Продукція > SIS > SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

sis468dn.pdf
Код товару: 148149
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS468DN-T1-GE3 за ціною від 31.36 грн до 141.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis468dn.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.68 грн
10+85.11 грн
100+50.54 грн
500+40.03 грн
1000+36.93 грн
3000+34.89 грн
6000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 37336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+88.81 грн
100+60.36 грн
500+42.15 грн
1000+35.59 грн
5000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.51 грн
100+58.21 грн
500+43.25 грн
1000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.68 грн
10+85.11 грн
100+50.54 грн
500+40.03 грн
1000+36.93 грн
3000+34.89 грн
6000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 VISH-S-A0000784867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 37336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
10+88.81 грн
100+60.36 грн
500+42.15 грн
1000+35.59 грн
5000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.51 грн
100+58.21 грн
500+43.25 грн
1000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.