Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2318AES-T1_BE3
SQ2318AES-T1_BE3

SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2318aes.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.48 грн
6000+13.70 грн
9000+13.08 грн
15000+11.63 грн
21000+11.24 грн
30000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQ2318AES-T1_BE3 за ціною від 16.25 грн до 64.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.42 грн
10+38.66 грн
100+25.07 грн
500+18.02 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 SQ2318AES-T1_BE3 Vishay / Siliconix sq2318aes.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3 SQ2318AES-T1"BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 55137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 Vishay sq2318aes.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.72 грн
403+35.26 грн
500+33.98 грн
1000+31.70 грн
2500+28.48 грн
5000+26.61 грн
10000+25.96 грн
25000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.42 грн
10+38.66 грн
100+25.07 грн
500+18.02 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3
SQ2318AES-T1"BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 55137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3 sq2318aes.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
387+36.72 грн
403+35.26 грн
500+33.98 грн
1000+31.70 грн
2500+28.48 грн
5000+26.61 грн
10000+25.96 грн
25000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.