1995

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 5461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.88 грн
10+	60.42 грн
100+	40.01 грн
500+	29.32 грн
1000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 83502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	65.34 грн
100+	39.38 грн
500+	31.65 грн
1000+	28.96 грн
3000+	25.17 грн
6000+	24.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 31023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.77 грн
500+	37.57 грн
1000+	31.72 грн
5000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 23443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.78 грн
10+	75.46 грн
100+	50.57 грн
500+	37.43 грн
1000+	34.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 31579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.09 грн
10+	77.14 грн
100+	49.24 грн
500+	38.91 грн
1000+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.02 грн
14+	53.89 грн
25+	53.35 грн
100+	44.38 грн
250+	40.68 грн
500+	36.83 грн
1000+	33.50 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

на замовлення 31023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	108.89 грн
12+	75.87 грн
100+	55.77 грн
500+	37.57 грн
1000+	31.72 грн
5000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 23400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.31 грн
6000+	29.88 грн
9000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	50.30 грн
254+	49.79 грн
295+	42.96 грн
298+	41.01 грн
500+	35.80 грн
1000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 252

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.44 грн
6000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 4012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.85 грн
10+	111.63 грн
100+	67.16 грн
500+	54.53 грн
1000+	48.14 грн
3000+	43.48 грн
6000+	41.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.35 грн
500+	56.06 грн
1000+	47.43 грн
5000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

на замовлення 7062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.08 грн
10+	97.00 грн
100+	65.84 грн
500+	49.59 грн
1000+	47.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	146.07 грн
10+	99.15 грн
100+	78.35 грн
500+	56.06 грн
1000+	47.43 грн
5000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.84 грн
14+	65.51 грн
100+	46.30 грн
500+	35.92 грн
1000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

на замовлення 63821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.99 грн
10+	60.81 грн
100+	36.93 грн
500+	29.67 грн
1000+	27.15 грн
6000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.25 грн
500+	35.35 грн
1000+	26.18 грн
5000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 4745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.27 грн
10+	66.18 грн
100+	43.79 грн
500+	32.07 грн
1000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 33W
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	98.27 грн
12+	79.94 грн
100+	63.92 грн
500+	47.43 грн
1000+	40.14 грн
5000+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

на замовлення 10323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.86 грн
10+	86.56 грн
100+	58.39 грн
500+	43.46 грн
1000+	40.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 43313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.84 грн
10+	96.20 грн
100+	56.90 грн
500+	45.14 грн
1000+	41.27 грн
3000+	41.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

на замовлення 14367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.92 грн
500+	47.43 грн
1000+	40.14 грн
5000+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.95 грн
6000+	35.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2842 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	106.98 грн
25+	47.55 грн
68+	44.88 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.22 грн
25+	69.79 грн
100+	53.10 грн
250+	48.70 грн
500+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 41173 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.44 грн
10+	68.61 грн
100+	46.09 грн
500+	36.22 грн
1000+	33.15 грн
3000+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 25254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.52 грн
500+	36.09 грн
1000+	29.90 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 6889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.47 грн
10+	65.27 грн
100+	50.81 грн
500+	37.98 грн
1000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

на замовлення 25214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	97.38 грн
13+	69.05 грн
100+	52.23 грн
500+	36.25 грн
1000+	30.58 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.69 грн
6000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.75 грн
10+	78.48 грн
25+	77.69 грн
100+	64.35 грн
250+	59.24 грн
500+	48.69 грн
1000+	45.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

на замовлення 832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	82.70 грн
100+	61.86 грн
500+	48.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	174.01 грн
10+	108.91 грн
100+	66.21 грн
500+	56.03 грн
1000+	46.80 грн
3000+	43.25 грн
6000+	40.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	73.25 грн
175+	72.51 грн
203+	62.28 грн
250+	59.71 грн
500+	47.34 грн
1000+	42.61 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

SIS894DN-T1-E3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS894DN-T1-GE3

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS900

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS900A2CN-F-D

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS902DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	55.88 грн
229+	55.32 грн
297+	42.67 грн
299+	40.79 грн
500+	32.88 грн
1000+	27.44 грн
3000+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.24 грн
6000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 25880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.47 грн
10+	64.25 грн
100+	43.56 грн
500+	37.41 грн
1000+	30.54 грн
3000+	28.65 грн
6000+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.84 грн
13+	59.87 грн
25+	59.27 грн
100+	44.09 грн
250+	40.47 грн
500+	33.82 грн
1000+	29.40 грн
3000+	28.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 8322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.98 грн
10+	67.49 грн
100+	44.93 грн
500+	33.07 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS9122DN-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.06 грн
10+	79.59 грн
100+	45.85 грн
500+	37.56 грн
1000+	35.67 грн
3000+	30.30 грн
6000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.82 грн
500+	14.39 грн
1000+	13.05 грн
5000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 16011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.83 грн
16+	24.05 грн
100+	17.76 грн
500+	17.44 грн
1000+	16.10 грн
3000+	15.23 грн
6000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

на замовлення 5405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	20.01 грн
53+	16.91 грн
100+	16.82 грн
500+	14.39 грн
1000+	13.05 грн
5000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.66 грн
10+	39.54 грн
100+	27.50 грн
500+	20.15 грн
1000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.70 грн
500+	41.76 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	144.30 грн
10+	92.07 грн
100+	61.70 грн
500+	41.76 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS950

на замовлення 522 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

02+

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

BGA

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

07+

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961A1CA

BGA

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961BOIA

BGA

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962

03+

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962 A2 IA

BGA

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962A2

на замовлення 265 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962A2IA(CM02)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

08+ BGA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

BGA371

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS962LRev:A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS962LRev:C1

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LU

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA

0415+

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA-C1

0348+

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA

04+

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA B1 OA

BGA

на замовлення 260 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA B1 PA

BGA

на замовлення 457 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963

2003

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.29 грн
10+	81.55 грн
100+	63.41 грн
500+	50.44 грн
1000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.46 грн
10+	88.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.81 грн
6000+	39.26 грн
9000+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.15 грн
10+	94.39 грн
100+	54.69 грн
500+	43.25 грн
1000+	39.54 грн
3000+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.22 грн
10+	128.42 грн
25+	116.40 грн
50+	99.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963A2IA-AB-1

BGA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

07+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

0502+

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA-C1

2006

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAC1

на замовлення 86 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAZ

07+

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAZC1

на замовлення 207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UA

03+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UA/B1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UAA2IA-AB-1

BGA

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UAB1PA-B-1

2003

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

BGA

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

06+

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964 A2

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2GA

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2GA-B-1

06+PB

на замовлення 10398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

05+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964LA2G-A-B-1

BGA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964Z

0601

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964ZA2

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

SISI

0548+

на замовлення 370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965/B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965B1

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965B1FA-H-1

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965L

09+

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965L

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966

06+

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966L

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966Z(A1)

на замовлення 326 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968

N/A

на замовлення 204 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968BO

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968BOAA

08+

на замовлення 784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9806

на замовлення 181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.84 грн
15+	62.77 грн
100+	47.63 грн
500+	33.95 грн
1000+	25.88 грн
5000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 12611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.86 грн
10+	64.37 грн
100+	42.75 грн
500+	31.40 грн
1000+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 27791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

на замовлення 14038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.63 грн
500+	33.95 грн
1000+	25.88 грн
5000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.70 грн
6000+	24.76 грн
9000+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	62.08 грн
100+	40.96 грн
500+	33.54 грн
1000+	29.36 грн
3000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.58 грн
50+	69.23 грн
100+	46.74 грн
500+	33.87 грн
1500+	28.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.61 грн
10+	57.96 грн
100+	38.28 грн
500+	28.02 грн
1000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.22 грн
10+	59.35 грн
100+	35.75 грн
500+	31.25 грн
1000+	27.62 грн
3000+	24.78 грн
6000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.74 грн
500+	33.87 грн
1500+	28.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.60 грн
6000+	21.95 грн
9000+	21.07 грн
15000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.08 грн
10+	83.44 грн
25+	82.57 грн
100+	65.42 грн
250+	59.42 грн
500+	47.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.01 грн
6000+	35.67 грн
9000+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

на замовлення 27099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.23 грн
10+	92.57 грн
100+	53.59 грн
500+	43.96 грн
1000+	38.51 грн
3000+	35.28 грн
6000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.47 грн
10+	100.92 грн
100+	66.93 грн
500+	50.97 грн
1000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 13797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	81.88 грн
100+	60.06 грн
500+	44.54 грн
1000+	40.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.73 грн
15+	59.76 грн
100+	45.68 грн
500+	30.50 грн
1000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.68 грн
500+	30.50 грн
1000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

на замовлення 11292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.49 грн
10+	60.26 грн
100+	40.80 грн
500+	34.57 грн
1000+	31.17 грн
3000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.98 грн
10+	65.52 грн
100+	51.06 грн
500+	39.59 грн
1000+	31.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 5263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.78 грн
10+	76.37 грн
100+	59.56 грн
500+	46.17 грн
1000+	36.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

на замовлення 3943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.75 грн
10+	65.07 грн
100+	43.56 грн
500+	35.28 грн
1000+	31.57 грн
3000+	28.33 грн
6000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0043 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.69 грн
16+	58.08 грн
100+	40.37 грн
500+	31.65 грн
1000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 3447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.20 грн
10+	55.98 грн
100+	36.89 грн
500+	26.93 грн
1000+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

на замовлення 17968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.52 грн
10+	57.36 грн
100+	34.72 грн
500+	28.80 грн
1000+	26.12 грн
3000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A

на замовлення 11411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.64 грн
10+	67.16 грн
100+	38.75 грн
500+	30.30 грн
1000+	27.46 грн
3000+	25.33 грн
6000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.32 грн
500+	28.94 грн
1000+	24.51 грн
5000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.98 грн
10+	63.30 грн
100+	43.85 грн
500+	34.38 грн
1000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.08 грн
15+	61.00 грн
100+	42.32 грн
500+	28.94 грн
1000+	24.51 грн
5000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.84 грн
6000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.86 грн
18+	49.93 грн
100+	33.64 грн
500+	22.52 грн
1000+	18.82 грн
5000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.54 грн
10+	47.35 грн
100+	30.99 грн
500+	22.49 грн
1000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.64 грн
500+	22.52 грн
1000+	18.82 грн
5000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 21A

на замовлення 32124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.53 грн
10+	53.00 грн
100+	30.23 грн
500+	23.36 грн
1000+	21.15 грн
3000+	18.31 грн
6000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.55 грн
6000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

на замовлення 60580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.11 грн
11+	35.67 грн
100+	24.31 грн
500+	22.33 грн
1000+	20.20 грн
3000+	16.73 грн
6000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.96 грн
6000+	16.65 грн
9000+	15.15 грн
15000+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	29.00 грн
27+	27.54 грн
36+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 18051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.83 грн
11+	32.06 грн
100+	25.08 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.49 грн
50+	40.99 грн
100+	27.09 грн
500+	22.28 грн
1500+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.95 грн
6000+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 43065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.73 грн
14+	27.77 грн
100+	16.10 грн
3000+	13.81 грн
6000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.09 грн
500+	22.28 грн
1500+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3
Код товару: 117652

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 13611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.27 грн
10+	44.56 грн
100+	28.93 грн
500+	20.84 грн
1000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 18A

на замовлення 9225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.30 грн
10+	47.92 грн
100+	29.83 грн
500+	23.04 грн
1000+	20.83 грн
3000+	18.07 грн
6000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

на замовлення 5839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.81 грн
10+	49.82 грн
100+	32.63 грн
500+	23.67 грн
1000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	71.71 грн
18+	51.79 грн
100+	37.09 грн
500+	26.55 грн
1000+	22.23 грн
5000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.09 грн
500+	26.55 грн
1000+	22.23 грн
5000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

на замовлення 10866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.95 грн
10+	57.46 грн
100+	40.30 грн
500+	31.37 грн
1000+	28.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 24759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.25 грн
500+	30.50 грн
1000+	25.57 грн
5000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.59 грн
6000+	24.63 грн
9000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 24759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.07 грн
16+	56.13 грн
100+	41.25 грн
500+	30.50 грн
1000+	25.57 грн
5000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

на замовлення 4547 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.97 грн
10+	61.99 грн
100+	39.54 грн
500+	33.07 грн
1000+	29.67 грн
3000+	26.28 грн
6000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.39 грн
10+	57.27 грн
100+	34.33 грн
500+	28.33 грн
1000+	24.78 грн
3000+	22.73 грн
9000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.68 грн
10+	65.93 грн
100+	50.55 грн
500+	37.50 грн
1000+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3