Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2308CES-T1_BE3
SQ2308CES-T1_BE3

SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2308ces.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.91 грн
6000+13.22 грн
9000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2308CES-T1_BE3 за ціною від 15.61 грн до 61.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2308CES-T1_BE3 SQ2308CES-T1_BE3 Vishay sq2308ces.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.78 грн
591+23.89 грн
613+23.03 грн
1000+21.48 грн
2500+19.30 грн
5000+18.03 грн
10000+17.59 грн
25000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.78 грн
10+36.90 грн
100+23.98 грн
500+17.29 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3 SQ2308CES-T1"BE3 VISHAY VISH-S-A0010613172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
406+34.78 грн
591+23.89 грн
613+23.03 грн
1000+21.48 грн
2500+19.30 грн
5000+18.03 грн
10000+17.59 грн
25000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.78 грн
10+36.90 грн
100+23.98 грн
500+17.29 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3 VISH-S-A0010613172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ2308CES-T1"BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.