Інші пропозиції SIS434DN-T1-GE3 за ціною від 21.40 грн до 136.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 26083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V |
на замовлення 22024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 51557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 26083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIS434DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| SIS438DN-T1-GE3 Код товару: 186242
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74435581200 індуктивність Код товару: 202220
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39014
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3975 шт
2080 шт - склад
700 шт - РАДІОМАГ-Львів
915 шт - РАДІОМАГ-Харків
280 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
700 шт - РАДІОМАГ-Львів
915 шт - РАДІОМАГ-Харків
280 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27714
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 5281 шт
4891 шт - склад
390 шт - РАДІОМАГ-Харків
390 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 16718
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 3528 шт
645 шт - склад
523 шт - РАДІОМАГ-Київ
125 шт - РАДІОМАГ-Львів
2150 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
523 шт - РАДІОМАГ-Київ
125 шт - РАДІОМАГ-Львів
2150 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |