Продукція > SIS > SISA40DN-T1-GE3

SISA40DN-T1-GE3

Код товару: 182307
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SISA40DN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISA40DN-T1-GE3 SISA40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 SISA40DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3
SISA40DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 VISH-S-A0011029498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA40DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.