Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

sis434dn.pdf
Код товару: 209118
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS434DN-T1-GE3 за ціною від 21.14 грн до 143.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.62 грн
6000+23.38 грн
9000+22.82 грн
15000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY sis434dn.pdf Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.75 грн
500+47.27 грн
1500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+52.35 грн
100+39.65 грн
500+29.58 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis434dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 51557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+54.62 грн
100+35.97 грн
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY sis434dn.pdf Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
50+99.06 грн
100+64.75 грн
500+47.27 грн
1500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.62 грн
6000+23.38 грн
9000+22.82 грн
15000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+64.75 грн
500+47.27 грн
1500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.10 грн
10+52.35 грн
100+39.65 грн
500+29.58 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 51557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.18 грн
10+54.62 грн
100+35.97 грн
500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 24473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.36 грн
50+99.06 грн
100+64.75 грн
500+47.27 грн
1500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242
Додати до обраних Обраний товар
sis438dn.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74435581200 індуктивність
Код товару: 202220
Додати до обраних Обраний товар
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39014
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3875 шт
  • 2080 шт - склад
  • 700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 915 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27714
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 4881 шт
  • 4491 шт - склад
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 16718
1 Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 pF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3448 шт
  • 565 шт - склад
  • 523 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 125 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2150 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.