Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

sis434dn.pdf
Код товару: 209118
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS434DN-T1-GE3 за ціною від 84.34 грн до 119.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.37 грн
10+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis434dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 17853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 17853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.37 грн
10+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 17853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS434DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 17853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242
Додати до обраних Обраний товар
sis438dn.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74435581200 індуктивність
Код товару: 202220
Додати до обраних Обраний товар
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39014
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 162 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 4575 шт
  • 2780 шт - склад
  • 700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 915 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.45 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27714
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16,9 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 4481 шт
  • 4091 шт - склад
  • 390 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 16718
1 Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 2218 шт
  • 335 шт - склад
  • 523 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 125 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1150 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.65 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.