SISA40DN-T1-GE3
Код товару: 182307
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SISA40DN-T1-GE3 за ціною від 17.89 грн до 93.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 28988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V |
на замовлення 57336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 43.7A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISA40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 129A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 129A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -8...12V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |