Продукція > SIS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIS | SIS | BGA | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS-163-U | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS-163U | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS-6801-A1-AX | на замовлення 907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS03VA | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS03VB | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS03VD | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS03VE | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS03VY | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS044200SPL-1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS07VA | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS07VB | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS07VD | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS07VE | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS106DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 19410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS108DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 23662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS108DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 15131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS108DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 15131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS110DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 91832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS110DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 26847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | на замовлення 19507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS110DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 26847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS112-12VDC | ELESTA Relays | PCB Power Relay | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS112LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS1206L-4R6FT | на замовлення 142 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V | на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWER P AKNC HAN80V | на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWER P AKNC HAN80V | на замовлення 16008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V | на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS150-40-TG-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 513 Width (Inches): 13 BTU's: 150000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS150E | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS160 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS162U | SIS | LFBGA | на замовлення 1494 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS163 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS163A | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS163A1DA | SIS | 05+ | на замовлення 1020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS163U | на замовлення 227 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS163UZ | SIS | 0750+/ | на замовлення 1177 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS168C1AD | на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS175-40-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD Packaging: Bulk Voltage: 120V Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Current Rating (Amps): 2.4 Fuel Type: Propane Length (Inches): 513 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-40-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE Packaging: Bulk Voltage: 120V Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Current Rating (Amps): 2.4 Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 513 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-40-TG-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Fuel Type: Propane Length (Inches): 513 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-40-TG-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 513 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-50-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE Packaging: Bulk Voltage: 120V Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Current Rating (Amps): 2.4 Fuel Type: Propane Length (Inches): 633 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-50-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE Packaging: Bulk Voltage: 120V Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Current Rating (Amps): 2.4 Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 633 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS175-50-TG-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 6-1/4" Part Status: Active Fuel Type: Propane Length (Inches): 633 Width (Inches): 13 BTU's: 175000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS176LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS176LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V | на замовлення 11837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS176LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 70V | на замовлення 35519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V | на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A | на замовлення 37514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS180 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS184DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 23260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS184LDN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 17550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS2038 | SAGAMI | DIP-471 SIS4047 | на замовлення 112240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS2038 DIP-471 SIS4047 | SAGAMI | на замовлення 91240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS2038DIP-471 | на замовлення 91240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS2038DIP-471SIS4047 | SAGAMI | на замовлення 110329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS212-12VDC | ELESTA Relays | Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-12VDC | ELESTA Relays | Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-12VDC SEN | ELESTA Relays | Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-24VDC | ELESTA Relays | Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-24VDC | ELESTA Relays | Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-24VDC SEN | ELESTA Relays | Power Switching Relay | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-5VDC | ELESTA Relays | Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS212-5VDC | ELESTA Relays | Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS212-5VDC SEN | ELESTA Relays | PCB Relay with Forcibly Guided Contacts | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS22224V | ELESTA | 0947 | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS300 | SIS | 00+ | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301 | SIS | 00+ | на замовлення 296 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301-A1 | SIS | TQFP100 | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301B | на замовлення 22300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS301B0EF-T-5 | SIS | 2002 | на замовлення 587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS301BO | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS301C2CA | SIS | 03+ | на замовлення 1355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301DH | SIS | 01+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301DHMV | на замовлення 7323 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS301LVD0 | на замовлення 214 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS301LVMV | на замовлення 214 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS301LVMVBO | SIS | на замовлення 542 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS301MV | SIS | на замовлення 449 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS301MVBOFF | SIS | 02+ | на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS301MVC | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS301VB | SIS | QFP100 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS302ELC | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302ELV | SIS | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS302ELVE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302ELVE0 | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302ELVMV | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302ELVZ | SIS | 06+ | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS302ELVZE0CY | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302LV | SIS | 0602+ | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS302LVE0 | на замовлення 298 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302LVE0CY-L-5 | SIS | 2004 | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS302LVEOBF(CM.01) | на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS302LVMV | SIS | на замовлення 2435 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS302LVZE0CY-5 | SIS | QFP128 | на замовлення 361 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS305 | SIS | на замовлення 403 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS305DOAA | SIS | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SiS307DV | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS307DVAOAA | на замовлення 20949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS307ELV | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS307ELVBO BA | SIS | 08+ | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS307ELVBOBA | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS315 | SIS | 02+ | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS315AOGA | на замовлення 1098 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS315E | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS316MX | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS330DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS333A1CA | SIS | на замовлення 223 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS333A1CACM02 | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS334DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4001X01-3070 | на замовлення 3981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 4271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 10234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4047DIP-471SIS2038 | SAGAMI | на замовлення 110329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS406DN-T1-E3 | на замовлення 875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS406DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS406DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 105338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 12781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS406DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | на замовлення 71200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39.1 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.009 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 39.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V | на замовлення 14026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V | на замовлення 31538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 25252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS40C3208-20 | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | на замовлення 278 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 6315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 25851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS412DN | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3) Код товару: 63212
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ QFN-8 | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-E3 Код товару: 56990
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2282 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 27344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 Код товару: 173697
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 51704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 11622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiS412DNS412 | на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | на замовлення 14345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 41247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 6236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 Код товару: 151913
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS414DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 5061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 22397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS422-12VDC | ELESTA Relays | Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS422-12VDC | ELESTA Relays | Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS424DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS424DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS426DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS426DN-T1-GE3 | на замовлення 1620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS426DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS427EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V | на замовлення 61872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS427EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS427EDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS427EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 3775 шт: термін постачання 299-308 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS429DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS429DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS430DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 35A 52W | на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS430DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS430DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V | на замовлення 22024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 26083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 Код товару: 209118
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 51557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 26083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V | на замовлення 12160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS438DN | Vishay Siliconix | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 Код товару: 186242
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS438DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS438DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V | на замовлення 18311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS439DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH | на замовлення 4456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS439DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS439DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4406DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4406DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 10765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4406DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4410DC-T1 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 19951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V | на замовлення 27135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 15244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3-X | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS444DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS444DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 13736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 9835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 4171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 18326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | на замовлення 10520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | на замовлення 14527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A | на замовлення 5491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | на замовлення 5855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A | на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4634LDN | Vishay | SIS4634LDN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS4634LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4634LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS4634LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS463EDC-T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS468DN | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 39371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V | на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 43111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 Код товару: 148149
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS472DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS472DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V | на замовлення 17606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 7691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 63895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS478DN-T1-GE3 | на замовлення 6140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS478DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS478DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS478DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SIS4 | на замовлення 64949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | на замовлення 48037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS496EDNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS496EDNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS496EDNT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS496EDNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5101 | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5101B30T-TO | SIS | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5102 | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5102AOAT-F | SIS | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5102QP1HT1G | ON Semiconductor | IC Smart Hotplug High Side | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS5102QP1HT1G | onsemi | Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP Packaging: Tape & Reel (TR) Applications: General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5102QP2HT1G | onsemi | Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP Packaging: Tape & Reel (TR) Applications: General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5103 | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5103B1BT | SIS | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5107 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5131 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5142D2R2G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5142D2R2G | onsemi | Description: PRINTER POWER CONTROL Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS5159A-F-A.SIS85 | на замовлення 1009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS530 | SIS | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS530(A3) | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS530A2 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS530A2 DW | SIS | BGA | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS540 | SIS | BGA | на замовлення 216 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS540A1 | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS540A1CX-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS540A1DX-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 547 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS550 | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5501 | SIS | 1995 | на замовлення 209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5502 | SIS | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS55033C | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5511 | на замовлення 263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5511B4ET-F-8 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5511E3DT | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS5511F2CT-F-0 | SiS | 1996 | на замовлення 264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5512 | SiS | 1996 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5512B1BT | SIS | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5512DCA2 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5513 | SiS | 1996 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5513A6NT | SIS | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5513A8IT | SIS | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5513A8NS-F-O | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5513A8NS-FO | SIS | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5513ABNS-F-0 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS551E3DT | SIS | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS552LV-A4 | SIS | 03+ | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS5571 | SiS | 1998 | на замовлення 226 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5571B1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5571B1CE-B-O | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5581 | SIS | 97+ | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS5582 | SiS | 1998 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS5591 | SiS | 1998 | на замовлення 1379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5591A2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5591A2CR-B-2 | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5595 | SIS | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5595(B2) | на замовлення 972 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5595B2 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5597B2CR | на замовлення 194 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5598 | SIS | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5598B | SIS | BGA | на замовлення 372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5598B6 | SIS | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5598B60F | SIS | BGA | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS5598B60F-B-O | SIS | на замовлення 502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS5598BC2CR | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5600 | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5600A0 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5600B2DF-B-0 | SIS | BGA | на замовлення 5819 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS57051 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS5712DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS5712DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | на замовлення 11322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS5712DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS590DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS590DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS590DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS590DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET | на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS590DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS606BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | на замовлення 6370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS606BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 114321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS606BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS612EDNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS612EDNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS620 | SIS | на замовлення 1442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS6202 | SIS | QFP | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS6205 | SIS | 96+ | на замовлення 1488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS6205A5FT | SIS | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS6205A5FT-F-6 | SIS | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS6205B2MS-F-0 | SIS | 1996 | на замовлення 2675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS620A2FX | SIS | 99+ | на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS620A2HF-CB-1 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6215 | SIS | 9942 | на замовлення 356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS626DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS630 | SIS | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS630BODX | SIS | BGA | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS630E | SIS | 07+ | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS630ET | SIS | 07+ | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS630S | SIS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS630ST | SIS | 08+ BGA | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS6326 | SIS | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS6326AGP | SIS | 00+ | на замовлення 214 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS6326DVD | SIS | 00+ | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS635A0 | SIS | BGA | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS645 | SIS | 07+ | на замовлення 1053 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS645A2EA-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS645A2EA-DB-1 | SIS | BGA | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS645DX | SIS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS646A0 | SIS | BGA702 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648 | SIS | 05+ | на замовлення 2308 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648-C0 | SIS | 2004 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648A2CA | SIS | BGA | на замовлення 3360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648A2CA-AH-1 | SIS | BGA | на замовлення 351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648A2CA-DH-1 | SIS | BGA | на замовлення 3360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648BODA-DH-1 | SIS | BGA | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648FX | SIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS648UA | SIS | BGA | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648UAA2CA-AH-1 | SIS | BGA | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS648UAA2CA-DH-1 | SIS | BGA | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS649 | на замовлення 984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS649BO DA | SIS | BGA | на замовлення 1240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS649BODA | SIS | 09+ | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS650 | SIS | на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS650A1 | на замовлення 406 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS650GL | SIS | на замовлення 537 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS650GX | SIS | 07+ | на замовлення 1063 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS651 | SIS | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS651-BO | MOT | QFP132 | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS651A1 | SIS | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS651B0DA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS651BO | SIS | на замовлення 3181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS651UA | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS651Z | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6532 | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS655 | на замовлення 588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS655A0 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS655B0 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS655FX | SIS | 00+ | на замовлення 208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS661 | на замовлення 412 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS661FX | SIS | 06+ | на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS661FX B1 | 03+ | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS661FXZ | SIS | 0611 | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS661GX | SIS | 09+ | на замовлення 353 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS661MX | SIS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS671 | на замовлення 792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS671 A1 BD | SIS | BGA | на замовлення 5366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS671A1BD | на замовлення 264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS671BD/A1 | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS671DX | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS671DXA1 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS671FXA1 | SIS | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS672 | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6801 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6801A1AX | SIS | 99+ | на замовлення 2359 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS6801A1BX | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6801A1BX-F-0 | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS6801AIAX | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS681 | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS698DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS730S | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS730S-B1-DT | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS740 | SIS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS740A1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS741 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS741CX | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS741GX | SIS | на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS741GX/A3 | на замовлення 810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS741GXA3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS741GXЎЎA3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS745 | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS745A1 | SIS | 02+ | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS746 | SIS | на замовлення 906 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS746FX | SIS | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS748AO AA | SIS | BGA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS755 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS756 | SIS | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS756A2 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS760 | SIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS7600 | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS760GXLV | на замовлення 211 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS760LV | SIS | 05+ | на замовлення 297 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS761GX | на замовлення 201 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS761GX A1BA-FB-1 | SIS | BGA | на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS761GX A1CA-FB-1 | SIS | BGA | на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS761GXA1BA-FB-1 | SIS | 05+ | на замовлення 3410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS776DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS778DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS780DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS780DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS780DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS780DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS782DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 2971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS782DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS782DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS782DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V | на замовлення 22849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS8132 | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS8205 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS8205A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS822DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS822DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS82C450 | SIS | 89+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS82C451 | на замовлення 3256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS82C452 | на замовлення 4580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS82C452A | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS82C50A | 88 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS82C50B | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS82C605 | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS8333B-F-B000 | на замовлення 202 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS83C611 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS83C747 | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-100 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-2R2PF | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-3R3 | на замовлення 22400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-470 | на замовлення 3466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-6R8 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85-6R8M | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS8513C-F-A000 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85C206 | SIS | PLCC84 | на замовлення 341 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C402 | SIS | 1993 | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C407 | SIS | 1994 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C407QT | SIS | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS85C420 | на замовлення 147 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85C461 | SIS | 1993 | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C496PR | SIS | на замовлення 414 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS85C497NU | SIS | на замовлення 404 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS85C501 | SIS | 1995 | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C502 | SIS | QFP208 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS85C502NR | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS85C503 | SIS | 1995 | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.8A | на замовлення 74919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V | на замовлення 46526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862DN | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 31023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 21296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 31023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 20.8nC On-state resistance: 12.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Pulsed drain current: 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V | на замовлення 22740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS888DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS888DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V | на замовлення 7062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS888DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS888DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS888DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | на замовлення 30340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 39W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 14615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET | на замовлення 63821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 12202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 29nC On-state resistance: 23.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Power dissipation: 33W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 12202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 34465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V | на замовлення 39675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 20826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | на замовлення 18376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 25254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 36417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V | на замовлення 8621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS894DN-T1-E3 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS894DN-T1-GE3 | на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS900 | SIS | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS900A2CN-F-D | SIS | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS902DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 15.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS902DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 15.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 23 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | на замовлення 16758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 Код товару: 182732
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS9122DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 16011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9446DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9446DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS950 | SIS | на замовлення 522 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS961 | SIS | на замовлення 8502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS961A1CA | SIS | BGA | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS961A2EA-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS961BOIA | SIS | BGA | на замовлення 122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962 | SIS | 03+ | на замовлення 1047 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962 A2 IA | SIS | BGA | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962A2 | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS962A2IA(CM02) | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS962L | SIS | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SiS962LRev:A2 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SiS962LRev:C1 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS962LU | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS962LUA | SIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS962LUA-C1 | SIS | 0348+ | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962UA | SIS | 04+ | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962UA B1 OA | SIS | BGA | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS962UA B1 PA | SIS | BGA | на замовлення 457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963 | SIS | 2003 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung Pd: 17.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 17.9W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963A2IA-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963LUA | SIS | 07+ | на замовлення 1020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963LUA-C1 | SIS | 2006 | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963LUAC1 | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS963LUAZ | SIS | 07+ | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963LUAZC1 | на замовлення 207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS963UA | SIS | 03+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963UA/B1 | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS963UAA2IA-AB-1 | SIS | BGA | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS963UAB1PA-B-1 | SIS | 2003 | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS964 | SIS | 06+ | на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS964 A2 | 03+ | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS964A2 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS964A2GA | на замовлення 1691 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS964A2GA-B-1 | SIS | 06+PB | на замовлення 10398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS964L | SIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS964LA2G-A-B-1 | SIS | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS964Z | SIS | 0601 | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS964ZA2 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS965 | SISI | 0548+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS965/B1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS965B1 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS965B1FA-H-1 | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS965L | SIS | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS966 | SIS | 06+ | на замовлення 123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS966L | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS966Z(A1) | на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS968 | N/A | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SIS968BO | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS968BOAA | SIS | 08+ | на замовлення 784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS9806 | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 27791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 17271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active | на замовлення 43965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 20006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V | на замовлення 18845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 7254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA04DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3 | на замовлення 27099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 26A | на замовлення 8099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10DN | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V | на замовлення 5263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3 | на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0043 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3 | на замовлення 17968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V | на замовлення 4549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A | на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V | на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA12DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA12DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA12DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 21A | на замовлення 28169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V | на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 22nC On-state resistance: 7.02mΩ Power dissipation: 29W Drain current: 58A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 130A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3 | на замовлення 49116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V | на замовлення 25216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 29nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 17W Drain current: 20A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA16DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA16DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Ch PowerPAK1212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA16DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 42094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | на замовлення 13611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 Код товару: 117652
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18BDN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 18A | на замовлення 8650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA18DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA18DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA18DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 24759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ. | на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V | на замовлення 3292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 24759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA26DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA26DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA34DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA34DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Ch PowerPAK1212 Bwl 30V 7.5ohm@10V | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA34DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 15404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | Vishay | P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8 | на замовлення 92829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 9425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 8105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 129A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 129A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -8...12V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V | на замовлення 57336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 Код товару: 182307
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 43.7A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 28988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 SISA40DN | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA66DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK 1212-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA66DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA72ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 10977 шт: термін постачання 618-627 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 22940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V | на замовлення 21039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 22940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V | на замовлення 7173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 18390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 131097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 33.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 18390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 208851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 19.8W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 33639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0067 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiSA96DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA96DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA96DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiSA96DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V | на замовлення 14535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiSA96DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 74432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISA96DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISA96DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 27240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISC03N06DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC03N06E10X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC097N24DX1SA1 | Infineon Technologies | SISC097N24DX1SA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC097N24DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC140N60DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC185N06LX1SA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISC6,24P06 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISD4112LDN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD4402DN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISD4604LDN-T1-UE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD4604LDN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD4604LDN-T1-UE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5110DN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PWRPK 100V 55A | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5300DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5300DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5300DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V | на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5806DN-T1-UE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISD5806DN-T1-UE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD | на замовлення 15149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Part Status: Active | на замовлення 12135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V | на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD | на замовлення 11206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F | на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2) | на замовлення 25029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD | на замовлення 13556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF20DN | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF20DN-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF20DN-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF20DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF20DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF20DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF20DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD | на замовлення 3586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF54DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISF54DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISF54DN-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISGM1040-284-LRT | Lantronix | Managed Ethernet Switches Managed Hardened Switch, (8) 10/100/1000Base-T, (4) 100/1000 SFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISGM1040-284-LRT | Lantronix, Inc. | Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12V ~ 48V Type: Switch - Managed Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Number of Ports: 12 Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Ports: 8 Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 4 SFP/XFP Type: SFP SFP/XFP Ports: 4 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 27399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 54240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 27399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 9717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH103DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH103DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V | на замовлення 10639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH103DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | на замовлення 10423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH103DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH103DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V | на замовлення 5606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH106DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH107DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 14 mohm a. 10V, 25.1 mohm a. 4.5V | на замовлення 11768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH107DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 11770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH107DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH108DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH108DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH108DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V | на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH110DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH110DN-T1-GE3 | Vishay | N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dn кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH112DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V | на замовлення 11998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH112DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH112DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 10277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH116DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 20923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH116DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH116DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 15060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH136-2R2PF | DELTA | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SISH136-330PF | на замовлення 86000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-331PF | на замовлення 112000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-3R3PF | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-470PF | на замовлення 92000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-471PF | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-5R6PF | на замовлення 86000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-680PF | на замовлення 112000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH136-681PF | на замовлення 86000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SISH402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH402DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 6283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 5593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V | на замовлення 16570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH407DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 24125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 8594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 8119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH434DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH | на замовлення 16603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V | на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH472DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SISH472DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R | на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|