SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.96 грн |
| 6000+ | 14.12 грн |
| 9000+ | 12.61 грн |
| 15000+ | 11.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2308CES-T1_BE3 за ціною від 12.92 грн до 57.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2308CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S) |
на замовлення 468793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2308CES-T1"BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 30026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2308CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SQ2308CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Automotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET |
товару немає в наявності |